添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线：13692101218  13751165337
Pdf资料  |  热门库存  |  IC详细资料  |  网站地图
IC供应 PDF资料 非IC供应
51电子网联系电话：13692101218
首页
供应信息
求购信息
非IC专区
技术资料
电子资讯
招聘中心
会展信息 51旺铺 会员中心
位置：首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第256页 > BUL45_06
BUL45
NPN硅功率
晶体管
高压SWITCHMODEt系列
专为电子镇流器使用（镇流器）和
开关模式电源可达50瓦。
特点
http://onsemi.com
提高效率，因为：
低基数的驱动要求（高和平板DC电流增益
FE
)
低功率损耗（通态和开关操作）
快速切换：吨
fi
= 100纳秒（典型值）和T
si
= 3.2
ms
（典型值）
@ I
C
= 2.0 A，I
B1
= I
B2
= 0.4 A
全表征在125°C
紧张的参数分布一致地段到地块
无铅包装是可用*
最大额定值
等级
集电极 - 发射极耐受电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
器件总功耗@ T
C
= 25_C
减免上述25℃
工作和存储温度
- 连续
- 山顶（注1 ）
符号
V
首席执行官
V
CES
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
D
T
J
, T
英镑
价值
400
700
9.0
5.0
10
2.0
75
0.6
-65到150
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
ADC
W
W / ℃，
_C
功率晶体管
5.0安培， 700伏特，
35和75瓦
1
2
TO220AB
CASE 221A -09
风格1
3
标记图
BUL45G
AY WW
热特性
特征
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
符号
R
QJC
R
qJA
最大
1.65
62.5
单位
° C / W
° C / W
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1.脉冲测试：脉冲宽度= 5毫秒，占空比
≤
10%.
BUL45
A
Y
WW
G
=器件代码
=大会地点
=年
=工作周
= Pb-Free包装
订购信息
设备
BUL45
BUL45G
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
包
TO220
TO220
（无铅）
航运
50单位/铁
50单位/铁
1
2006年2月， - 启示录7
出版订单号：
BUL45/D
BUL45
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极 - 发射极耐受电压（I
C
= 100毫安， L = 25毫亨）
集电极截止电流（V
CE
=额定V
首席执行官
, I
B
= 0)
集电极截止电流（V
CE
=额定V
CES
, V
EB
= 0)
(T
C
= 125°C)
发射极截止电流（V
EB
= 9.0伏，我
C
= 0)
基本特征
基射极饱和电压
(I
C
= 1.0 ADC ，我
B
= 0.2 ADC）
(I
C
= 2.0 ADC ，我
B
= 0.4 ADC）
集电极 - 发射极饱和电压（I
C
= 1.0 ADC ，我
B
= 0.2 ADC）
(T
C
= 125°C)
集电极 - 发射极饱和电压（I
C
= 2.0 ADC ，我
B
= 0.4 ADC）
(T
C
= 125°C)
直流电流增益（I
C
= 0.3 ADC ，V
CE
= 5.0伏）
(T
C
= 125°C)
(I
C
= 2.0 ADC ，V
CE
= 1.0伏）
(T
C
= 125°C)
(I
C
= 10 MADC ，V
CE
= 5.0伏）
动态特性
电流增益带宽（我
C
= 0.5 ADC ，V
CE
= 10 VDC ， F = 1.0兆赫）
输出电容（V
CB
= 10 VDC ，我
E
= 0中，f = 1.0 MHz）的
输入电容（V
EB
= 8.0伏）
(I
C
= 1.0 ADC
I
B1
= 100 MADC
V
CC
= 300 V)
(I
C
= 2.0 ADC
I
B1
= 400 MADC
V
CC
= 300 V)
1.0
ms
3.0
ms
1.0
ms
3.0
ms
(T
C
= 125°C)
(T
C
= 125°C)
(T
C
= 125°C)
(T
C
= 125°C)
t
on
t
关闭
V
CE
（强啡肽坐）
f
T
C
ob
C
ib
12
50
920
1.75
4.4
0.5
1.0
1.85
6.0
0.5
1.0
—
75
1200
VDC
兆赫
pF
pF
V
BE （ SAT ）
V
CE （ SAT ）
V
CE （ SAT ）
h
FE
14
7.0
5.0
10
0.84
0.89
0.175
0.150
0.25
0.275
32
14
12
22
1.2
1.25
0.25
0.4
34
VDC
VDC
VDC
V
CEO （ SUS ）
I
首席执行官
I
CES
I
EBO
400
100
10
100
100
VDC
MADC
MADC
MADC
符号
民
典型值
最大
单位
动态饱和电压：
1.0确定
ms
和3.0
ms
分别后，我不断上升
B1
达到90％的最终余
B1
（参见图18）
开关特性：阻性负载
