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飞利浦半导体
产品speci fi cation
的TrenchMOS 晶体管
逻辑电平FET
概述
N沟道增强模式的逻辑
在水平场效应功率晶体管
适用于表面的塑料封套
安装。该器件具有非常
低通态电阻，并具有
积分齐纳二极管提供ESD
保护。其目的是为在使用中
汽车和通用
开关应用。
BUK9880-55
快速参考数据
符号
V
DS
I
D
P
合计
T
j
R
DS （ ON）
参数
漏源电压
漏电流
总功耗
结温
漏极 - 源极导通状态
阻力
V
GS
= 5 V
马克斯。
55
7.5
1.8
150
80
单位
V
A
W
C
m
钉扎 - SOT223
针
1
2
3
4
门
漏
来源
漏极（选项卡）
描述
引脚配置
4
符号
d
g
s
1
2
3
极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值
符号
V
DS
V
DGR
±V
GS
I
D
I
D
I
D
I
DM
P
合计
P
合计
T
英镑
, T
j
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流（ DC ）
漏电流（ DC ）
漏电流（ DC ）
漏极电流（脉冲峰值）
总功耗
总功耗
存储&工作温度
条件
-
R
GS
= 20 k
-
T
sp
= 25 C
在PCB图2
T
AMB
= 25 C
在PCB图2
T
AMB
= 100 C
T
sp
= 25 C
T
sp
= 25 C
在PCB图2
T
AMB
= 25 C
-
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
- 55
马克斯。
55
55
10
7.5
3.5
2.2
40
8.3
1.8
150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
W
C
ESD限值
符号
V
C
参数
静电放电电容
电压
条件
人体模型
（ 100 pF的， 1.5千欧）
分钟。
-
马克斯。
2
单位
kV
1998年4月
1
启1.100
飞利浦半导体
产品speci fi cation
的TrenchMOS 晶体管
逻辑电平FET
热阻
符号
R
日J- SP
R
日J- AMB
参数
从结点到焊点
从结点到环境
条件
安装在任何PCB
安装在印刷电路板图18的
典型值。
12
-
BUK9880-55
马克斯。
15
70
单位
K / W
K / W
静态特性
T
j
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TO ）
I
DSS
I
GSS
±V
（ BR ） GSS
R
DS （ ON）
参数
漏源击穿
电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
条件
V
GS
= 0 V ;我
D
= 0.25毫安
T
j
= -55C
V
DS
= V
GS
; I
D
= 1毫安
T
j
= 150C
T
j
= -55C
V
DS
= 55 V; V
GS
= 0 V;
V
GS
=
±5
V
T
j
= 150C
T
j
= 150C
T
j
= 150C
分钟。
55
50
1.0
0.6
-
-
-
-
-
10
-
-
典型值。
-
-
1.5
-
-
0.05
-
0.02
-
-
65
-
马克斯。
-
-
2.0
-
2.3
10
100
1
5
-
80
148
单位
V
V
V
V
V
A
A
A
A
V
m
m
栅极 - 源极击穿电压I
G
=
±1
mA
漏极 - 源极导通状态
V
GS
= 5 V ;我
D
= 5 A
阻力
动态特性
T
mb
= 25 ° C除非另有说明
符号
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D ON
t
r
t
D OFF
t
f
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反馈电容
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
条件
V
DS
= 25 V ;我
D
= 5 A;牛逼
j
= 25C
V
GS
= 0 V; V
DS
= 25 V ; F = 1 MHz的
分钟。
4
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
8
500
110
60
10
30
30
30
马克斯。
-
650
135
85
15
50
45
40
单位
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
DD
= 30 V ;我
D
= 7 A;
V
GS
= 5 V ;
G
= 10
;
T
j
= 25C
反向二极管极限值和特性
T
j
= -55至175℃ ，除非另有说明
符号
I
DR
I
DRM
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
连续反向漏
当前
脉冲反向漏电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
条件
T
sp
= 25C
T
sp
= 25C
I
F
= 5 A; V
GS
= 0 V
I
F
= 5 A; -dI
F
/ DT = 100 A / μs的;
V
GS
= -10 V; V
R
= 30 V
分钟。
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
0.85
38
0.2
马克斯。
7.5
40
1.1
-
-
单位
A
