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BUK9Y40-55B
N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
牧师03 - 2008年2月22日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
逻辑电平N沟道增强型场效应晶体管( FET)在一个塑料
封装采用恩智浦高性能汽车( HPA)的TrenchMOS技术。这
产品的设计,并有资格用在适当的AEC标准
汽车关键应用。
1.2产品特点
175
°C
评级
Q101标准
兼容逻辑电平
极低的通态电阻
1.3应用
12 V及24 V负载
通用开关电源
汽车系统
电机,灯具和螺线管
1.4快速参考数据
表1中。
I
D
P
合计
R
DSON
快速参考
条件
V
GS
= 5 V ;牛逼
mb
= 25
°C;
SEE
图1
4
T
mb
= 25
°C;
SEE
图2
V
GS
= 5 V ;我
D
= 15 A;
T
j
= 25
°C;
SEE
图12
13
-
-
-
典型值
-
-
34
最大
26
59
40
单位
A
W
漏电流
总功耗
漏极 - 源极导通状态
阻力
符号参数
静态特性
雪崩耐用性
E
DS ( AL )S
不重复
I
D
= 26 A; V
SUP
55 V;
漏源雪崩
GS
= 50
Ω;
V
GS
= 5 V;
能源
T
J(下INIT )
= 25
°C;
松开
-
-
36
mJ
恩智浦半导体
BUK9Y40-55B
N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
2.管脚信息
表2中。
1
2
3
4
mb
钉扎
符号
S
S
S
G
D
描述
来源
来源
来源
安装底座;
地连接到漏
mbb076
简化的轮廓
mb
图形符号
D
G
S
1 2 3 4
SOT669 ( LFPAK )
3.订购信息
表3中。
订购信息
名字
BUK9Y40-55B
LFPAK
描述
塑料单端表面安装封装( LFPAK ) ; 4引线
VERSION
SOT669
类型编号
4.极限值
表4 。
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
符号参数
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
I
D
= 26 A; V
SUP
55 V ;
GS
= 50
Ω;
V
GS
= 5 V;
T
J(下INIT )
= 25
°C;
松开
SEE
科幻gure 3
[1][2]
[3]
条件
T
j
25
°C;
T
j
175
°C
R
GS
= 20 kΩ
T
mb
= 100
°C;
V
GS
= 5 V ;看
图1
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 5 V ;看
图1
4
T
mb
= 25
°C;
t
p
10
μs;
脉冲;看
图4
T
mb
= 25
°C;
SEE
图2
-
-
-15
-
-
-
-
-55
-55
-
最大
55
55
15
18
26
106
59
175
175
36
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
mJ
雪崩耐用性
E
DS ( AL )S
不重复
漏源雪崩
能源
E
DS ( AL )R
重复的漏 - 源
雪崩能量
源极 - 漏极二极管
I
S
I
SM
[1]
[2]
[3]
-
-
J
源出电流
峰源电流
T
mb
= 25
°C
t
p
10
μs;
脉冲;吨
mb
= 25
°C
-
-
26
106
A
A
单脉冲雪崩额定值的限制由175最高结温
°C.
重复雪崩额定值的限制由170平均结温
°C.
请参考应用笔记AN10273了解更多信息。
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BUK9Y40-55B_3
产品数据表
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2 12
恩智浦半导体
BUK9Y40-55B
N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
30
I
D
(A)
20
03nn93
120
P
DER
(%)
80
03na19
10
40
0
0
50
100
150
T
mb
(°C)
200
0
0
50
100
150
T
mb
(°C)
P
合计
P
合计
(25°C )
200
V
GS
5V
P
DER
=
× 100 %
图1.连续漏电流的一个函数
安装基座的温度
10
2
I
AV
(A)
如图2归一化的总功耗为
的安装基座温度功能
03np80
(1)
10
(2)
1
(3)
10
1
10
2
10
3
10
2
10
1
1
t
AV
(女士)
10
( 1 )单脉冲;吨
j
= 25
°C.
( 2 )单脉冲;吨
j
= 150
°C.
( 3 )重复。
图3.单次和重复雪崩额定值。雪崩电流雪崩周期的函数
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恩智浦半导体
BUK9Y40-55B
N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
10
3
I
D
(A)
10
2
03nn94
性限R
DSON
= V
DS
/ I
D
t
p
= 10
μs
10
100
μs
1
DC
10
-1
1
10
V
DS
(V)
1毫秒
10毫秒
100毫秒
10
2
T
mb
= 25
° ℃;我
DM
是单脉冲
图4.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏源电压的函数
5.热特性
表5 。
符号
R
日( J- MB )
热特性
参数
热阻
从结点到
安装底座
条件
SEE
图5
-
典型值
-
最大
2.5
单位
K / W
10
Z
日( J- MB )
(K / W)
δ
= 0.5
0.2
0.1
10
-1
0.05
0.02
单发
10
-2
10
-6
t
p
T
P
03nn95
1
δ
=
t
p
T
t
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
t
p
(s)
1
图5.瞬态结热阻抗到环境作为脉冲持续时间的函数
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恩智浦半导体
BUK9Y40-55B
N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
6.特性
表6 。
符号
V
( BR ) DSS
特征
参数
漏源
击穿电压
条件
I
D
= 0.25毫安; V
GS
= 0 V;
T
j
= 25
°C
I
D
= 0.25毫安; V
GS
= 0 V;
T
j
= -55
°C
V
GS ( TH)
栅源阈值I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
;
电压
T
j
= 175
°C;
SEE
图11
I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
; T
j
= 25
°C;
SEE
图11
I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
;
T
j
= -55
°C;
SEE
图11
I
DSS
漏极漏电流
V
DS
= 55 V; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 25
°C
V
DS
= 55 V; V
GS
= 0 V;
T
j
= 175
°C
I
GSS
栅极漏电流
V
DS
= 0 V; V
GS
= 15 V ;牛逼
j
= 25
°C
V
DS
= 0 V; V
GS
= -15 V;
T
j
= 25
°C
R
DSON
漏极 - 源极导通状态
阻力
V
GS
= 5 V ;我
D
= 15 A;牛逼
j
= 175
°C;
SEE
图12
13
V
GS
= 10 V ;我
D
= 15 A;牛逼
j
= 25
°C
V
GS
= 4.5 V ;我
D
= 15 A;牛逼
j
= 25
°C
V
GS
= 5 V ;我
D
= 15 A;牛逼
j
= 25
°C;
SEE
图12
13
源极 - 漏极二极管
V
SD
t
rr
Q
r
源 - 漏电压
I
S
= 20 A; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 25
°C;
SEE
图16
-
-
-
0.85
45
25
1.2
-
-
V
ns
nC
55
50
0.5
1.1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
1.5
-
0.02
-
2
2
-
32
-
34
最大
-
-
-
2
2.3
1
500
100
100
84
36
45
40
单位
V
V
V
V
V
μA
μA
nA
nA
静态特性
反向恢复时间我
S
= 20 A;的dI
S
/ DT = -100 A / μs的;
V
GS
= -10 V; V
DS
= 30 V;
恢复电荷
T
j
= 25
°C
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输
电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
V
GS
= 0 V; V
DS
= 25 V;
F = 1兆赫;牛逼
j
= 25
°C;
SEE
图15
I
D
= 15 A; V
DS
= 44 V; V
GS
= 5 V;
T
j
= 25
°C;
SEE
图14
动态特性
Q
G( TOT )
Q
GS
Q
GD
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
11
2
5
765
123
71
17
93
35
72
-
-
-
1020
148
97
-
-
-
-
nC
nC
nC
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
DS
= 30 V ;
L
= 2.2
Ω;
V
GS
= 5 V ;
G( EXT )
= 10
Ω;
T
j
= 25
°C
BUK9Y40-55B_3
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封装
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    BUK9Y40-55B
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880133232 复制 点击这里给我发消息 QQ:2880133232 复制 点击这里给我发消息 QQ:2880133232 复制

