BUK91/9907-55ATE
TrenchPLUS逻辑电平FET
牧师01 - 2002年2月7日
产品数据
1.描述
N沟道增强型网络场效电源在一个塑料包装使用的晶体管
的TrenchMOS 技术，具有极低的导通状态电阻和TrenchPLUS
二极管钳位，静电放电（ ESD）保护和温度
感应。
产品可用性：
BUK9107-55ATE在SOT426 （D
2
-Pak ）
BUK9907-55ATE在SOT263B 。
2.特点
s
s
s
s
典型导通电阻5.8毫欧
Q101标准
ESD保护
单片集成温度传感器，用于过载保护。
3.应用
s
汽车及电源开关：
x
12 V和24 V的高功率电机驱动器（例如电力辅助
转向（ EPAS ） ）
x
受保护的驱动器的灯。
4.管脚信息
表1：
针
1
2
3
4
5
mb
钢钉 - SOT426和SOT263B简化的外形和符号
简化的轮廓
mb
mb
描述
栅极（G ）
阳极（ A）
漏极（四）
阴极（ K）
源极（S ）
安装底座;
连接到漏极（D）
符号
d
a
g
1 2 3 4 5
MBL317
s
k
前视图
MBK127
1
5
SOT426
(D
2
-Pak ）
MBL263
SOT263B
飞利浦半导体
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TrenchPLUS逻辑电平FET
6.极限值
表3：
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
DS
V
DGS
V
GS
I
D
参数
漏极 - 源极电压（直流）
漏极 - 栅极电压（直流）
栅极 - 源极电压（直流）
漏电流（ DC ）
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 5 V;
图2
和
3
T
mb
= 100
°C;
V
GS
= 5 V;
图2
I
DM
P
合计
I
GS （ CL ）
漏极电流（峰值）
总功耗
栅极 - 源极钳位电流
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s;
科幻gure 3
T
mb
= 25
°C;
图1
连续
t
p
= 5毫秒;
δ
= 0.01
V
ISOL （ FET - TSD ）
FET温度检测二极管
隔离电压
T
英镑
T
j
I
DR
I
DRM
夹紧
E
DS （ CL ）S
非重复性的漏极 - 源极
钳位能源
非钳位感性负载;我
D
= 75 A;
V
DS
≤
55 V; V
GS
= 5 V ;
GS
= 50
;
起始物为
j
= 25
°C
人体模型; C = 100 pF的;
R = 1.5 kΩ的
-
500
mJ
储存温度
结温
反向漏电流（DC）的
脉冲反向漏电流
T
mb
= 25
°C
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s
[2]
[3]
[1]
[2]
[3]
[3]
条件
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
55
55
-
-
-
最大
55
55
±15
140
75
75
560
272
10
50
±100
+175
+175
140
75
560
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
mA
mA
V
°C
°C
A
A
A
源极 - 漏极二极管
静电放电
V
ESD
静电放电电压;
引脚1 ，3，5
[1]
[2]
[3]
-
6
kV
电压被钳位不限
电流是由功耗芯片等级的限制
连续电流通过封装的限制。
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120
PDER
(%)
80
03na19
150
ID
(A)
125
03ne74
100
75
40
上限为75 a由于包
50
25
0
0
50
100
150
200
TMB （ C）
0
25
50
75
100
125
150
175
200
TMB （℃ ）
P
合计
P
DER
=
----------------------
×
100%
-
P
°
合计
(
25 C
)
V
GS
≥
5 V
看图1，归一化的总功耗为
功能安装基座的温度。
图2.连续漏电流的一个函数
安装基座的温度。
103
ID
(A)
03nf55
导通电阻= VDS / ID
TP = 10我们
102
100美
上限为75 a由于包
1毫秒
DC
10
10毫秒
100毫秒
1
1
10
VDS （ V）
102
T
mb
= 25
°C;
I
DM
单脉冲。
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏 - 源极电压的函数。
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TrenchPLUS逻辑电平FET
7.热特性
表4：
符号
R
号（j -a）的
热特性
参数
热阻结到
环境
条件
垂直静止空气中; SOT263B
包
安装在印刷电路板;
最小的足迹; SOT426
包
R
日（ J- MB ）
热阻结到
安装底座
图4
民
-
-
典型值
-
-
最大
60
50
单位
K / W
K / W
-
-
0.55
K / W
7.1瞬态热阻抗
1
Z
日（ J- MB ）
（K / W）
03ne76
δ
= 0.5
10-1
0.2
0.1
0.05
P
10-2
0.02
δ
=
tp
T
单发
tp
T
t
10-3
10-6
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1