开启时间
关断时间
(I
C
= 2.0 ADC ，我
B1
= I
B2
= 0.4 ADC
脉冲宽度= 20
女士，
(T
C
= 125°C)
占空比< 20 ％V
CC
= 300 V
(T
C
= 125°C)
75
120
2.8
3.5
110
3.5
ns
ms
开关特性：感性负载
(V
CC
= 15 VDC ，L
C
= 200
mH的，
V
钳
= 300伏）
下降时间
贮存时间
(T
C
= 125°C)
交叉时间
(T
C
= 125°C)
下降时间
贮存时间
(T
C
= 125°C)
交叉时间
(T
C
= 125°C)
下降时间
贮存时间
交叉时间
(I
C
= 2.0 ADC ，我
B1
= 250 MADC
(T
C
= 125°C)
I
B2
= 2.0 ADC）
(T
C
= 125°C)
(T
C
= 125°C)
t
fi
t
si
t
c
t
c
(I
C
= 1.0 ADC ，我
B1
= 100 MADC
I
B2
= 0.5 ADC）
(T
C
= 125°C)
t
fi
t
si
t
c
(I
C
= 2.0 ADC ，我
B1
= 0.4 ADC
I
B2
= 0.4 ADC）
t
fi
(T
C
= 125°C)
t
si
70
2.6
200
4.2
230
400
110
100
1.1
1.5
170
170
80
0.6
175
170
3.8
350
150
1.7
250
120
0.9
300
ns
ms
ns
ns
ms
ns
ns
ms
ns
http://onsemi.com
2
BUL45
典型静态特性
100
T
J
= 25°C
的hFE ， DC电流增益
T
J
= 125°C
V
CE
= 1 V
的hFE ， DC电流增益
T
J
= 125°C
100
T
J
= 25°C
V
CE
= 5 V
T
J
= 20°C
10
T
J
= 20°C
10
1
0.01
0.10
1.00
10.00
1
0.01
0.10
1.00
10.00
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
图1.直流电流增益@ 1伏特
2.0
T
J
= 25°C
VCE电压（伏）
1.5
VCE电压（伏）
10
图2.直流电流增益@ 5伏
1.0
1.0
1 A 1.5 2A
A
3A
4A 5A
6A
0.1
I
C
/I
B
= 10
I
C
/I
B
= 5
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
0.10
1.00
10.00
0.5
I
C
= 0.5 A
0
0.01
0.10
1.00
10.00
0.01
0.01
I
B
，基极电流（ AMPS ）
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
图3.集电极 - 发射极饱和区
图4.集电极 - 发射极饱和电压
1.1
1.0
VBE ，电压（V ）
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.01
0.10
1.00
T
J
= 25°C
10000
C
ib
T
J
= 25°C
F = 1 MHz的
C，电容（pF ）
1000
100
C
ob
T
J
= 125°C
10
I
C
/I
B
= 10
I
C
/I
B
= 5
10.00
1
1
10
100
1000
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
图5.基射极饱和区
图6.电容
http://onsemi.com
3
BUL45
典型的开关特性
(I
B2
= I
C
/ 2的所有开关）
1200
1000
800
T， TIME （ NS ）
600
400
200
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
I
C
/I
B
= 10
I
B（关闭）
= I
C
/2
V
CC
= 300 V
PW = 20
ms
3000
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
2500
2000
I
C
/I
B
= 10
1500
1000
500
0
I
C
/I
B
= 5
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
I
B（关闭）
= I
C
/2
V
CC
= 300 V
PW = 20
ms
T， TIME （ NS ）
I
C
/I
B
= 5
0
1
2
3
4
5
6
7
8
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
图7.电阻开关，T
on
图8.电阻开关，T
关闭
3500
3000
2500
T， TIME （ NS ）
2000
1500
1000
500
0
0
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
1
2
I
C
/I
B
= 5
V
Z
= 300 V
V
CC
= 15 V
I
B（关闭）
= I
C
/2
L
C
= 200
mH
3500
3000
吨SI ，存储时间（纳秒）
2500
2000
1500
1000
I
C
/I
B
= 10
3
4
5
500
I
C
= 2 A
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
I
B（关闭）
= I
C
/2
L
C
= 200
mH
V
Z
= 300 V
V
CC
= 15 V
I
C
= 1 A
13
