BUK9Y40-55B
N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
牧师03 - 2008年2月22日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
逻辑电平N沟道增强型场效应晶体管( FET)在一个塑料
封装采用恩智浦高性能汽车( HPA)的TrenchMOS技术。这
产品的设计,并有资格用在适当的AEC标准
汽车关键应用。
1.2产品特点
175
°C
评级
Q101标准
兼容逻辑电平
极低的通态电阻
1.3应用
12 V及24 V负载
通用开关电源
汽车系统
电机,灯具和螺线管
1.4快速参考数据
表1中。
I
D
P
合计
R
DSON
快速参考
条件
V
GS
= 5 V ;牛逼
mb
= 25
°C;
SEE
图1
和
4
T
mb
= 25
°C;
SEE
图2
V
GS
= 5 V ;我
D
= 15 A;
T
j
= 25
°C;
SEE
图12
和
13
民
-
-
-
典型值
-
-
34
最大
26
59
40
单位
A
W
mΩ
漏电流
总功耗
漏极 - 源极导通状态
阻力
符号参数
静态特性
雪崩耐用性
E
DS ( AL )S
不重复
I
D
= 26 A; V
SUP
≤
55 V;
漏源雪崩
GS
= 50
Ω;
V
GS
= 5 V;
能源
T
J(下INIT )
= 25
°C;
松开
-
-
36
mJ
恩智浦半导体
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N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
2.管脚信息
表2中。
针
1
2
3
4
mb
钉扎
符号
S
S
S
G
D
描述
来源
来源
来源
门
安装底座;
地连接到漏
mbb076
简化的轮廓
mb
图形符号
D
G
S
1 2 3 4
SOT669 ( LFPAK )
3.订购信息
表3中。
订购信息
包
名字
BUK9Y40-55B
LFPAK
描述
塑料单端表面安装封装( LFPAK ) ; 4引线
VERSION
SOT669
类型编号
4.极限值
表4 。
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
符号参数
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
I
D
= 26 A; V
SUP
≤
55 V ;
GS
= 50
Ω;
V
GS
= 5 V;
T
J(下INIT )
= 25
°C;
松开
SEE
科幻gure 3
[1][2]
[3]
条件
T
j
≥
25
°C;
T
j
≤
175
°C
R
GS
= 20 kΩ
T
mb
= 100
°C;
V
GS
= 5 V ;看
图1
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 5 V ;看
图1
和
4
T
mb
= 25
°C;
t
p
≤
10
μs;
脉冲;看
图4
T
mb
= 25
°C;
SEE
图2
民
-
-
-15
-
-
-
-
-55
-55
-
最大
55
55
15
18
26
106
59
175
175
36
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
mJ
雪崩耐用性
E
DS ( AL )S
不重复
漏源雪崩
能源
E
DS ( AL )R
重复的漏 - 源
雪崩能量
源极 - 漏极二极管
I
S
I
SM
[1]
[2]
[3]
-
-
J
源出电流
峰源电流
T
mb
= 25
°C
t
p
≤
10
μs;
脉冲;吨
mb
= 25
°C
-
-
26
106
A
A
单脉冲雪崩额定值的限制由175最高结温
°C.
重复雪崩额定值的限制由170平均结温
°C.
请参考应用笔记AN10273了解更多信息。
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30
I
D
(A)
20
03nn93
120
P
DER
(%)
80
03na19
10
40
0
0
50
100
150
T
mb
(°C)
200
0
0
50
100
150
T
mb
(°C)
P
合计
P
合计
(25°C )
200
V
GS
5V
P
DER
=
× 100 %
图1.连续漏电流的一个函数
安装基座的温度
10
2
I
AV
(A)
如图2归一化的总功耗为
的安装基座温度功能
03np80
(1)
10
(2)
1
(3)
10
1
10
2
10
3
10
2
10
1
1
t
AV
(女士)
10
( 1 )单脉冲;吨
j
= 25
°C.
( 2 )单脉冲;吨
j
= 150
°C.
( 3 )重复。
图3.单次和重复雪崩额定值。雪崩电流雪崩周期的函数
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10
3
I
D
(A)
10
2
03nn94
性限R
DSON
= V
DS
/ I
D
t
p
= 10
μs
10
100
μs
1
DC
10
-1
1
10
V
DS
(V)
1毫秒
10毫秒
100毫秒
10
2
T
mb
= 25
° ℃;我
DM
是单脉冲
图4.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏源电压的函数
5.热特性
表5 。
符号
R
日( J- MB )
热特性
参数
热阻
从结点到
安装底座
条件
SEE
图5
民
-
典型值
-
最大
2.5
单位
K / W
10
Z
日( J- MB )
(K / W)
δ
= 0.5
0.2
0.1
10
-1
0.05
0.02
单发
10
-2
10
-6
t
p
T
P
03nn95
1
δ
=
t
p
T
t
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
t
p
(s)
1
图5.瞬态结热阻抗到环境作为脉冲持续时间的函数
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