TP （多个）
10
图4.瞬态从结的热阻抗，以安装基座的脉冲持续时间的函数。
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N沟道TrenchPLUS逻辑电平FET
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产品数据表
1.产品廓
1.1概述
逻辑电平N沟道增强型场效应晶体管（ FET）在一个塑料
包装用的TrenchMOS技术。该设备包括TrenchPLUS二极管
静电放电（ ESD）保护和温度检测。本产品已
设计和合格的到合适的AEC标准适用于汽车应用的关键
应用程序。
1.2特点和优点
允许温度响应
由于综合监控
温度传感器
Q101标准
强大的静电引起
综合保护二极管
低导通损耗是由于低
导通状态电阻
1.3应用
12 V和24 V的高功率电机
驱动器
汽车和通用
电源开关
电子助力转向
（ EPAS ）
受保护的驱动器的灯
1.4快速参考数据
表1中。
V
DS
I
D
P
合计
T
j
R
DSON
快速参考
条件
T
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
175 °C
V
GS
= 5 V ;牛逼
mb
= 25°C ;看
图2
和
3
T
mb
= 25°C ;看
图1
民
-
[1]
-
-
-55
V
GS
= 4.5 V ;我
D
= 50 A;牛逼
j
= 25 °C
V
GS
= 10 V ;我
D
= 50 A;牛逼
j
= 25 °C
V
GS
= 5 V ;我
D
= 50 A;牛逼
j
= 25°C ;看
图7
和
8
S
F（ TSD ）
V
F（ TSD ）
温度检测二极管我
F
= 250 μA ;牛逼
j
> -55 ℃;牛逼
j
< 175℃
温度COEF网络cient
温度检测二极管我
F
= 250 μA ;牛逼
j
= 25 °C
正向电压
[1]
电流是由功耗芯片等级的限制。
符号参数
漏源电压
漏电流
总功耗
结温
漏极 - 源极导通状态
阻力
典型值
-
-
-
-
6
5.2
5.8
最大
55
140
272
175
7.7
6.2
7
单位
V
A
W
°C
m
m
m
静态特性
-
-
-
-1.4
648
-1.54 -1.68毫伏/ K
658
668
mV
恩智浦半导体
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N沟道TrenchPLUS逻辑电平FET
2.管脚信息
表2中。
针
1
2
3
4
5
mb
管脚信息
符号
G
A
D
K
S
D
描述
门
阳极
漏
阴极
来源
安装底座;连接
漏
S
K
mbl317
简化的轮廓
mb
图形符号
D
A
G
12 3 4 5
SOT263B
(TO-220)
3.订购信息
表3中。
订购信息
类型编号
包
名字
描述
VERSION
BUK9907-55ATE的TO-220
塑料单端封装;散热器安装; 1安装孔; 5导SOT263B
TO-220
BUK9907-55ATE_2
NXP B.V. 2009保留所有权利。
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恩智浦半导体
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N沟道TrenchPLUS逻辑电平FET
4.极限值
表4 。
符号
V
DS
V
GS
I
D
极限值
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
条件
T
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
175 °C
[1]
T
mb
= 25 ℃; V
GS
= 5 V ;看
图2 ;
SEE
图3 [2]
[3]
T
mb
= 100℃ ; V
GS
= 5 V ;看
图2
I
DM
P
合计
I
GS （ CL ）
峰值漏极电流
栅极 - 源极钳位
当前
T
mb
= 25°C ;吨
p
≤
10微秒;脉冲;看
科幻gure 3
连续
脉冲;吨
p
= 5毫秒;
δ
= 0.01
总功率耗散T
mb
= 25°C ;看
图1
[3]
民
-
-15
-
-
-
-
-
-
-
-100
最大
55
15
140
75
75
560
272
10
50
100
单位
V
V
A
A
A
A
W
mA
mA
V
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
V
ISOL （ FET - TSD ）
FET温度
检测二极管隔离
电压
T
英镑
T
j
V
DGS
I
S
I
SM
夹紧
E
DS （ CL ）S
不重复
I
D
= 75 A; V
DS
≤
55 V; V
GS
= 5 V ;
GS
= 50
;
漏源夹紧松开;牛逼
J（下INIT ）
= 25 °C
能源
静电
放电电压
[1]
[2]
[3]
储存温度
结温
漏极 - 栅极电压
源出电流
峰源电流
T
mb
= 25 °C
t
p
≤
10微秒;脉冲;牛逼
mb
= 25 °C
[2]
[3]
-55
-55
-
-
-
-
-
175
175
55
140
75
560
500
°C
°C
V
A
A
A
mJ
源极 - 漏极二极管
静电放电
V
ESD
HBM ; C = 100 pF的; R = 1.5 kΩ的;引脚1 ，3，5
-
6
kV
电压被钳位限制。
电流是由功耗芯片等级的限制。
连续电流通过封装的限制。
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