BUK7L11-34ARC
TrenchPLUS标准水平FET
牧师03 - 2003年12月3日
产品数据
1.产品廓
1.1说明
N沟道增强型网络场效电源在一个塑料包装使用的晶体管
的TrenchMOS 技术，具有极低的导通电阻，积分门
电阻器， ESD保护二极管和钳位二极管来保护MOSFET的
雪崩。
1.2产品特点
s
ESD和过电压保护
s
内部栅极电阻
s
Q101标准
s
通态电阻8毫欧（典型值） 。
1.3应用
s
12 V负载
s
电机，灯具和螺线管。
1.4快速参考数据
s
V
DSR （CL）的
= 41 V（典型值）
s
I
D
≤
89 A
s
R
DSON
= 8毫欧（典型值）
s
P
合计
≤
172 W.
2.管脚信息
表1：
针
1
2
3
mb
穿针 - SOT78C ，简化的外形和符号
简化的轮廓
mb
描述
栅极（G ）
漏极（四）
源极（S ）
安装基座
连接到漏极（D）
符号
d
g
s
MBL521
1 2 3
MBL370
SOT78C （TO- 220）
飞利浦半导体
BUK7L11-34ARC
TrenchPLUS标准水平FET
3.订购信息
表2：
订购信息
包
名字
BUK7L11-34ARC
TO-220
描述
VERSION
塑料单端封装;散热器安装; 1安装孔; 3引线。 SOT78C
类型编号
4.极限值
表3：
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
参数
漏极 - 源极电压（直流）
漏极 - 栅极电压（直流）
栅极 - 源极电压（直流）
漏电流（ DC ）
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 10 V;
图2
和
3
T
mb
= 100
°C;
V
GS
= 10 V;
图2
I
DM
P
合计
I
DG （CL）的
I
GS （ CL ）
T
英镑
T
j
I
DR
I
DRM
E
DS （ CL ）S
峰值漏极电流
总功耗
漏极 - 栅极钳位电流
栅极 - 源极钳位电流
储存温度
结温
反向漏电流（DC）的
峰值反向漏电流
T
mb
= 25
°C
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s
[2]
[3]
条件
[1]
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
55
55
-
-
-
-
[1]
[1]
[2]
[3]
[2]
最大
34
34
±20
89
75
63
358
172
50
10
50
+175
+175
89
75
358
465
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
mA
mA
mA
°C
°C
A
A
A
mJ
R
GS
= 20 k
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s;
科幻gure 3
T
mb
= 25
°C;
图1
t
p
= 5毫秒;
δ
= 0.01
连续
t
p
= 5毫秒;
δ
= 0.01
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
非重复性漏极 - 源极钳位钳位感性负载;我
D
= 60 A;
能源
V
DS
≤
34 V; V
GS
= 10 V;
起始物为
j
= 25
°C
静电放电电压;所有
引脚
人体模型; C = 100 pF的;
R = 1.5 kΩ的
人体模型; C = 250 pF的;
R = 1.5 kΩ的
[1]
[2]
[3]
电压被钳位限制。
电流是由功耗芯片等级的限制。
连续电流通过封装的限制。
静电放电
V
ESD
-
-
8
6
kV
kV
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产品数据
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飞利浦半导体
BUK7L11-34ARC
TrenchPLUS标准水平FET
120
PDER
(%)
03na19
100
ID
(A)
75
03nj52
上限为75 a由于包
80
50
40
25
0
0
50
100
150
200
TMB （ ° C）
0
0
50
100
150
200
TMB （ ° C）
P
DER
P
合计
=
----------------------
×
100%
-
P
°
合计
(
25 C
)
V
GS
≥
10 V
看图1，归一化的总功耗为
功能安装基座的温度。
图2.连续漏电流的一个函数
安装基座的温度。
103
限制导通电阻= VDS / ID
TP = 10
s
102
100
s
上限为75 a由于包
1毫秒
DC
10
10毫秒
100毫秒
03nj50
ID
(A)
1
1
10
VDS （ V）
102
T
mb
= 25
°C;
I
DM
单脉冲。
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏 - 源极电压的函数。
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3 14
飞利浦半导体