A
V
ns
C
1998年4月
2
启1.100
飞利浦半导体
产品speci fi cation
的TrenchMOS 晶体管
逻辑电平FET
雪崩限值
符号
W
DSS
参数
漏源不重复
非钳位电感关断
能源
条件
I
D
= 2.5 A; V
DD
≤
25 V;
V
GS
= 5 V ;
GS
= 50
;
T
sp
= 25 C
分钟。
-
典型值。
-
BUK9880-55
马克斯。
30
单位
mJ
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
PD ％
归一化功率降额
100
ID / A
RDS （ ON）= VDS / ID
10
TP =
1美国
10us
100美
1毫秒
10ms
100ms
DC
1
0
20
40
60
80
100
TMB / C
120
140
0.1
1
10
VDS / V
100
图1 。归一化的功率耗散。
PD ％ = 100
P
D
/P
D 25 C
= F （T
sp
)
如图3所示。安全工作区。牛逼
sp
= 25 C
I
D
＆放大器;我
DM
= F（V
DS
); I
DM
单脉冲;参数t
p
第Z / （K / W）
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
ID％
归一化电流降额
100
10
0.5
0.2
1
0.1
0.05
0.02
P
D
t
p
D=
t
p
T
t
0.1
T
0
20
40
60
80
TMB / C
100
120
140
0.01
1.0E-06
0.0001
T / S
0.01
1
100
图2 。正常化的连续漏极电流。
ID％ = 100
I
D
/I
D 25 C
= F （T
sp
） ;条件： V
GS
≥
5 V
图4 。瞬态热阻抗。
Z
日J- SP
= F（T） ;参数D = T
p
/T
1998年4月
3
启1.100
飞利浦半导体
产品speci fi cation
的TrenchMOS 晶体管
逻辑电平FET
BUK9880-55
40
ID / A
30
VGS / V = 10
7
6
15
5.6
5.4
5.2
5.0
4.8
4.6
4.4
4.2
4.0
3.8
3.6
3.4
3.2
3.0
2.8
2.6
2.4
2
4
VDS / V
6
8
10
14
GFS / S
13
12
11
10
9
8
7
6
5
0
5
10
ID / A
15
20
20
10
0
0
图5 。典型的输出特性，T
j
= 25 C.
I
D
= F（V
DS
） ;参数V
GS
RDS （ ON） /毫欧
图8 。典型的跨导，T
j
= 25 C.
g
fs
= F（我
D
） ;条件： V
DS
= 25 V
115
110
105
100
95
90
85
2.5
a
BUK98XX-55
RDS（ON）标准化为25degC
4.2
4
4.4
4.6
4.8
5
2
1.5
1
80
75
70
5
10
15
20
25
0.5
-100
-50
0
ID / A
50
TMB /摄氏度
100
150
200
图6 。典型通态电阻，T
j
= 25 C.
R
DS （ ON）
= F（我
D
） ;参数V
GS
20
ID / A
15
图9 。正常化漏极 - 源极导通电阻。
一 - R的
DS （ ON）
/R
DS （ ON） 25 C
= F （T
j
); I
D
= 5 A; V
GS
= 5 V
VGS （ TO ） / V
马克斯。
2
典型值。
1.5
BUK98xx-55
2.5
10
分钟。
1
5
TJ / C =
0
0
1
150
2
25
3
4
5
0.5
0
-100
-50
0
VGS / V
50
TJ / C
100
150
200
图7 。典型的传输特性。
I
D
= F（V
GS
） ;条件： V
DS
= 25 V ;参数T
j
图10 。栅极阈值电压。
V
GS （ TO ）
= F （T
j
） ;条件：我
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
1998年4月
4
启1.100
飞利浦半导体
产品speci fi cation
的TrenchMOS 晶体管
逻辑电平FET
BUK9880-55
1E-01
亚阈值传导
40
IF / A
1E-02
2%
典型值
98%
30
TJ / V =
20
150
25
1E-03
1E-04
10
1E-05
1E-05
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
0.5
1
VSDS / V
1.5
2
图11 。亚阈值漏电流。
I
D
= F（V
GS ）
;条件：T已
j
= 25 ℃; V
DS
= V
GS
1
.9
.8
数千pF的
.7
.6
.5
.4
.3
.2
.1
0
0.01
0.1
1
VDS / V
10
科斯
CRSS
100
西塞
图14 。典型的反向二极管电流。
I
F
= F（V
SDS
） ;条件： V
GS
= 0 V ;参数T
j
WDSS ％
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
20
40
60
80
100
TMB / C
120
140
图12 。典型的电容，C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
.
C = F（V
DS
） ;条件： V
GS
= 0 V ; F = 1 MHz的
6
VDS / V
5
图15 。正常化雪崩能量等级。
W
DSS
（％）= F（T
sp
） ;条件：我
D
= 2.5 A
+
L
VDS = 14V
VDD
4
VDS = 44V
3
VDS
VGS
0
RGS
T.U.T.
