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BUK9524-55A ; BUK9624-55A
的TrenchMOS 逻辑电平FET
版本01 - 2000年9月29日
产品speci fi cation
1.描述
N沟道增强型网络场效电源在一个塑料包装使用的晶体管
的TrenchMOS 技术,具有极低的导通电阻。
产品可用性:
BUK9524-55A在SOT78 ( TO- 220AB )
BUK9624-55A在SOT404
(D
2
-PAK ) 。
2.特点
s
s
s
s
的TrenchMOS 技术
Q101标准
175
°C
评级
兼容逻辑电平。
3.应用
c
c
s
汽车和通用电源开关:
x
12 V及24 V负载
x
电机,灯具和螺线管。
4.管脚信息
表1:
1
2
3
mb
钉扎 - SOT78和SOT404简化的外形和符号
描述
栅极(G )
mb
简化的轮廓
mb
符号
漏极(四)
源极(S )
安装底座;
连接到漏极(D)
2
MBK106
d
g
s
MBB076
1 2 3
1
3
MBK116
SOT78 ( TO- 220AB )
SOT404 (D
2
-Pak )
飞利浦半导体
BUK9524-55A ; BUK9624-55A
的TrenchMOS 逻辑电平FET
5.快速参考数据
表2:
V
DS
I
D
P
合计
T
j
R
DSON
快速参考数据
条件
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 5 V
T
mb
= 25
°C
V
GS
= 5 V ;我
D
= 25 A
V
GS
= 4.5 V ;我
D
= 25 A
典型值
20
最大
55
46
105
175
24
26
单位
V
A
W
°C
漏极 - 源极电压(直流)
漏电流( DC )
总功耗
结温
漏源导通电阻
符号参数
m
m
6.极限值
表3 :限制值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
符号参数
V
DS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D
漏极 - 源极电压(直流)
漏极 - 栅极电压(直流)
栅极 - 源极电压(直流)
非重复性的栅极 - 源极电压
漏电流( DC )
t
p
50
s
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 5 V;
图2
3
T
mb
= 100
°C;
V
GS
= 5 V;
图2
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
DR
I
DRM
W
DSS
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
工作结温
反向漏电流(DC)的
脉冲反向漏电流
非重复性雪崩能量
T
mb
= 25
°C
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
10
s
非钳位感性负载;我
D
= 46 A;
V
DS
25 V; V
GS
= 5 V ;
GS
= 50
;
起始物为
mb
= 25°C
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
10
s;
科幻gure 3
T
mb
= 25
°C;
图1
R
GS
= 20 k
条件
55
55
最大
55
55
±10
±15
46
33
188
105
+175
+175
46
188
76
单位
V
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
mJ
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
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BUK9524-55A ; BUK9624-55A
的TrenchMOS 逻辑电平FET
120
PDER (%)
03na19
03aa24
100
120
I
DER
(%)
100
80
80
60
60
40
40
20
20
0
0
25
50
75
100
125
150 175 200
o
TMB ( C)
0
0
25
50
75
100
125
150
175 200
o
TMB ( C)
P
合计
P
DER
=
----------------------
×
100%
P
°
合计
(
25 C
)
V
GS
4.5 V
I
D
I
DER
=
------------------
×
100%
-
I
°
D
(
25 C
)
看图1,归一化的总功耗为
功能安装基座的温度。
图2.归连续漏极电流为
功能安装基座的温度。
1000
ID
(A)
导通电阻= VDS / ID
03na08
100
TP = 10我们
100美
P
10
tp
δ
=
T
1毫秒
特区
tp
T
t
10毫秒
100毫秒
1
1
10
VDS ( V)
100
T
mb
= 25
°C;
I
DM
单脉冲。
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏 - 源极电压的函数。
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7.热特性
表4:
符号
R
号(j -a)的
热特性
参数
从结点到环境的热阻
SOT78
SOT404
R
日( J- MB )
从结点到安装热阻
BASE
条件
垂直静止空气中;
导线长度
5 mm;
图4
价值
60
50
1.4
单位
K / W
K / W
K / W
7.1瞬态热阻抗
03na07
10
第Z ( J- MB )
(K / W)
1
δ
= 0.5
0.2
0.1
10-1
P
0.05
0.02
单脉冲
δ
=
tp
T
tp
T
t
10-2
10-6
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
TP (多个)
1
图4.瞬态从结作为的函数的热阻抗,以安装基座
脉冲持续时间。
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8.特点
表5 :性质
T
j
= 25
°
C除非另有规定编
符号
V
( BR ) DSS
参数
漏源击穿
电压
条件
I
D
= 0.25毫安; V
GS
= 0 V
T
j
= 25
°C
T
j
=
55 °C
V
GS ( TH)
栅源阈值电压I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
;
图9
T
j
= 25
°C
T
j
= 175
°C
T
j
=
55 °C
I
DSS
漏极 - 源极漏电流
V
DS
= 55 V; V
GS
= 0 V
T
j
= 25
°C
T
j
= 175
°C
I
GSS
R
DSON
栅极 - 源极漏电流
漏极 - 源极导通状态
阻力
V
GS
=
±10
V; V
DS
= 0 V
V
GS
= 5 V ;我
D
= 25 A;
图7
8
T
j
= 25
°C
T
j
= 175
°C
V
GS
= 4.5 V ;我
D
= 25 A;
T
j
= 25
°C
V
GS
= 10 V ;我
D
= 25 A;
T
j
= 25
°C
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
L
d
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
从漏极引线6毫米
包芯中心
从接触螺丝
安装基座到的中心
死SOT78
从漏极上缘
安装基座到的中心
死SOT404
L
s
内部源极电感
从源铅源
焊盘
V
DD
= 30 V ;
L
= 1.2
;
V
GS
= 5 V ;
G
= 10
;
V
GS
= 0 V; V
DS
= 25 V;
F = 1兆赫;
图12
1361
239
162
17.5
104
82.5
80
4.5
3.5
1815
287
222
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nH
nH
19
21.7
m
26
m
20
24
50
m
m
0.05
2
10
500
100
A
A
nA
1
0.5
1.5
2
2.3
V
V
V
55
50
V
V
典型值
最大
单位
静态特性
2.5
nH
7.5
nH
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