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D2
PA
K
BUK961R6-40E
N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
第2版 - 2012年5月16日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
逻辑电平N沟道MOSFET使用的TrenchMOS技术SOT404封装。这
产品的设计,并符合AEC Q101标准,高使用
高性能汽车应用。
1.2特点和优点
AEC Q101标准
额定重复性雪崩
适用于要求苛刻的热
由于175℃的评价环境
与Vgst真正的逻辑电平门(次)
大于0.5V的等级在175℃下
1.3应用
12 V汽车系统
电机,灯和电磁阀控制
起止微混合应用程序
传输控制
超高性能电源
开关
1.4快速参考数据
表1中。
符号
V
DS
I
D
P
合计
R
DSON
快速参考数据
参数
漏源电压
漏电流
总功耗
漏极 - 源极导通状态
阻力
栅极 - 漏极电荷
条件
T
j
25 ℃;牛逼
j
175 °C
V
GS
= 5 V ;牛逼
mb
= 25°C ;看
图1
T
mb
= 25°C ;看
图2
V
GS
= 5 V ;我
D
= 25 A;牛逼
j
= 25 °C;
SEE
图11
V
GS
= 5 V ;我
D
= 25 A; V
DS
= 32 V;
SEE
图13 ;
SEE
图14
[1]
-
-
-
-
典型值
-
-
-
1.35
最大
40
120
357
1.6
单位
V
A
W
m
静态特性
动态特性
Q
GD
-
40.9
-
nC
[1]
连续电流通过封装的限制。
恩智浦半导体
BUK961R6-40E
N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
2.管脚信息
表2中。
1
2
3
mb
管脚信息
符号说明
G
D
S
D
来源
安装底座;
地连接到漏
2
1
3
mb
D
简化的轮廓
图形符号
G
mbb076
S
SOT404 ( D2PAK )
3.订购信息
表3中。
订购信息
名字
BUK961R6-40E
D2PAK
描述
塑料单端表面安装封装( D2PAK ) ;
3导线(一根导线裁剪)
VERSION
SOT404
类型编号
4.标记
表4 。
标记代码
标识代码
BUK961R6-40E
类型编号
BUK961R6-40E
BUK961R6-40E
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产品数据表
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2 14
恩智浦半导体
BUK961R6-40E
N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
5.极限值
表5 。
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
E
DS ( AL )S
极限值
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
源出电流
峰源电流
非重复性的漏极 - 源极
雪崩能量
T
mb
= 25 °C
脉冲;吨
p
10微秒;牛逼
mb
= 25 °C
I
D
= 120 A; V
SUP
40 V ;
GS
= 50
;
V
GS
= 5 V ;牛逼
J(下INIT )
= 25°C ;松开;
SEE
科幻gure 3
[2][3]
[1]
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
条件
T
j
25 ℃;牛逼
j
175 °C
R
GS
= 20 k
DC
脉冲
T
mb
= 25 ℃; V
GS
= 5 V ;看
图1
T
mb
= 100℃ ; V
GS
= 5 V ;看
图1
T
mb
= 25°C ;脉冲;吨
p
10 s;
SEE
图4
T
mb
= 25°C ;看
图2
[1]
[1]
-
-
-10
-15
-
-
-
-
-55
-55
-
-
-
最大
40
40
10
15
120
120
1363
357
175
175
120
1363
1008
单位
V
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
mJ
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
[1]
[2]
[3]
连续电流通过封装的限制。
单脉冲雪崩额定值受175° C的最高结温。
请参考应用笔记AN10273了解更多信息。
BUK961R6-40E
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恩智浦半导体
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N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
400
I
D
(A)
300
003aag332
120
P
DER
(%)
80
03aa16
200
(1)
40
100
0
0
50
100
150
T
mb
(
°
C)
200
0
0
50
100
150
T
mb
(°C)
200
图1 。
连续漏极电流的一个函数
安装基座的温度
10
3
I
AL
(A)
10
2
图2 。
归一化的总功耗为
的安装基座温度功能
003aag343
(1)
10
(2)
1
(3)
10
-1
10
-3
10
-2
10
-1
1
t
AL
(女士)
10
图3 。
单脉冲和重复雪崩额定值;雪崩电流的雪崩时间的函数
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10
4
I
D
(A)
10
3
003aag333
性限R
DSON
= V
DS
/ I
D
t
p
=10
μ
s
10
2
100
μ
s
10
1毫秒
DC
1
10毫秒
100毫秒
10
-1
10
-1
1
10
10
2
V
DS
(V)
10
3
图4 。
安全工作区;连续和峰值漏电流与漏源电压的函数
6.热特性
表6 。
符号
R
日( J- MB )
R
号(j -a)的
热特性
参数
从热阻
结到安装基座
从热阻
结到环境
条件
SEE
图5
最小的足迹;安装在
一个印刷电路板
-
-
典型值
-
50
最大
0.42
-
单位
K / W
K / W
1
Z
日( J- MB )
(K / W)
10
-1
003aaf570
= 0.5
0.2
0.1
0.05
10
-2
P
t
p
T
0.02
t
p
t
T
单发
10
-3
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
t
p
(s)
1
图5 。
从结瞬态热阻抗安装基座为脉冲持续时间的函数。
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    -
    -
    -
    -
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