R 01
分流
-
-ID/100
2
1
0
0
2
4
6
QG / NC
8
10
12
图13 。典型导通栅极电荷特性。
V
GS
= F （Q
G
） ;条件：我
D
= 7 A;参数V
DS
图16 。雪崩能量测试电路。
2
W
DSS
=
0.5
LI
D
BV
DSS
/ （ BV
DSS
V
DD
)
1998年4月
5
启1.100
飞利浦半导体
产品speci fi cation
的TrenchMOS 晶体管
逻辑电平FET
概述
N沟道增强模式的逻辑
在水平场效应功率晶体管
适用于表面的塑料封套
安装。该器件具有非常
低通态电阻，并具有
积分齐纳二极管提供ESD
保护。其目的是为在使用中
汽车和通用
开关应用。
BUK9880-55
快速参考数据
符号
V
DS
I
D
P
合计
T
j
R
DS （ ON）
参数
漏源电压
漏电流
总功耗
结温
漏极 - 源极导通状态
阻力
V
GS
= 5 V
马克斯。
55
7.5
1.8
150
80
单位
V
A
W
C
m
钉扎 - SOT223
针
1
2
3
4
门
漏
来源
漏极（选项卡）
描述
引脚配置
4
符号
d
g
s
1
2
3
极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值
符号
V
DS
V
DGR
±V
GS
I
D
I
D
I
D
I
DM
P
合计
P
合计
T
英镑
, T
j
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流（ DC ）
漏电流（ DC ）
漏电流（ DC ）
漏极电流（脉冲峰值）
总功耗
总功耗
存储&工作温度
条件
-
R
GS
= 20 k
-
T
sp
= 25 C
在PCB图2
T
AMB
= 25 C
在PCB图2
T
AMB
= 100 C
T
sp
= 25 C
T
sp
= 25 C
在PCB图2
T
AMB
= 25 C
-
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
- 55
马克斯。
55
55
10
7.5
3.5
2.2
40
8.3
1.8
150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
W
C
ESD限值
符号
V
C
参数
静电放电电容
电压
条件
人体模型
（ 100 pF的， 1.5千欧）
分钟。
-
马克斯。
2
单位
kV
1998年4月
1
启1.100
飞利浦半导体
产品speci fi cation
的TrenchMOS 晶体管
逻辑电平FET
热阻
符号
R
日J- SP
R
日J- AMB
参数
从结点到焊点
从结点到环境
条件
安装在任何PCB
安装在印刷电路板图18的
典型值。
12
-
BUK9880-55
马克斯。
15
70
单位
K / W
K / W
静态特性
T
j
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TO ）
I
DSS
I
GSS
±V
（ BR ） GSS
R
DS （ ON）
参数
漏源击穿
电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
条件
V
GS
= 0 V ;我
D
= 0.25毫安
T
j
= -55C
V
DS
= V
GS
; I
D
= 1毫安
T
j
= 150C
T
j
= -55C
V
DS
= 55 V; V
GS
= 0 V;
V
GS
=
±5
V
T
j
= 150C
T
j
= 150C
T
j
= 150C
分钟。
55
50
1.0
0.6
-
-
-
-
-
10
-
-
典型值。
-
-
1.5
-
-
0.05
-
0.02
-
-
65
-
马克斯。
-
-
2.0
-
2.3
10
100
1
5
-
80
148
单位
V
V
V
V
V
A
A
A
A
V
m
m
栅极 - 源极击穿电压I
G
=
±1
mA
漏极 - 源极导通状态
V
GS
= 5 V ;我
D
= 5 A
阻力
动态特性
T
mb
= 25 ° C除非另有说明
符号
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D ON
t
r
t
D OFF
t
f
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反馈电容
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
条件
V
DS
= 25 V ;我
D
= 5 A;牛逼
j
= 25C
V
GS
= 0 V; V
DS
= 25 V ; F = 1 MHz的
分钟。
4
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
8
500
110
60
10
30
30
30
马克斯。
-
650
135
85
15
50
45
40
单位
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
DD
= 30 V ;我
D
= 7 A;
V
GS
= 5 V ;
G
= 10
;
T
j
= 25C
反向二极管极限值和特性
T
j
= -55至175℃ ，除非另有说明
符号
I
DR
I
DRM
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
连续反向漏
当前
脉冲反向漏电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
条件
T
sp
= 25C
T
sp
= 25C
I
F
= 5 A; V
GS
= 0 V
I
F
= 5 A; -dI
F
/ DT = 100 A / μs的;
V
GS
= -10 V; V
R
= 30 V
分钟。
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
0.85
38
0.2
马克斯。
7.5
40
1.1
-
-
单位
A
A
V
ns
C
1998年4月
2
启1.100
飞利浦半导体
产品speci fi cation
