【飞利浦半导体产品speci fi cation的TrenchMOS 晶体管逻辑电平FET概述N沟道增】,IC型号BUK9575-55,BUK9575-55 PDF资料,BUK9575-55经销商,ic,电子元器件-51电子网

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飞利浦半导体

产品speci fi cation

的TrenchMOS 晶体管

逻辑电平FET

概述

N沟道增强模式的逻辑

在水平场效应功率晶体管

塑料封套使用“地沟”

技术。该器件具有非常

低通态电阻，并具有

积分齐纳二极管提供ESD

保护高达2kV的。其目的是为

在汽车和一般用途

用开关应用。

BUK9575-55

快速参考数据

符号

V

DS

I

D

P

合计

T

j

R

DS （ ON）

参数

漏源电压

漏电流（ DC ）

总功耗

结温

漏极 - 源极导通状态

阻力

V

GS

= 5 V

马克斯。

55

19.7

61

175

75

单位

V

A

W

C

m

钉扎 - TO220AB

针

1

2

3

TAB

门

漏

来源

漏

描述

引脚配置

TAB

符号

d

g

s

1 23

极限值

按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值

符号

V

DS

V

DGR

±V

GS

I

D

I

D

I

DM

P

合计

T

英镑

, T

j

参数

漏源电压

漏极 - 栅极电压

栅源电压

漏电流（ DC ）

漏电流（ DC ）

漏极电流（脉冲峰值）

总功耗

存储&工作温度

条件

-

R

GS

= 20 k

-

T

mb

= 25 C

T

mb

= 100 C

T

mb

= 25 C

T

mb

= 25 C

-

分钟。

-

-

-

-

-

-

-

- 55

马克斯。

55

55

10

19.7

13.9

79

61

175

单位

V

V

V

A

A

A

W

C

ESD限值

符号

V

C

参数

静电放电电容

电压，所有引脚

条件

人体模型

（ 100 pF的， 1.5千欧）

分钟。

-

马克斯。

2

单位

kV

热阻

符号

R

日J- MB

R

日J-一

参数

热阻结到

安装底座

热阻结到

环境

条件

-

在自由空气

典型值。

-

60

马克斯。

2.46

-

单位

K / W

K / W

1998年4月

1

启1.100

飞利浦半导体

产品speci fi cation

的TrenchMOS 晶体管

逻辑电平FET

静态特性

T

j

= 25 ° C除非另有说明

符号

V

（ BR ） DSS

V

GS （ TO ）

I

DSS

I

GSS

±V

（ BR ） GSS

R

DS （ ON）

参数

漏源击穿

电压

栅极阈值电压

零栅极电压漏极电流

门源漏电流

栅源击穿

电压

漏极 - 源极导通状态

阻力

条件

V

GS

= 0 V ;我

D

= 0.25毫安;

T

j

= -55C

V

DS

= V

GS

; I

D

= 1毫安

T

j

= 175C

T

j

= -55C

V

DS

= 55 V; V

GS

= 0 V;

V

GS

=

±5

V; V

DS

= 0 V

I

G

=

±1

毫安;

V

GS

= 5 V ;我

D

= 10 A

T

j

= 175C

T

j

= 175C

T

j

= 175C

分钟。

55

50

1

0.5

-

-

-

-

-

10

-

-

典型值。

-

-

1.5

-

-

0.05

-

0.02

-

60

-

BUK9575-55

马克斯。

-

-

2

-

2.3

10

500

1

10

-

75

157

单位

V

V

V

V

A

A

A

A

V

m

m

动态特性

T

mb

= 25 ° C除非另有说明

符号

g

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D ON

t

r

t

D OFF

t

f

L

d

L

d

L

s

参数

正向跨导

输入电容

输出电容

反馈电容

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

内部排水电感

内部排水电感

内部源极电感

条件

V

DS

= 25 V ;我

D

= 10 A

V

GS

= 0 V; V

DS

= 25 V ; F = 1 MHz的

分钟。

5

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

典型值。

-

500

110

60

10

47

28

33

3.5

4.5

7.5

马克斯。

-

650

135

85

15

70

40

45

-

-

-

单位

S

pF

pF

pF

ns

ns

ns

ns

nH

nH

nH

V

DD

= 30 V ;我

D

= 10 A;

