BUK952R4-40C
N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
牧师02 - 2008年4月11日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
逻辑电平N沟道增强型场效应晶体管（ FET）在一个塑料
包装用的TrenchMOS技术。该产品的设计和资格
适当的AEC标准适用于汽车的关键应用。
1.2特点和优点
低导通损耗是由于低
导通状态电阻
适用于逻辑电平栅极驱动
来源
Q101标准
适用于要求苛刻的热
由于环境175
°C
等级
1.3应用
12 V负载
通用开关电源
汽车系统
电机，灯具和螺线管
1.4快速参考数据
表1中。
符号
V
DS
I
D
P
合计
E
DS （ AL ）S
快速参考
参数
漏源电压
漏电流
总功耗
不重复
漏源
雪崩能量
栅极 - 漏极电荷
条件
T
j
≥
25
°C;
T
j
≤
175
°C
V
GS
= 5 V ;牛逼
j
= 25
°C;
SEE
图1
和
4
T
mb
= 25
°C;
SEE
图2
I
D
= 100 A; V
SUP
≤
40 V;
R
GS
= 50
Ω;
V
GS
= 5 V;
T
J（下INIT ）
= 25
°C;
松开
V
GS
= 5 V ;我
D
= 25 A;
V
DS
= 32 V ;看
图14
V
GS
= 5 V ;我
D
= 25 A;
T
j
= 25
°C;
SEE
图12中， 11
和
13
[1][2]
民
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
最大
40
100
333
1.2
单位
V
A
W
J
雪崩耐用性
动态特性
Q
GD
-
73
-
nC
静态特性
R
DSON
漏极 - 源极导通状态
阻力
-
2.1
2.4
mΩ
[1]
[2]
连续电流通过封装的限制。
请参阅有关资料记载9397 750 12572 。
恩智浦半导体
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2.管脚信息
表2中。
针
1
2
3
mb
钉扎
符号
G
D
S
D
描述
门
漏
来源
安装底座;
地连接到漏
G
mbb076
简化的轮廓
mb
图形符号
D
S
1 2 3
SOT78 （ TO- 220AB ）
3.订购信息
表3中。
订购信息
包
名字
BUK952R4-40C
TO-220AB
描述
塑料单端封装;散热器安装; 1安装孔; 3导
TO-220AB
VERSION
SOT78
类型编号
4.极限值
表4 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号参数
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 5 V ;看
图1
V
GS
= 5 V ;牛逼
j
= 100
°C;
SEE
图1
V
GS
= 5 V ;牛逼
j
= 25
°C;
SEE
图1
和
4
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
I
D
= 100 A; V
SUP
≤
40 V ;
GS
= 50
Ω;
V
GS
= 5 V ;牛逼
J（下INIT ）
= 25
°C;
松开
SEE
科幻gure 3
[4][5]
[6]
[1]
[2][3]
[2][3]
条件
T
j
≥
25
°C;
T
j
≤
175
°C
R
GS
= 20 kΩ
民
-
-
-15
-
-
-
-
-
-55
-55
-
最大
40
40
15
270
100
100
1080
333
175
175
1.2
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
J
T
mb
= 25
°C;
t
p
≤
10
μs;
脉冲;看
图4
T
mb
= 25
°C;
SEE
图2
雪崩耐用性
E
DS （ AL ）S
不重复
漏源雪崩
能源
E
DS （ AL ）R
重复的漏 - 源
雪崩能量
-
-
J
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表4 。
极限值
- 续
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号参数
源极 - 漏极二极管
I
S
I
SM
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
[6]
条件
T
mb
= 25
°C
t
p
≤
10
μs;
脉冲;吨
mb
= 25
°C
[2][3]
民
-
-
最大
100
1080
单位
A
A
源出电流
峰源电流
电流通过芯片的功耗等级的限制。
连续电流通过封装的限制。
请参阅有关资料记载9397 750 12572 。
单脉冲雪崩额定值的限制由175最高结温
°C.
重复雪崩额定值受170的平均结温
°C.
请参考应用笔记AN10273了解更多信息。
300
I
D
(A)
200
003aac267
120
P
DER
(%)
80
03na19
100
40
(1)
0
0
50
100
150
T
mb
(°C)
200
0
0
50
100
150
T
mb
(°C)
P
合计
P
合计
(25°C )
200
V
GS
5V
P
DER
=
× 100 %
（ 1 ）上限为100 A ，由于包。
图1.连续漏电流的一个函数
安装基座的温度
如图2归一化的总功耗为
的安装基座温度功能
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10
3
I
AL
(A)
10
2
(1)
003aac266
(2)
10
(3)
1
10
-1
10
-3
10
-2
10
-1
1吨（MS ） 10
AL
（ 1 ）单脉冲;吨
j
= 25
°C.
（ 2 ）单脉冲;吨
j
= 150
°C.
（ 3 ）重复。
图3.单脉冲和重复雪崩额定值。雪崩电流的雪崩时间的函数
10
4
I
D
(A)
10
3
性限R
DSON
= V
DS
/ I
D
003aac271
t
p
= 10
μs
10
2
(1)
100
μs
10
DC
1
1毫秒
10毫秒
100毫秒
10
-1
10
-1
1
10
V
DS
(V)
10
2
T
mb
= 25
° ℃;我
DM
是单脉冲
（ 1 ）上限为100 A ，由于包。
图4.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏源电压的函数
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