电话:0755-83202411
联系人:杨泽鹏
地址:深圳市福田区 汉国中心55楼
BUK9Y40-55B
NXP(恩智浦)
22+
32940
原装原厂公司现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881936556 复制 点击这里给我发消息 QQ:1838629145 复制 点击这里给我发消息 QQ:1366534167 复制

电话:0755-88917652分机801-83200050
联系人:柯
地址:深圳市福田区华强北振兴华101号华匀大厦二栋五楼516室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票!!
BUK9Y40-55B
NEXPERIA/安世
21+
9800
SOT-669
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2276945435 复制 点击这里给我发消息 QQ:2801615837 复制

电话:0755-82522939
联系人:彭小姐
地址:广东省深圳市福田区福华路嘉汇新汇商中心1020
BUK9Y40-55B
NXP
27000
22+
原包装原标现货,假一罚十,
0.1
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885348317 复制 点击这里给我发消息 QQ:2885348339 复制

电话:0755-83209630 82519391
联系人:许小姐
地址:深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
BUK9Y40-55B
MURATA/村田
24+
18650
SMD
原装新到货,公司现货
QQ:
电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
BUK9Y40-55B
NEXPERIA
2137+
30000
SOT-669
只做原装实单申请
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3449124707 复制 点击这里给我发消息 QQ:3441530696 复制 点击这里给我发消息 QQ:2480898381 复制

电话:0755-23140719/23915992
联系人:李先生 李小姐
地址:深圳市福田区振华路中航苑鼎城大夏1607室
BUK9Y40-55B
NXP
24+
68500
SOT-669
一级代理/放心采购
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1240061890 复制
电话:0755-82723916/82731800
联系人:朱小姐
地址:深圳市福田区华发北路华发大厦517A-C
BUK9Y40-55B
TI
24+
12000
SOT669
只做原装正品
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
BUK9Y40-55B
NEXPERIA
21+
4583
SOT-669
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2938238007 复制 点击这里给我发消息 QQ:1840507767 复制

电话:0755-82578309/18898790342
联系人:李小姐
地址:深圳市福田区华强北海外装饰大厦B座7B33
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21+
1475
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只做原装正品,支持实单
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885393495 复制

电话:0755-82865294/82517859
联系人:吴小姐
地址:深圳市福田区深南中路电子科技大厦A座36楼C09室
BUK9Y40-55B
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