V

GS

= 5 V ;

G

= 10

阻性负载

从螺丝接触测量

标签，模具中心

从漏极引线6毫米测

从包装到模具中心

从源测量导致6毫米

从包装到源焊盘

反向二极管极限值和特性

T

j

= 25 ° C除非另有说明

符号

I

DR

I

DRM

V

SD

t

rr

Q

rr

参数

连续反向漏

当前

脉冲反向漏电流

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

条件

分钟。

-

I

F

= 19.7 A; V

GS

= 0 V

I

F

= 19.7 A; -dI

F

/ DT = 100 A / μs的;

V

GS

= -10 V; V

R

= 30 V

-

-

-

-

典型值。

-

-

0.95

32

0.12

马克斯。

19.7

79

1.2

-

-

单位

A

A

V

ns

C

1998年4月

2

启1.100

飞利浦半导体

产品speci fi cation

的TrenchMOS 晶体管

逻辑电平FET

雪崩限值

符号

W

DSS

参数

漏源不重复

非钳位电感关断

能源

条件

I

D

= 10 A; V

DD

≤

25 V;

V

GS

= 5 V ;

GS

= 50

;

T

mb

= 25 C

分钟。

-

典型值。

-

BUK9575-55

马克斯。

30

单位

mJ

120

110

100

90

80

70

60

50

40

30

20

10

0

PD ％

归一化功率降额

100

TP =

ID / A

RDS （ ON）= VDS / ID

10us

10

1美国

100美

DC

1毫秒

10ms

100ms

1

10

0

20

40

60

80 100

TMB / C

120

140

160

180

1

VDS / V

100

图1 。归一化的功率耗散。

PD ％ = 100

P

D

/P

D 25 C

= F （T

mb

)

归一化电流降额

如图3所示。安全工作区。牛逼

mb

= 25 C

I

D

＆放大器;我

DM

= F（V

DS

); I

DM

单脉冲;参数t

p

第Z / （K / W）

120

110

100

90

80

70

60

50

40

30

20

10

0

ID％

10

1

0.5

0.2

0.1

0.05

P

D

t

p

D=

t

p

T

t

0.1

0.02

T

0

0

20

40

60

80 100

TMB / C

120

140

160

180

0.01

1.0E-06

0.0001

T / S

0.01

1

100

图2 。正常化的连续漏极电流。

ID％ = 100

I

D

/I

D 25 C

= F （T

mb

） ;条件： V

GS

≥

5 V

图4 。瞬态热阻抗。

Z

日J- MB

= F（T） ;参数D = T

p

/T

1998年4月

3

启1.100

飞利浦半导体

产品speci fi cation

的TrenchMOS 晶体管

逻辑电平FET

BUK9575-55

50

ID / A

40

10.0

8.0

VGS / V =

6.0

5.4

5.0

4.8

4.6

4.4

4.2

4.0

3.8

3.6

3.4

3.2

3.0

2.8

2.6

2.4

2.2

10 2.0

15

14

13

12

11

10

9

8

7

6

5

跨导， GFS （ S）

30

20

10

0

0

5

0

2

4

VDS / V 6

8

10

15

漏极电流ID （ A）

20

25

图5 。典型的输出特性，T

j

= 25 C.

I

D

= F（V

DS

） ;参数V

GS

RDS （ ON） /毫欧

图8 。典型的跨导，T

j

= 25 C.

g

fs

= F（我

D

） ;条件： V

DS

= 25 V

BUK959-60

90

85

80

75

70

65

60

55

2.5

VGS / V =

4

4.2

4.4

4.6

4.8

5

a

RDS（ON） normlised到25degC

2

1.5

1

5

10

15

ID / A

20

25

0.5

-100

-50

0

50

TMB /摄氏度

100

150

200

图6 。典型通态电阻，T

j

= 25 C.

