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BUL312FP

高压快速切换

NPN功率晶体管

s

s

s

s

s

s

s

高电压能力

动态参数的低SPREAD

最小LOT - TO- lot传播的

可靠运行

非常高开关速度

充分的特点，在125

o

C

大RBSOA

全绝缘包装（ U.L.

标准），易于安装

1

2

3

应用

s

水平偏转电视

s

SMPS

s

用于电子镇流器

荧光灯照明

描述

该BUL312FP采用高制造

电压多外延平面技术高

开关速度和高电压能力。它

采用了蜂窝发射极结构与平面的边缘

终端，以提高开关速度，同时

维持一个广泛RBSOA 。

TO-220FP

内部原理图

绝对最大额定值

符号

V

CES

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

I

BM

P

合计

V

ISOL

T

英镑

T

j

参数

集电极 - 发射极电压（V

BE

= 0)

集电极 - 发射极电压（I

B

= 0)

发射极 - 基极电压（I

C

= 0)

集电极电流

集电极电流峰值（T

p

<5毫秒）

基极电流

基峰电流（T

p

<5毫秒）

总功耗在Tc = 25℃

绝缘从所有的耐压（ RMS）

三个导致外部散热器

储存温度

马克斯。工作结温

o

价值

1150

500

9

5

10

3

4

36

1500

-65到150

150

单位

V

V

V

A

A

A

A

W

V

o

o

C

C

2004年3月

1/6

BUL312FP

热数据

R

THJ情况

R

THJ - AMB

热阻结案件

热阻结到环境

最大

最大

3.5

62.5

o

o

C / W

C / W

电气特性

(T

例

= 25

o

C除非另有说明）

符号

I

CES

I

首席执行官

参数

集电极截止

电流（V

BE

= 0)

集电极截止

电流（I

B

= 0)

测试条件

V

CE

= 1150 V

V

CE

= 1150 V

V

CE

= 500 V

I

C

= 100毫安

L = 25毫亨

500

T

j

= 125

o

C

分钟。

典型值。

马克斯。

1

2

250

单位

mA

mA

A

V

V

CEO （ SUS ）

集电极 - 发射极

维持电压

(I

B

= 0)

V

EBO

V

CE （ SAT ）

发射极 - 基极电压

(I

C

= 0)