BUK7L11-34ARC
TrenchPLUS标准水平FET
5.热特性
表4：
符号
R
号（j -a）的
R
日（ J- MB ）
热特性
参数
热阻结到
环境
热阻结到
安装底座
条件
垂直静止空气中
图4
民
-
-
典型值
60
0.55
最大
-
0.87
单位
K / W
K / W
5.1瞬态热阻抗
1
第Z （ J- MB ）
（K / W）
δ
= 0.5
0.2
10-1
0.1
0.05
0.02
03nj51
10-2
P
单发
δ
=
tp
T
tp
T
10-3
10-6
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
TP （多个）
t
1
图4.瞬态从结的热阻抗，以安装基座的脉冲持续时间的函数。
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产品数据
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4 14
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N沟道TrenchPLUS标准水平FET
牧师05 - 2009年2月17日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
标准电平N沟道增强型场效应晶体管（ FET）在一个塑料
包装用的TrenchMOS技术。这些器件包括内部栅极电阻和
TrenchPLUS二极管钳位和静电放电（ ESD）保护。这
产品的设计，并有资格用在适当的AEC标准
汽车关键应用。
1.2特点和优点
低导通损耗是由于低
导通状态电阻
Q101标准
减少了元件数量，由于
集成门极电阻
1.3应用
12 V负载
汽车系统
通用开关电源
电机，灯具和螺线管
1.4快速参考数据
表1中。
I
D
P
合计
快速参考
条件
V
GS
= 10 V ;牛逼
mb
= 25 °C;
SEE
图1 ;
SEE
科幻gure 3
T
mb
= 25°C ;看
图2
[1]
[2]
民
-
-
典型值
-
-
最大
89
172
单位
A
W
漏电流
总功率
耗散
漏源
导通状态电阻
符号参数
静态特性
R
DSON
V
GS
= 10 V ;我
D
= 30 A;
T
j
= 25°C ;看
图14 ;
SEE
图6
-
8
11
m
[1]
[2]
电流是由功耗芯片等级的限制。
请参阅有关资料记载9397 750 12572 。
恩智浦半导体
BUK7L11-34ARC
N沟道TrenchPLUS标准水平FET
4.极限值
表4 。
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
极限值
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流
T
mb
= 25 ℃; V
GS
= 10 V ;看
图1 ;
SEE
科幻gure 3
T
mb
= 100℃ ; V
GS
= 10 V ;看
图1
I
DM
P
合计
I
DG （CL）的
I
GS （ CL ）
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
E
DS （ CL ）S
峰值漏极电流
总功耗
漏极 - 栅极钳位
当前
栅极 - 源极钳位
当前
储存温度
结温
源出电流
峰源电流
不重复
漏极 - 源极钳位
能源
静电放电
电压
[1]
[2]
[3]
[4]
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
条件
T
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
175 °C
R
GS
= 20 k
[1]
[1]
[2][3]
[4]
民
-
-
-20
-
-
-
-
-
-
-
连续
-
-55
-55
T
mb
= 25 °C
t
p
≤
10微秒;脉冲;牛逼
mb
= 25 °C
I
D
= 60 A; V
DS
≤
34 V; V
GS
= 10 V ;
GS
= 50
;
松开;吨
J（下INIT ）
= 25 °C
[2][3]
[4]
雪崩耐用性
-
465
mJ
-
-
-
最大
34
34
20
89
75
63
358
172
50
50
10
175
175
89
75
358
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
mA
mA
mA
°C
°C
A
A
A
T
mb
= 25°C ;吨
p
≤
10微秒;脉冲;看
科幻gure 3
T
mb
= 25°C ;看
图2
脉冲;吨
p
= 5毫秒;
δ
= 0.01
源极 - 漏极二极管
静电放电
V
ESD
HBM ; C = 250 pF的; R = 1.5 kΩ的
HBM ; C = 100 pF的; R = 1.5 kΩ的
-
-
6
8
kV
kV
电压被钳位限制。
电流是由功耗芯片等级的限制。
请参阅有关资料记载9397 750 12572 。
连续电流通过封装的限制。
BUK7L11-34ARC_5
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