R

DS （ ON）

= F（我

D

） ;参数V

GS

25

ID / A

20

图9 。正常化漏极 - 源极导通电阻。

一 - R的

DS （ ON）

/R

DS （ ON） 25 C

= F （T

j

); I

D

= 10 A; V

GS

= 5 V

VGS （ TO ） / V

马克斯。

2

典型值。

BUK959-60

2.5

15

1.5

分钟。

10

1

5

TJ / C =

0

0

1

175

2

25

VGS / V

3

4

5

0.5

0

-100

-50

0

50

TJ / C

100

150

200

图7 。典型的传输特性。

I

D

= F（V

GS

） ;条件： V

DS

= 25 V ;参数T

j

图10 。栅极阈值电压。

V

GS （ TO ）

= F （T

j

） ;条件：我

D

= 1毫安; V

DS

= V

GS

1998年4月

4

启1.100

飞利浦半导体

产品speci fi cation

的TrenchMOS 晶体管

逻辑电平FET

BUK9575-55

1E-01

亚阈值传导

100

IF / A

80

1E-02

2%

典型值

98%

60

TJ / C =

40

175

25

1E-03

1E-04

1E-05

20

1E-05

0

0

0.5

1

1.5

2

2.5

3

0

0.5

VSDS / V

1

1.5

图11 。亚阈值漏电流。

I

D

= F（V

GS ）

;条件：T已

j

= 25 ℃; V

DS

= V

GS

1

.9

.8

图14 。典型的反向二极管电流。

I

F

= F（V

SDS

） ;条件： V

GS

= 0 V ;参数T

j

WDSS ％

120

110

100

90

80

70

西塞

数千pF的

.7

.6

.5

.4

.3

.2

.1

0

0.01

0.1

1

VDS / V

10

科斯

CRSS

100

60

50

40

30

20

10

0

20

40

60

80

100

120

TMB / C

140

160

180

图12 。典型的电容，C

国际空间站

, C

OSS

, C

RSS

.

C = F（V

DS

） ;条件： V

GS

= 0 V ; F = 1 MHz的

6

VGS / V

5

VDS = 14V

4

VDS = 44V

图15 。正常化雪崩能量等级。

W

DSS

（％）= F（T

mb

） ;条件：我

D

= 17 A

+

L

VDS

VGS

0

RGS

T.U.T.

R 01

分流

VDD

3

-

-ID/100

2

1

0

0

2

4

6

QG / NC

8

10

12

图13 。典型导通栅极电荷特性。

V

GS

= F （Q

G

） ;条件：我

D

= 20 A;参数V

DS

图16 。雪崩能量测试电路。

2

W

DSS

=

0.5

LI

D

BV

DSS

/ （ BV

DSS

V

DD

)

1998年4月

5

启1.100

飞利浦半导体

产品speci fi cation

的TrenchMOS 晶体管

逻辑电平FET

概述

N沟道增强模式的逻辑

在水平场效应功率晶体管

塑料封套使用“地沟”

技术。该器件具有非常

低通态电阻，并具有

积分齐纳二极管提供ESD

保护高达2kV的。其目的是为

在汽车和一般用途

用开关应用。

BUK9575-55

快速参考数据

符号

V

DS

I

D

P

合计

T

j

R

DS （ ON）

参数

漏源电压

漏电流（ DC ）

总功耗

结温

漏极 - 源极导通状态

阻力

V

GS

= 5 V

马克斯。

55

19.7

61

175

75

单位

V

A

W

C

m

钉扎 - TO220AB

针

1

2

3

TAB

门

漏

来源

漏

描述

引脚配置

TAB

符号

d

g

s

1 23

极限值

按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值

符号

V

DS

V

DGR

±V

GS

I

D

I

D

I

DM

P

合计

T

英镑

, T

j

参数

漏源电压

漏极 - 栅极电压

栅源电压

漏电流（ DC ）

漏电流（ DC ）

漏极电流（脉冲峰值）

总功耗

存储&工作温度

条件

-

R

GS

= 20 k

-

T

mb

= 25 C

T

mb

= 100 C

T

mb

= 25 C

T

mb

= 25 C

-

分钟。

-

-

-

-

-

-

-

- 55

马克斯。

55

55

10

19.7

13.9

79

61

175

单位

V

V

V

A

A

A

W

C

ESD限值

符号

V

C

参数

静电放电电容

电压，所有引脚

条件

人体模型

（ 100 pF的， 1.5千欧）

分钟。

-

马克斯。

2

单位

kV

热阻

符号

R

日J- MB

R

日J-一

参数

热阻结到

安装底座

热阻结到

环境

条件

-

在自由空气

典型值。

-

60

马克斯。

2.46

-

单位

K / W

K / W

1998年4月

1

启1.100

飞利浦半导体

产品speci fi cation

的TrenchMOS 晶体管

逻辑电平FET

静态特性

T

j

= 25 ° C除非另有说明

符号

V

（ BR ） DSS

V

GS （ TO ）

I

DSS

I

GSS

±V

（ BR ） GSS

R

DS （ ON）

参数

漏源击穿

电压

栅极阈值电压

零栅极电压漏极电流

门源漏电流

栅源击穿

电压

漏极 - 源极导通状态

阻力

条件

V

GS

= 0 V ;我

D

= 0.25毫安;

