BUK9L06-55B
的TrenchMOS 逻辑电平FET
版本01 - 2002年8月13日
M3D794
产品数据
1.产品廓
1.1说明
N沟道增强型网络场效电源在一个塑料包装使用的晶体管
飞利浦高性能汽车的TrenchMOS 技术，具有极低
通态电阻。
产品可用性：
BUK9L06-55B在SOT78C （ TO- 220AB ） 。
1.2产品特点
s
的TrenchMOS 技术
s
175
°C
评级
s
Q101标准
s
兼容逻辑电平。
1.3应用
s
汽车系统
s
电机，灯具和螺线管
s
12 V及24 V负载
s
通用电源开关。
1.4快速参考数据
表1：
V
DS
I
D
P
合计
T
j
R
DSON
快速参考数据
条件
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 5 V
T
mb
= 25
°C
T
j
= 25
°C;
V
GS
= 5 V ;我
D
= 25 A
T
j
= 25
°C;
V
GS
= 4.5 V ;我
D
= 25 A
T
j
= 25
°C;
V
GS
= 10 V ;我
D
= 25 A
典型值
-
-
-
-
5.1
-
4.8
最大
55
139
234
175
6.0
6.4
5.4
单位
V
A
W
°C
漏极 - 源极电压（直流）
漏电流（ DC ）
总功耗
结温
漏源导通电阻
符号参数
m
m
m
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2.管脚信息
表2：
针
1
2
3
穿针 - SOT78C简化的外形和符号
描述
栅极（G ）
漏极（四）
源极（S ）
g
s
d
简化的轮廓
符号
MBB076
1 2 3
顶视图
MBL370
SOT78C （ TO- 220AB ）
3.极限值
表3 ：限制值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号参数
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
漏极 - 源极电压（直流）
漏极 - 栅极电压（直流）
栅极 - 源极电压（直流）
漏电流（ DC ）
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 5 V;
图2
和
3
T
mb
= 100
°C;
V
GS
= 5 V;
图2
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
DR
I
DRM
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
反向漏电流（DC）的
峰值反向漏电流
T
mb
= 25
°C
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s
非钳位感性负载;我
D
= 75 A;
V
DS
≤
55 V; V
GS
= 5 V ;
GS
= 50
;
起始物为
mb
= 25
°C
[1]
[2]
[1]
[2]
[2]
条件
R
GS
= 20 k
民
-
-
-
-
-
-
-
-
55
55
-
-
-
-
最大
55
55
±15
139
75
75
559
234
+175
+175
139
75
559
542
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
A
A
A
mJ
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s;
科幻gure 3
T
mb
= 25
°C;
图1
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
E
DS （ AL ）S
非重复性漏源雪崩
能源
[1]
[2]
电流是由功耗芯片等级的限制
连续电流通过包装有限
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120
PDER
(%)
80
03na19
150
ID
(A)
125
03nh85
100
75
40
50
上限为75 a由于包
25
0
0
50
100
150
200
TMB
(°C)
0
25
50
75
100
125
150
175
200
TMB （℃ ）
P
合计
P
DER
=
----------------------
×
100%
-
P
°
合计
(
25 C
)
V
GS
≥
4.5 V
看图1，归一化的总功耗为
功能安装基座的温度。
图2.连续漏电流的一个函数
安装基座的温度。
103
03nh83
TP = 10微秒
ID
(A)
限制导通电阻= VDS / ID
102
100 s
上限为75 a由于包
1毫秒
DC
10毫秒
100毫秒
10
1
10-1
1
10
VDS （ V）
102
T
mb
= 25
°C;
I
DM
单脉冲。
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏 - 源极电压的函数。
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4.热特性
表4：
R
日（ J- MB ）
R
号（j -a）的
热特性
条件
图4
民
-
典型值
-
最大
0.64
单位
K / W
从结点到安装热阻
BASE
从结点到环境的热阻
SOT78C
垂直静止空气中
-
60
-
K / W
符号参数
4.1瞬态热阻抗
1
第Z （ J- MB ）
（K / W）
δ
= 0.5
03nh84
10-1
0.2
0.1
0.05
0.02
10-2
P
δ
=
tp
T
单发
t
T
tp
10-3
10-6
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
TP （多个）
1
图4.瞬态从结的热阻抗，以安装基座的脉冲持续时间的函数。
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