集电极 - 发射极

饱和电压

基射

饱和电压

直流电流增益

感性负载

贮存时间

下降时间

感性负载

贮存时间

下降时间

I

E

= 10毫安

I

C

= 1 A

I

C

= 2 A

I

C

= 3 A

I

C

= 1 A

I

C

= 2 A

I

C

= 3 A

I

C

= 10毫安

I

C

= 3 A

I

B

= 0.2 A

I

B

= 0.4 A

I

B

= 0.6 A

I

B

= 0.2 A

I

B

= 0.4 A

I

B

= 0.6 A

V

CE

= 5 V

V

CE

= 2.5 V

I

B1

= 0.4 A

R

BB

= 0

L = 200

H

I

B1

= 0.4 A

R

BB

= 0

L = 200

H

（参见图1）

10

0.5

0.7

1.1

1

1.1

1.2

8

8

1.2

80

13.5

1.9

160

V

V

V

V

V

V

V

V

BE （ SAT ）

h

FE

t

s

t

f

I

C

= 2 A

V

BE （OFF）的

= -5 V

V

CL

= 250 V

（参见图1）

I

C

= 2 A

V

BE （OFF）的

= -5V

V

CL

= 250 V

T

j

= 125

o

C

s

ns

t

s

t

f

1.8

150

s

ns

脉冲：脉冲宽度= 300

s,

占空比1.5 ％

安全工作区

降额曲线

2/6

BUL312FP

直流电流增益

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

基极发射极饱和电压

电感的下降时间

电感式贮存时间

3/6

BUL312FP

反向偏置SOA

图1：

感性负载切换测试

电路

（ 1 ）快速的电子开关

（2）无感电阻器

（ 3 ）快恢复整流

4/6

BUL312FP

TO- 220FP机械数据

DIM 。

分钟。

A

B

D

E

F

F1

F2

G

G1

H

L2

L3

L4

L6

L7

28.6

9.8

15.9

9

3

4.4

2.5

2.5

0.45

0.75

1.15

1.15

4.95

2.4

10

16

30.6

10.6

16.4

9.3

3.2

1.126

0.385

0.626

0.354

0.118

mm

典型值。

马克斯。

4.6

2.7

2.75

0.7

1

1.7

1.7

5.2

2.7

10.4

分钟。

0.173

0.098

0.098

0.017

0.030

0.045

0.045

0.195

0.094

0.393

0.630

1.204

0.417

0.645

0.366

0.126

寸

典型值。

马克斯。

0.181

0.106

0.108

0.027

0.039

0.067

0.067

0.204

0.106

0.409

A

B

L3

L6

L7

F1

D

H

F

G1

E

F2

1 2 3

L2

L4

G

5/6

INCHANGE半导体

ISC

产品speci fi cation

ISC

硅NPN功率晶体管

BUL312FP

描述

·集电极 - 发射极

维持电压

: V

CEO （ SUS ）

= 500V （最小）。

ULOW

集电极饱和电压

: V

CE（

SAT

)

= 0.5V （最大值） @我

C

= 1A

Very

高开关速度

应用

·设计

在照明应用，成本低使用

开关模式电源。

绝对最大额定值（T

a

=25

℃)

符号

V

CES

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

B

参数

集电极 - 发射极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流连续

集电极电流峰值吨

p

<5ms

基极电流连续

w

.CN

i

em

cs

。是

w

w

价值

1150

500

9

单位

V

V

V

5

A

10

3

A

A

4

36

150

-65~150

A

W

℃

℃

I

BM

P

C

T

i

T

英镑

基极电流峰值吨

p

<5ms

集电极耗散功率

T

C

=25℃

结温

存储温度范围

热特性

符号

R

第j个-C

R

日J-一

参数

热阻，结到外壳

热阻，结到环境

最大

3.5

62.5

单位

℃/W

℃/W

ISC的网站： www.iscsemi.cn

INCHANGE半导体

ISC

产品speci fi cation

ISC

硅NPN功率晶体管

电气特性

T

C

= 25 ℃除非另有规定

符号

V

CEO （ SUS ）

V

（ BR ） EBO

V

CE

(sat)-1

V

CE

(sat)-2

V

CE

(sat)-3

V

BE

(sat)-1

V

BE

(sat)-2

V

BE

(sat)-3

I

CES

I

首席执行官

h

FE-1

h

FE-2

参数

集电极 - 发射极电压维持

发射极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极饱和电压

集电极 - 发射极饱和电压

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

基射极饱和电压

基射极饱和电压

收藏家Cuto FF电流

收藏家Cuto FF电流

直流电流增益

直流电流增益

条件

I

C

= 100毫安; L = 25mH

I

E

= 10毫安;我

C

= 0

I

C

= 1A ;我

B

= 0.2A

B

BUL312FP

民

500

9

典型值。

最大

单位

V

V

0.5

0.7

1.1

1.0

V

V

V

V

V

V

mA

mA

I

C

= 2A ;我

B

= 0.4A

B

I

C

= 3A ;我

B

= 0.6A

B

I

C

= 1A ;我

B

= 0.2A

B

I

C

= 2A ;我

B

= 0.4A

B

开关时间，感性负载

t

s

t

f

贮存时间

下降时间

1.9

0.16

μs

μs

w

se

sc

.i

w

w

I

C

= 3A ;我

B

= 0.6A

B

V

CE

=1150V

;

V

BE

= 0

V

CE

=1150V

;

V

BE

= 0, T

C

= 125℃

V

CE

= 500V ;我

B

= 0

.CN

i

m

8

10

1.1

1.2

1.0

2.0

0.25

I

C

= 10毫安; V

CE

= 5V

I

C

= 3A ; V

CE

= 2.5V

I

C

= 2A ; V

CL

= 250V ; L = 200μH ;

I

B1

= 0.4A ; V

BE （OFF）的

= -5V ;

BB

= 0Ω

ISC的网站： www.iscsemi.cn

INCHANGE半导体

ISC

产品speci fi cation

ISC

硅NPN功率晶体管

BUL312FP

描述

·集电极 - 发射极

维持电压

: V

CEO （ SUS ）

= 500V （最小）。

ULOW

集电极饱和电压

: V

CE（

SAT

)