T

j

= -55C

V

DS

= V

GS

; I

D

= 1毫安

T

j

= 175C

T

j

= -55C

V

DS

= 55 V; V

GS

= 0 V;

V

GS

=

±5

V; V

DS

= 0 V

I

G

=

±1

毫安;

V

GS

= 5 V ;我

D

= 10 A

T

j

= 175C

T

j

= 175C

T

j

= 175C

分钟。

55

50

1

0.5

-

-

-

-

-

10

-

-

典型值。

-

-

1.5

-

-

0.05

-

0.02

-

60

-

BUK9575-55

马克斯。

-

-

2

-

2.3

10

500

1

10

-

75

157

单位

V

V

V

V

A

A

A

A

V

m

m

动态特性

T

mb

= 25 ° C除非另有说明

符号

g

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D ON

t

r

t

D OFF

t

f

L

d

L

d

L

s

参数

正向跨导

输入电容

输出电容

反馈电容

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

内部排水电感

内部排水电感

内部源极电感

条件

V

DS

= 25 V ;我

D

= 10 A

V

GS

= 0 V; V

DS

= 25 V ; F = 1 MHz的

分钟。

5

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

典型值。

-

500

110

60

10

47

28

33

3.5

4.5

7.5

马克斯。

-

650

135

85

15

70

40

45

-

-

-

单位

S

pF

pF

pF

ns

ns

ns

ns

nH

nH

nH

V

DD

= 30 V ;我

D

= 10 A;

V

GS

= 5 V ;

G

= 10

阻性负载

从螺丝接触测量

标签，模具中心

从漏极引线6毫米测

从包装到模具中心

从源测量导致6毫米

从包装到源焊盘

反向二极管极限值和特性

T

j

= 25 ° C除非另有说明

符号

I

DR

I

DRM

V

SD

t

rr

Q

rr

参数

连续反向漏

当前

脉冲反向漏电流

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

条件

分钟。

-

I

F

= 19.7 A; V

GS

= 0 V

I

F

= 19.7 A; -dI

F

/ DT = 100 A / μs的;

V

GS

= -10 V; V

R

= 30 V

-

-

-

-

典型值。

-

-

0.95

32

0.12

马克斯。

19.7

79

1.2

-

-

单位

A

A

V

ns

C

1998年4月

2

启1.100

飞利浦半导体

产品speci fi cation

的TrenchMOS 晶体管

逻辑电平FET

雪崩限值

符号

W

DSS

参数

漏源不重复

非钳位电感关断

能源

条件

I

D

= 10 A; V

DD

≤

25 V;

V

GS

= 5 V ;

GS

= 50

;

T

mb

= 25 C

分钟。

-

典型值。

-

BUK9575-55

马克斯。

30

单位

mJ

120

110

100

90

80

70

60

50

40

30

20

10

0

PD ％

归一化功率降额

100

TP =

ID / A

RDS （ ON）= VDS / ID

10us

10

1美国

100美

DC

1毫秒

10ms

100ms

1

10

0

20

40

60

80 100

TMB / C

120

140

160

180

1

VDS / V

100

图1 。归一化的功率耗散。

PD ％ = 100

P

D

/P

D 25 C

= F （T

mb

)

