BUK9518-55A ; BUK9618-55A
的TrenchMOS 逻辑电平FET
版本01 - 2001年8月27日
产品数据
1.描述
N沟道增强型网络场效电源在一个塑料包装使用的晶体管
的TrenchMOS 技术，具有极低的导通电阻。
产品可用性：
BUK9518-55A在SOT78 （ TO- 220AB ）
BUK9618-55A在SOT404 （D
2
-PAK ） 。
2.特点
s
s
s
s
的TrenchMOS 技术
Q101标准
175
°C
评级
兼容逻辑电平。
3.应用
s
汽车和通用电源开关：
x
12 V及24 V负载
x
电机，灯具和螺线管。
4.管脚信息
表1：
针
1
2
3
mb
钉扎 - SOT78和SOT404 ，简化的外形和符号
简化的轮廓
mb
mb
描述
栅极（G ）
漏极（四）
源极（S ）
安装底座;
连接到漏极（D）
符号
d
2
1
3
MBK116
g
s
MBB076
MBK106
1 2 3
SOT78 （ TO- 220AB ）
SOT404 （D
2
-Pak ）
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的TrenchMOS 逻辑电平FET
5.快速参考数据
表2：
V
DS
I
D
P
合计
T
j
R
DSON
快速参考数据
条件
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 5 V
T
mb
= 25
°C
T
j
= 25
°C;
V
GS
= 5 V ;我
D
= 25 A
T
j
= 25
°C;
V
GS
= 4.5 V ;我
D
= 25 A
T
j
= 25
°C;
V
GS
= 10 V ;我
D
= 25 A
典型值
14
12
最大
55
61
136
175
18
19
16
单位
V
A
W
°C
m
m
m
漏极 - 源极电压（直流）
漏电流（ DC ）
总功耗
结温
漏源导通电阻
符号参数
6.极限值
表3：
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号参数
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
漏极 - 源极电压（直流）
漏极 - 栅极电压（直流）
栅极 - 源极电压（直流）
漏电流（ DC ）
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 5 V;
图2
和
3
T
mb
= 100
°C;
V
GS
= 5 V;
图2
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
DR
I
DRM
W
DSS
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
工作结温
反向漏电流（DC）的
脉冲反向漏电流
非重复性雪崩能量
T
mb
= 25
°C
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s
非钳位感性负载;我
D
= 61 A;
V
DS
≤
55 V; V
GS
= 5 V ;
GS
= 50
;
起始物为
mb
= 25
°C
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s;
科幻gure 3
T
mb
= 25
°C;
图1
R
GS
= 20 k
条件
民
55
55
最大
55
55
±15
61
43
246
136
+175
+175
61
246
127
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
mJ
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
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120
PDER
(%)
100
03na19
80
ID
(A)
60
03nf37
80
60
40
40
20
20
0
0
25
50
75
100
125
150
175 200
TMB （℃ ）
0
25
50
75
100
125
150
175
200
TMB （℃ ）
P
合计
P
DER
=
----------------------
×
100%
-
P
°
合计
(
25 C
)
V
GS
≥
4.5 V
I
D
I
DER
=
-------------------
×
100%
I
°
D
(
25 C
)
看图1，归一化的总功耗为
功能安装基座的温度。
图2.连续漏电流的一个函数
安装基座的温度。
103
03ne48
ID
(A)
102
导通电阻= VDS / ID
TP = 10微秒
100 s
DC
10
P
1毫秒
δ
=
tp
T
10毫秒
100毫秒
tp
T
t
1
1
10
VDS （ V）
102
T
mb
= 25
°C;
I
DM
单脉冲。
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏 - 源极电压的函数。
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7.热特性
表4：
符号
R
号（j -a）的
热特性
参数
从结点到环境的热阻
条件
垂直静止空气中; SOT78封装
安装在印刷电路板;
最小的足迹; SOT404
包
R
日（ J- MB ）
从结点到安装热阻
BASE
图4
价值
60
50
单位
K / W
K / W
1.1
K / W
7.1瞬态热阻抗
10
第Z （ J- MB ）
（K / W）
1
δ
= 0.5
0.2
10-1
0.1
0.05
0.02
10-2
P
03ne49
δ
=
tp
T
单发
tp
t
T
10-3
10-6
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
TP （多个）
1
图4.瞬态从结的热阻抗，以安装基座的脉冲持续时间的函数。
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8.特点
表5：
特征
T
j
= 25
°
C除非另有规定编
符号
V
（ BR ） DSS
参数
漏源击穿
电压
条件
I
D
= 0.25毫安; V
GS
= 0 V
T
j
= 25
°C
T
j
=
55 °C
V
GS （ TH）
栅源阈值电压I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
;
图9
T
j
= 25
°C
T
j
= 175
°C
T
j
=
55 °C
I
DSS
漏极 - 源极漏电流
V
DS
= 55 V; V
GS
= 0 V
T
j
= 25
°C
T
j
= 175
°C
I
GSS
R
DSON
栅极 - 源极漏电流
漏极 - 源极导通状态
阻力
V
GS
=
±10
V; V
DS
= 0 V
V
GS
= 5 V ;我
D
= 25 A;
图7
和
8
T
j
= 25
°C
T
j
= 175
°C
V
GS
= 4.5 V ;我
D
= 25 A
V
GS
= 10 V ;我
D
= 25 A
动态特性
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
d
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（米勒）电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
从漏极引线6毫米
包芯中心
从接触螺丝
安装底座，以模具中心
SOT78
从漏极上缘
安装底座，以模具中心
SOT404
L
s
内部源极电感
从源铅源
焊盘
V
DD
= 30 V ;
L
= 1.2
;
V
GS
= 5 V ;
G
= 10
V
GS
= 0 V; V
DS
= 25 V;
F = 1兆赫;
图12
V
GS
= 5 V; V
DD
= 44 V;
I
D
= 25 A;
图14
34
4.5
14
1660
290
190
21
126
95
97
4.5
3.5
2210
350
270
nC
nC
nC
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nH
nH
14
12
18
36
19
16
m
m
m
m
0.05
2
10
500
100
A
A
nA
1
0.5
1.5
2
2.3
V
V
V
55
50
V
V
民
典型值
最大
单位
静态特性
2.5
nH
7.5
nH
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