BUK9735-55A
的TrenchMOS 逻辑电平FET
版本01 - 2001年2月15日
M3D308
产品speci fi cation
1.描述
N沟道增强型网络场效电源在一个塑料包装使用的晶体管
的TrenchMOS
1
技术，具有极低的导通电阻。
产品可用性：
BUK9735-55A在SOT186A （TO- 220F ） 。
2.特点
s
s
s
s
的TrenchMOS 技术
Q101标准
150
°C
评级
兼容逻辑电平。
3.应用
s
汽车和通用电源开关：
x
12 V及24 V负载
x
电机，灯具和螺线管。
c
c
4.管脚信息
表1：
针
1
2
3
mb
穿针 - SOT186A ，简化的外形和符号
描述
栅极（G ）
mb
简化的轮廓
符号
漏极（四）
源极（S ）
安装底座;
隔离
g
d
MBB076
s
1 2 3
MBK110
SOT186A （TO- 220F ）
1.
的TrenchMOS是皇家飞利浦电子公司的商标。
飞利浦半导体
BUK9735-55A
的TrenchMOS 逻辑电平FET
5.快速参考数据
表2：
V
DS
I
D
P
合计
T
j
R
DSON
快速参考数据
条件
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 5 V
T
mb
= 25
°C
T
j
= 25
°C;
V
GS
= 5 V ;我
D
= 20 A
T
j
= 25
°C;
V
GS
= 4.5 V ;我
D
= 20 A
典型值
29
最大
55
20
25
150
35
37
单位
V
A
W
°C
漏极 - 源极电压（直流）
漏电流（ DC ）
总功耗
结温
漏源导通电阻
符号参数
m
m
6.极限值
表3 ：限制值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号参数
V
DS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D
漏极 - 源极电压（直流）
漏极 - 栅极电压（直流）
栅极 - 源极电压（直流）
非重复性的栅极 - 源极电压
漏电流（ DC ）
t
p
≤
50
s
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 5 V;
图2
和
3
T
mb
= 100
°C;
V
GS
= 5 V;
图2
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
DR
I
DRM
W
DSS
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
工作结温
反向漏电流（DC）的
脉冲反向漏电流
非重复性雪崩能量
T
mb
= 25
°C
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s
非钳位感性负载;我
D
= 20 A;
V
DS
≤
55 V; V
GS
= 5 V ;
GS
= 50
;
起始物为
j
= 25
°C
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s;
科幻gure 3
T
mb
= 25
°C;
图1
[1]
条件
R
GS
= 20 k
民
55
55
最大
55
55
±10
±15
20
14
79
25
+150
+150
20
79
123
单位
V
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
mJ
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
[1]
I
DM
受芯片限制，不能打包。
9397 750 07999
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BUK9735-55A
的TrenchMOS 逻辑电平FET
120
PDER
(%)
100
03ne36
120
伊德尔
(%)
03ne37
100
80
80
60
60
40
40
20
20
0
0
25
50
75
100
125
150 175
o
TMB （ C）
0
0
25
50
75
100
125
150 175
o
TMB （ C）
P
合计
P
DER
=
----------------------
×
100%
P
°
合计
(
25 C
)
V
GS
≥
4.5 V
I
D
I
DER
=
------------------
×
100%
-
I
°
D
(
25 C
)
看图1，归一化的总功耗为
功能安装基座的温度。
102
ID
(A)
导通电阻= VDS / ID
图2.归连续漏极电流为
功能安装基座的温度。
03ne04
TP = 10我们
100美
1毫秒
特区
1
P
10
δ
=
tp
T
10毫秒
100毫秒
tp
T
t
10-1
1
10
VDS （ V）
102
T
AMB
= 25
°C;
I
DM
是单一脉冲。
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏 - 源极电压的函数。
9397 750 07999
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的TrenchMOS 逻辑电平FET
7.热特性
表4：
符号
R
号（j -a）的
R
日（ J- MB ）
热特性
参数
从结点到环境的热阻
条件
垂直静止空气中
价值
55
5
单位
K / W
K / W
从结点到安装热阻
图4
BASE
7.1瞬态热阻抗
10
第Z （ J- MB ）
（K / W）
δ
= 0.5
0.2
03ne05
1
0.1
0.05
10-1
0.02
P
δ
=
tp
T
tp
单发
t
T
10-2
10-6
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
TP （多个）
1
图4.瞬态从结的热阻抗，以安装基座的脉冲持续时间的函数。
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BUK9735-55A
N沟道的TrenchMOS 逻辑电平FET
M3D308
牧师02 - 2004年6月10日
产品数据
1.描述
N沟道增强型网络场效电源在一个塑料包装使用的晶体管
的TrenchMOS
1
技术，具有极低的导通电阻。
产品可用性：
BUK9735-55A在SOT186A （TO- 220F ） 。
2.特点
s
s
s
s
的TrenchMOS 技术
Q101标准
150
°C
评级
兼容逻辑电平。
3.应用
s
汽车和通用电源开关：
x
12 V及24 V负载
x
电机，灯具和螺线管。
4.管脚信息
表1：
针
1
2
3
mb
穿针 - SOT186A ，简化的外形和符号
描述
栅极（G ）
mb
简化的轮廓
符号
漏极（四）
源极（S ）
安装底座;
隔离
g
mbb076
d
s
1 2 3
MBK110
SOT186A （TO- 220F ）
1.