归一化电流降额

如图3所示。安全工作区。牛逼

mb

= 25 C

I

D

＆放大器;我

DM

= F（V

DS

); I

DM

单脉冲;参数t

p

第Z / （K / W）

120

110

100

90

80

70

60

50

40

30

20

10

0

ID％

10

1

0.5

0.2

0.1

0.05

P

D

t

p

D=

t

p

T

t

0.1

0.02

T

0

0

20

40

60

80 100

TMB / C

120

140

160

180

0.01

1.0E-06

0.0001

T / S

0.01

1

100

图2 。正常化的连续漏极电流。

ID％ = 100

I

D

/I

D 25 C

= F （T

mb

） ;条件： V

GS

≥

5 V

图4 。瞬态热阻抗。

Z

日J- MB

= F（T） ;参数D = T

p

/T

1998年4月

3

启1.100

飞利浦半导体

产品speci fi cation

的TrenchMOS 晶体管

逻辑电平FET

BUK9575-55

50

ID / A

40

10.0

8.0

VGS / V =

6.0

5.4

5.0

4.8

4.6

4.4

4.2

4.0

3.8

3.6

3.4

3.2

3.0

2.8

2.6

2.4

2.2

10 2.0

15

14

13

12

11

10

9

8

7

6

5

跨导， GFS （ S）

30

20

10

0

0

5

0

2

4

VDS / V 6

8

10

15

漏极电流ID （ A）

20

25

图5 。典型的输出特性，T

j

= 25 C.

I

D

= F（V

DS

） ;参数V

GS

RDS （ ON） /毫欧

图8 。典型的跨导，T

j

= 25 C.

g

fs

= F（我

D

） ;条件： V

DS

= 25 V

BUK959-60

90

85

80

75

70

65

60

55

2.5

VGS / V =

4

4.2

4.4

4.6

4.8

5

a

RDS（ON） normlised到25degC

2

1.5

1

5

10

15

ID / A

20

25

0.5

-100

-50

0

50

TMB /摄氏度

100

150

200

图6 。典型通态电阻，T

j

= 25 C.

R

DS （ ON）

= F（我

D

） ;参数V

GS

25

ID / A

20

图9 。正常化漏极 - 源极导通电阻。

一 - R的

DS （ ON）

/R

DS （ ON） 25 C

= F （T

j

); I

D

= 10 A; V

GS

= 5 V

VGS （ TO ） / V

马克斯。

2

典型值。

BUK959-60

2.5

15

1.5

分钟。

10

1

5

TJ / C =

0

0

1

175

2

25

VGS / V

3

4

5

0.5

0

-100

-50

0

50

TJ / C

100

150

200

图7 。典型的传输特性。

I

D

= F（V

GS

） ;条件： V

DS

= 25 V ;参数T

j

图10 。栅极阈值电压。

V

GS （ TO ）

= F （T

j

） ;条件：我

D

= 1毫安; V

DS

= V

GS

1998年4月

4

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飞利浦半导体

产品speci fi cation

的TrenchMOS 晶体管

逻辑电平FET

BUK9575-55

1E-01

亚阈值传导

100

IF / A

80

1E-02

2%

典型值

98%

60

TJ / C =

40

175

25

1E-03

1E-04

1E-05

20

1E-05

0

0

0.5

1

1.5

2

2.5

3

0

0.5

VSDS / V

1

1.5

图11 。亚阈值漏电流。

I

D

= F（V

GS ）

;条件：T已

j

= 25 ℃; V

DS

= V

GS

1

.9

.8

图14 。典型的反向二极管电流。

I

F

= F（V

SDS

） ;条件： V

GS

= 0 V ;参数T

j

WDSS ％

120

110

100

90

80

70

西塞

数千pF的

.7

.6

.5

.4

.3

.2

.1

0

0.01

0.1

1

VDS / V

10

科斯

CRSS

100

60

50

40

30

20

10

0

20

40

60

80

100

120

TMB / C

140

160

180

图12 。典型的电容，C

国际空间站

, C

OSS

, C

RSS

.

C = F（V

DS

） ;条件： V

GS

= 0 V ; F = 1 MHz的

6

VGS / V

5

VDS = 14V

4

VDS = 44V

图15 。正常化雪崩能量等级。

W

DSS

（％）= F（T

mb

） ;条件：我

D

= 17 A

+

L

VDS

VGS

0

RGS

T.U.T.

R 01

分流

VDD

3

-

-ID/100

2

1

0

0

2

4

6

QG / NC

8

10

12

图13 。典型导通栅极电荷特性。

V

GS

= F （Q

G

） ;条件：我

D

= 20 A;参数V

DS

图16 。雪崩能量测试电路。

2

W

DSS

=

0.5

LI

D

BV

DSS

/ （ BV

DSS

V

DD

)

1998年4月

5

启1.100

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