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PA
K
BUK961R6-40E
N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
第2版 - 2012年5月16日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
逻辑电平N沟道MOSFET使用的TrenchMOS技术SOT404封装。这
产品的设计,并符合AEC Q101标准,高使用
高性能汽车应用。
1.2特点和优点
AEC Q101标准
额定重复性雪崩
适用于要求苛刻的热
由于175℃的评价环境
与Vgst真正的逻辑电平门(次)
大于0.5V的等级在175℃下
1.3应用
12 V汽车系统
电机,灯和电磁阀控制
起止微混合应用程序
传输控制
超高性能电源
开关
1.4快速参考数据
表1中。
符号
V
DS
I
D
P
合计
R
DSON
快速参考数据
参数
漏源电压
漏电流
总功耗
漏极 - 源极导通状态
阻力
栅极 - 漏极电荷
条件
T
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
175 °C
V
GS
= 5 V ;牛逼
mb
= 25°C ;看
图1
T
mb
= 25°C ;看
图2
V
GS
= 5 V ;我
D
= 25 A;牛逼
j
= 25 °C;
SEE
图11
V
GS
= 5 V ;我
D
= 25 A; V
DS
= 32 V;
SEE
图13 ;
SEE
图14
[1]
民
-
-
-
-
典型值
-
-
-
1.35
最大
40
120
357
1.6
单位
V
A
W
m
静态特性
动态特性
Q
GD
-
40.9
-
nC
[1]
连续电流通过封装的限制。
恩智浦半导体
BUK961R6-40E
N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
5.极限值
表5 。
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
E
DS ( AL )S
极限值
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
源出电流
峰源电流
非重复性的漏极 - 源极
雪崩能量
T
mb
= 25 °C
脉冲;吨
p
≤
10微秒;牛逼
mb
= 25 °C
I
D
= 120 A; V
SUP
≤
40 V ;
GS
= 50
;
V
GS
= 5 V ;牛逼
J(下INIT )
= 25°C ;松开;
SEE
科幻gure 3
[2][3]
[1]
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
条件
T
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
175 °C
R
GS
= 20 k
DC
脉冲
T
mb
= 25 ℃; V
GS
= 5 V ;看
图1
T
mb
= 100℃ ; V
GS
= 5 V ;看
图1
T
mb
= 25°C ;脉冲;吨
p
≤
10 s;
SEE
图4
T
mb
= 25°C ;看
图2
[1]
[1]
民
-
-
-10
-15
-
-
-
-
-55
-55
-
-
-
最大
40
40
10
15
120
120
1363
357
175
175
120
1363
1008
单位
V
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
mJ
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
[1]
[2]
[3]
连续电流通过封装的限制。
单脉冲雪崩额定值受175° C的最高结温。
请参考应用笔记AN10273了解更多信息。
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