的TrenchMOS是皇家飞利浦电子股份有限公司的商标。
飞利浦半导体
BUK9735-55A
N沟道的TrenchMOS 逻辑电平FET
5.快速参考数据
表2：
V
DS
I
D
P
合计
T
j
R
DSON
快速参考数据
条件
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 5 V
T
mb
= 25
°C
T
j
= 25
°C;
V
GS
= 5 V ;我
D
= 20 A
T
j
= 25
°C;
V
GS
= 4.5 V ;我
D
= 20 A
典型值
-
-
-
-
29
-
最大
55
20
25
150
35
37
单位
V
A
W
°C
m
m
漏极 - 源极电压（直流）
漏电流（ DC ）
总功耗
结温
漏源导通电阻
符号参数
6.极限值
表3 ：限制值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号参数
V
DS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D
漏极 - 源极电压（直流）
漏极 - 栅极电压（直流）
栅极 - 源极电压（直流）
非重复性的栅极 - 源极电压
漏电流（ DC ）
t
p
≤
50
s
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 5 V;
图2
和
3
T
mb
= 100
°C;
V
GS
= 5 V;
图2
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
DR
I
DRM
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
工作结温
反向漏电流（DC）的
峰值反向漏电流
T
mb
= 25
°C
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s
非钳位感性负载;我
D
= 20 A;
V
DS
≤
55 V; V
GS
= 5 V ;
GS
= 50
;
起始物为
j
= 25
°C
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s;
科幻gure 3
T
mb
= 25
°C;
图1
[1]
条件
R
GS
= 20 k
民
-
-
-
-
-
-
-
-
55
55
-
-
-
最大
55
55
±10
±15
20
14
79
25
+150
+150
20
79
123
单位
V
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
mJ
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
E
DS （ AL ）S
非重复性漏源雪崩
能源
[1]
I
DM
受芯片限制，不能打包。
9397 750 13327
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120
PDER
(%)
100
03ne36
120
伊德尔
(%)
03ne37
100
80
80
60
60
40
40
20
20
0
0
25
50
75
100
125
150 175
TMB （℃ ）
0
0
25
50
75
100
125
150 175
o
TMB （ C）
P
合计
P
DER
=
----------------------
×
100%
P
°
合计
(
25 C
)
V
GS
≥
5 V
I
D
I
DER
=
------------------
×
100%
-
I
°
D
(
25 C
)
看图1，归一化的总功耗为
功能安装基座的温度。
102
ID
(A)
导通电阻= VDS / ID
图2.归连续漏极电流为
功能安装基座的温度。
03ne04
TP = 10我们
100美
1毫秒
特区
1
P
10
δ
=
tp
T
10毫秒
100毫秒
tp
T
t
10-1
1
10
VDS （ V）
102
T
AMB
= 25
°C;
I
DM
是单一脉冲。
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏 - 源极电压的函数。
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N沟道的TrenchMOS 逻辑电平FET
7.热特性
表4：
R
日（ J- MB ）
R
号（j -a）的
热特性
条件
图4
最小典型最大单位
-
-
-
55
5
-
K / W
K / W
热阻结到
安装底座
符号参数
从结点到环境的热阻垂直于静止空气中
7.1瞬态热阻抗
10
第Z （ J- MB ）
（K / W）
δ
= 0.5
0.2
03ne05
1
0.1
0.05
10-1
0.02
P
δ
=
tp
T
tp
单发
t
T
10-2
10-6
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
TP （多个）
1
图4.瞬态从结的热阻抗，以安装基座的脉冲持续时间的函数。
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