= 0.5V （最大值） @我

C

= 1A

Very

高开关速度

应用

·设计

在照明应用，成本低使用

开关模式电源。

绝对最大额定值（T

a

=25

℃)

符号

V

CES

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

B

参数

集电极 - 发射极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流连续

集电极电流峰值吨

p

<5ms

基极电流连续

基极电流峰值吨

p

<5ms

集电极耗散功率

T

C

=25℃

结温

存储温度范围

价值

1150

500

9

5

10

3

4

36

150

-65~150

单位

V

V

V

A

A

A

A

W

℃

℃

I

BM

P

C

T

i

T

英镑

热特性

符号

R

第j个-C

R

日J-一

参数

热阻，结到外壳

热阻，结到环境

最大

3.5

62.5

单位

℃/W

℃/W

ISC的网站： www.iscsemi.cn

INCHANGE半导体

ISC

产品speci fi cation

ISC

硅NPN功率晶体管

电气特性

T

C

= 25 ℃除非另有规定

符号

V

CEO （ SUS ）

V

（ BR ） EBO

V

CE

(sat)-1

V

CE

(sat)-2

V

CE

(sat)-3

V

BE

(sat)-1

V

BE

(sat)-2

V

BE

(sat)-3

I

CES

I

首席执行官

h

FE-1

h

FE-2

参数

集电极 - 发射极电压维持

发射极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极饱和电压

集电极 - 发射极饱和电压

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

基射极饱和电压

基射极饱和电压

收藏家Cuto FF电流

收藏家Cuto FF电流

直流电流增益

直流电流增益

条件

I

C

= 100毫安; L = 25mH

I

E

= 10毫安;我

C

= 0

I

C

= 1A ;我

B

= 0.2A

B

BUL312FP

民

500

9

典型值。

最大

单位

V

V

0.5

0.7

1.1

1.0

1.1

1.2

1.0

2.0

0.25

8

10

V

V

V

V

V

V

mA

mA

I

C

= 2A ;我

B

= 0.4A

B

I

C

= 3A ;我

B

= 0.6A

B

I

C

= 1A ;我

B

= 0.2A

B

I

C

= 2A ;我

B

= 0.4A

B

I

C

= 3A ;我

B

= 0.6A

B

V

CE

=1150V

;

V

BE

= 0

V

CE

=1150V

;

V

BE

= 0, T

C

= 125℃

V

CE

= 500V ;我

B

= 0

I

C

= 10毫安; V

CE

= 5V

I

C

= 3A ; V

CE

= 2.5V

开关时间，感性负载

t

s

t

f

贮存时间

下降时间

1.9

0.16

μs

μs

I

C

= 2A ; V

CL

= 250V ; L = 200μH ;

I

B1

= 0.4A ; V

BE （OFF）的

= -5V ;

BB

= 0Ω

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BUL312FP

-

-

-

-

终端采购配单精选

柒号芯城电子商务（深圳）有限公司

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BUL312FP

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-

-

-

终端采购配单精选

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深圳市欧立现代科技有限公司

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BUL312FP

STMicroelect

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4000

原厂封装

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电话：0755-83223003

联系人：朱

地址：福田区红荔路上步工业区201栋西座316

BUL312FP

ST/意法

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9634

TO-220F

全新原装现货，原厂代理。

深圳市华斯顿电子科技有限公司

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电话：0755-83777708/83777607/82799993

联系人：朱咸华

地址：美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜

BUL312FP

STS

25+23+

15500

绝对原装正品现货/优势渠道商、原盘原包原盒!

深圳诚思涵科技有限公司

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联系人：朱先生

地址：广东省深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室

BUL312FP

ST

24+

9850

TO-220F

官方授权代理商入驻

深圳市金鑫弈科技有限公司

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电话：755-83349415/83229300

联系人：侯先生

地址：深圳市福田区华强北赛格科技园2栋中809室.

BUL312FP

STM

13+

1167

标准封装

全新原装热卖

深圳市金鑫弈科技有限公司

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联系人：侯先生

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BUL312FP

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7,250

标准封装

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联系人：何小姐

地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

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STS

22+

32570

全新原装正品/质量有保证

北京首天伟业科技有限公司

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电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791

联系人：刘经理

地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008

BUL312FP

ST

20+

34500

TO-220F

全新原装正品/质量有保证

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BUL312FP

ST

2116+

44500

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