的TrenchMOS 晶体管
逻辑电平FET
雪崩限值
符号
W
DSS
参数
漏源不重复
非钳位电感关断
能源
条件
I
D
= 2.5 A; V
DD
≤
25 V;
V
GS
= 5 V ;
GS
= 50
;
T
sp
= 25 C
分钟。
-
典型值。
-
BUK9880-55
马克斯。
30
单位
mJ
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
PD ％
归一化功率降额
100
ID / A
RDS （ ON）= VDS / ID
10
TP =
1美国
10us
100美
1毫秒
10ms
100ms
DC
1
0
20
40
60
80
100
TMB / C
120
140
0.1
1
10
VDS / V
100
图1 。归一化的功率耗散。
PD ％ = 100
P
D
/P
D 25 C
= F （T
sp
)
如图3所示。安全工作区。牛逼
sp
= 25 C
I
D
＆放大器;我
DM
= F（V
DS
); I
DM
单脉冲;参数t
p
第Z / （K / W）
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
ID％
归一化电流降额
100
10
0.5
0.2
1
0.1
0.05
0.02
P
D
t
p
D=
t
p
T
t
0.1
T
0
20
40
60
80
TMB / C
100
120
140
0.01
1.0E-06
0.0001
T / S
0.01
1
100
图2 。正常化的连续漏极电流。
ID％ = 100
I
D
/I
D 25 C
= F （T
sp
） ;条件： V
GS
≥
5 V
图4 。瞬态热阻抗。
Z
日J- SP
= F（T） ;参数D = T
p
/T
1998年4月
3
启1.100
飞利浦半导体
产品speci fi cation
的TrenchMOS 晶体管
逻辑电平FET
BUK9880-55
40
ID / A
30
VGS / V = 10
7
6
15
5.6
5.4
5.2
5.0
4.8
4.6
4.4
4.2
4.0
3.8
3.6
3.4
3.2
3.0
2.8
2.6
2.4
2
4
VDS / V
6
8
10
14
GFS / S
13
12
11
10
9
8
7
6
5
0
5
10
ID / A
15
20
20
10
0
0
图5 。典型的输出特性，T
j
= 25 C.
I
D
= F（V
DS
） ;参数V
GS
RDS （ ON） /毫欧
图8 。典型的跨导，T
j
= 25 C.
g
fs
= F（我
D
） ;条件： V
DS
= 25 V
115
110
105
100
95
90
85
2.5
a
BUK98XX-55
RDS（ON）标准化为25degC
4.2
4
4.4
4.6
4.8
5
2
1.5
1
80
75
70
5
10
15
20
25
0.5
-100
-50
0
ID / A
50
TMB /摄氏度
100
150
200
图6 。典型通态电阻，T
j
= 25 C.
R
DS （ ON）
= F（我
D
） ;参数V
GS
20
ID / A
15
图9 。正常化漏极 - 源极导通电阻。
一 - R的
DS （ ON）
/R
DS （ ON） 25 C
= F （T
j
); I
D
= 5 A; V
GS
= 5 V
VGS （ TO ） / V
马克斯。
2
典型值。
1.5
BUK98xx-55
2.5
10
分钟。
1
5
TJ / C =
0
0
1
150
2
25
3
4
5
0.5
0
-100
-50
0
VGS / V
50
TJ / C
100
150
200
图7 。典型的传输特性。
I
D
= F（V
GS
） ;条件： V
DS
= 25 V ;参数T
j
图10 。栅极阈值电压。
V
GS （ TO ）
= F （T
j
） ;条件：我
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
1998年4月
4
启1.100
飞利浦半导体
产品speci fi cation
的TrenchMOS 晶体管
逻辑电平FET
BUK9880-55
1E-01
亚阈值传导
40
IF / A
1E-02
2%
典型值
98%
30
TJ / V =
20
150
25
1E-03
1E-04
10
1E-05
1E-05
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
0.5
1
VSDS / V
1.5
2
图11 。亚阈值漏电流。
I
D
= F（V
GS ）
;条件：T已
j
= 25 ℃; V
DS
= V
GS
1
.9
.8
数千pF的
.7
.6
.5
.4
.3
.2
.1
0
0.01
0.1
1
VDS / V
10
科斯
CRSS
100
西塞
图14 。典型的反向二极管电流。
I
F
= F（V
SDS
） ;条件： V
GS
= 0 V ;参数T
j
WDSS ％
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
20
40
60
80
100
TMB / C
120
140
图12 。典型的电容，C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
.
C = F（V
DS
） ;条件： V
GS
= 0 V ; F = 1 MHz的
6
VDS / V
5
图15 。正常化雪崩能量等级。
W
DSS
（％）= F（T
sp
） ;条件：我
D
= 2.5 A
+
L
VDS = 14V
VDD
4
VDS = 44V
3
VDS
VGS
0
RGS
T.U.T.
R 01
分流
-
-ID/100
2
1
0
0
2
4
6
QG / NC
8
10
12
图13 。典型导通栅极电荷特性。
V
GS
= F （Q
G
） ;条件：我
D
= 7 A;参数V
DS
图16 。雪崩能量测试电路。
2
W
DSS
=
0.5
LI
D
BV
DSS
/ （ BV
DSS
V
DD
)
1998年4月
5
启1.100
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