14
15
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
h
FE
，强制GAIN
图9.电感储存时间，t
si
图10.电感的存储时间，t
si
(h
FE
)
300
250
200
T， TIME （ NS ）
T， TIME （ NS ）
150
100
50
0
V
CC
= 15 V
I
B（关闭）
= I
C
/2
L
C
= 200
mH
V
Z
= 300 V
0
1
2
t
c
200
t
c
150
100
50
t
fi
3
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
4
5
I
B（关闭）
= I
C
/2
V
CC
= 15 V
V
Z
= 300 V
L
C
= 200
mH
0
1
2
t
fi
0
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
3
4
5
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
图11.感应开关，T
c
＆放大器;牛逼
fi
, I
C
/I
B
= 5
图12.感应开关，T
c
＆放大器;牛逼
fi
, I
C
/I
B
= 10
http://onsemi.com
4
BUL45
典型的开关特性
(I
B2
= I
C
/ 2的所有开关）
150
140
130
科幻吨，下降时间（ NS ）
120
110
100
90
80
70
3
4
I
C
= 2 A
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
I
C
= 1 A
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
I
B（关闭）
= I
C
/2
V
CC
= 15 V
V
Z
= 300 V
L
C
= 200
mH
300
V
CC
= 15 V
V
Z
= 300 V
I
B（关闭）
= I
C
/2
L
C
= 200
mH
T C ，交叉时间（纳秒）
250
I
C
= 1 A
200
150
100
50
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
3
4
5
6
7
8
I
C
= 2 A
9
10
11
12
13
14
15
h
FE
，强制GAIN
h
FE
，强制GAIN
图13.电感下降时间，t
fi
(h
FE
)
图14.交叉时间
保证安全工作区信息
100
I C ，集电极电流（ AMPS ）
I C ，集电极电流（ AMPS ）
DC （ BUL45 ）
10
5毫秒
1毫秒
50
ms
10
ms
1
ms
6
5
4
3
2
1
0
300
V
BE （OFF）的
= 0 V
1.5 V
800
5 V
T
C
≤
125°C
I
C
/I
B
≥
4
L
C
= 500
mH
1.0
EXTENDED
SOA
0.1
0.01
10
100
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
1000
400
700
500
600
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
图15.正向偏置安全工作区
图16.反向偏置开关安全工作区
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管：平均结温及第二击穿。
安全工作区曲线表明我
C
V
CE
该晶体管的极限
必须进行可靠操作观察;即，晶体管
不能经受比曲线更大的耗散
表示。图15的数据是基于T
C
= 25°C ;吨
J（下PK）
is
变量取决于功率电平。其次，脉细数
限制是有效的占空比为10 ％，但必须降低时，
T
C
≥
25 ℃。二次击穿限制不降额同
热限制。在示出的电压的容许电流
图15可在任何情况下温度下通过使用被发现
上图17.牛逼相应曲线
J（下PK）
可以从所计算的
在图20的数据在任何情况下的温度，热限制
将减少可处理到的值小于所述的功率
通过限制二次击穿的罚款。对于感性负载，
高电压和电流必须同时在持续
关断与基极 - 发射极结反向偏置。该
安全级被指定为一个反向偏置安全工作区
（图16） 。该评级钳制条件下，使验证
该设备从未经受雪崩模式。
1.0
功率降额因子
0.8
第二击穿
降额
0.6
0.4
热降额
0.2
0
20
40
60
80
100
120
140
160
T
C
，外壳温度（ ° C）
图17.正向偏压功率降额
http://onsemi.com
5
查看更多BUL45_06PDF信息
推荐型号
BU61582F1-140
B3330G
BD4719
B59101R0220A010
BQ-N301RD
B37872R0101M021
BD87A28FVM-TR
BTA26-600A
BTA26600A
B43540B9227M082
BB25AH-HA
B3J-7300
B32912B3224M289
B32676G4206K000
B32562J6223J
BZX55T3V9A
B614SE-2
BZT52C39V
B43252F2337M000
BZT52C39-V
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    BUL45_06
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
查询更多BUL45_06供应信息
深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功！