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BUK7905-40ATE
N沟道TrenchPLUS标准水平FET
牧师02 - 2009年2月10日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
标准电平N沟道增强型场效应晶体管（ FET）在一个塑料
包装用的TrenchMOS技术。该设备包括TrenchPLUS二极管
温度感应和静电放电（ ESD）保护。本产品已
设计和合格的到合适的AEC标准适用于汽车应用的关键
应用程序。
1.2特点和优点
允许温度响应
由于综合监控
温度传感器
强大的静电引起
综合保护二极管
低导通损耗是由于低
导通状态电阻
Q101标准
适用于标准水平栅极驱动
来源
1.3应用
电子助力转向
（ EPAS ）
可变气门正时发动机
1.4快速参考数据
表1中。
符号
V
DS
R
DSON
快速参考
参数
漏源电压
条件
T
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
175 °C
民
-
-
典型值
-
4.5
最大
40
5
单位
V
m
静态特性
漏源通态V
GS
= 10 V ;我
D
= 50 A;
阻力
T
j
= 25°C ;看
图7 ;
SEE
图8
温感
二极管温度
系数
温感
二极管正向
电压
I
F
= 250 μA ;牛逼
j
≥
-55 °C;
T
j
≤
175 °C
I
F
= 250 μA ;牛逼
j
= 25 °C
S
F（ TSD ）
-1.4
-1.54
-1.68
毫伏/ K
V
F（ TSD ）
648
658
668
mV
V
F（ TSD ） HYS
温感
二极管正向
电压迟滞
I
F
≤
250 μA ;牛逼
j
= 25 °C;
I
F
≥
125 A
25
32
50
mV
恩智浦半导体
BUK7905-40ATE
N沟道TrenchPLUS标准水平FET
2.管脚信息
表2中。
针
1
2
3
4
5
mb
管脚信息
符号
G
A
D
K
S
D
描述
门
阳极
漏
阴极
来源
安装底座;连接
漏
S
K
mbl317
简化的轮廓
mb
图形符号
D
A
G
12 3 4 5
SOT263B
(TO-220)
3.订购信息
表3中。
订购信息
类型编号
包
名字
描述
VERSION
BUK7905-40ATE的TO-220
塑料单端封装;散热器安装; 1安装孔; 5导SOT263B
TO-220
BUK7905-40ATE_2
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
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2 15
恩智浦半导体
BUK7905-40ATE
N沟道TrenchPLUS标准水平FET
4.极限值
表4 。
符号
V
DS
V
GS
I
D
极限值
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
T
mb
= 25 ℃; V
GS
= 10 V ;看
图2 ;
SEE
科幻gure 3
T
mb
= 100℃ ; V
GS
= 10 V ;看
图2
I
DM
P
合计
I
GS （ CL ）
峰值漏极电流
栅极 - 源极钳位
当前
T
mb
= 25°C ;吨
p
≤
10微秒;脉冲;看
科幻gure 3
连续
脉冲;吨
p
= 5毫秒;
δ
= 0.01
总功率耗散T
mb
= 25°C ;看
图1
[1]
[2]
[2]
条件
T
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
175 °C
民
-
-20
-
-
-
-
-
-
-
-100
最大
40
20
155
75
75
620
272
10
50
100
单位
V
V
A
A
A
A
W
mA
mA
V
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
V
ISOL （ FET - TSD ）
FET温度
检测二极管隔离
电压
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
E
DS （ AL ）S
储存温度
结温
源出电流
峰源电流
不重复
漏源
雪崩能量
静电
放电电压
[1]
[2]
-55
-55
T
mb
= 25 °C
t
p
≤
10微秒;脉冲;牛逼
mb
= 25 °C
I
D
= 75 A; V
SUP
≤
40 V ;
GS
= 50
;
V
GS
= 10 V;
T
J（下INIT ）
= 25°C ;松开
[1]
[2]
-
-
-
-
175
175
155
75
620
1.46
°C
°C
A
A
A
J
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
静电放电
V
ESD
HBM ; C = 100 pF的; R = 1.5 kΩ的
-
6
kV
电流是由功耗芯片等级的限制。
连续电流通过封装的限制。
BUK7905-40ATE_2
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
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恩智浦半导体
BUK7905-40ATE
N沟道TrenchPLUS标准水平FET
120
P
DER
(%)
80
03na19
160
I
D
(A)
120
03ng16
80
上限为75A
由于包
40
40
0
0
50
100
150
T
mb
(°C)
200
0
0
50
100
150
T
mb
(°C)
200
图2 。
图1 。
归一化的总功耗为
的安装基座温度功能
连续漏极电流的一个函数
安装基座的温度
103
ID
(A)
03ng17
限制导通电阻= VDS / ID
TP = 10微秒
102
上限为75 a由于包
100 s
1毫秒
DC
10
100毫秒
10毫秒
1
1
10
VDS （ V）
102
图3 。
安全工作区;连续和峰值漏电流与漏源电压的函数
BUK7905-40ATE_2
NXP B.V. 2009保留所有权利。
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恩智浦半导体
BUK7905-40ATE
N沟道TrenchPLUS标准水平FET
5.热特性
表5 。
符号
R
号（j -a）的
R
日（ J- MB ）
热特性
参数
条件
民
-
-
典型值
60
-
最大
-
0.55
单位
K / W
K / W
从垂直方向在静止空气的热阻
结到环境
自从看到热阻
图4
路口安装
BASE
1
Z
日（ J- MB ）
（K / W）
03ni64
δ
= 0.5
10-1
0.2
0.1
0.05
0.02
10-2
P
δ
=
tp
T
单发
tp
T
t
10-3
10-6
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1
TP （多个）
10
图4 。
从结点作为脉冲持续时间的函数的瞬态热阻抗安装基座
BUK7905-40ATE_2
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BUK71/7905-40ATE
TrenchPLUS标准水平FET
版本01 - 2003年8月20日
产品数据
1.产品廓
1.1说明
N沟道增强型网络场效电源在一个塑料包装使用的晶体管
的TrenchMOS 技术，显示了非常低的导通电阻和
TrenchPLUS二极管温度传感和ESD保护。
产品可用性：
BUK7105-40ATE在SOT426 （D
2
-Pak ）
BUK7905-40ATE在SOT263B （TO- 220）。
1.2产品特点
s
集成温度传感器
s
静电放电保护
s
Q101标准
s
标准电平兼容。
1.3应用
s
可变气门正时发动机
s
电子助力转向。
1.4快速参考数据
s
V
DS
≤
40 V
s
R
DSON
= 4.5毫欧（典型值）
s
V
F
= 658毫伏（典型值）
s
S
F
=
1.54
毫伏/ K （典型值） 。
2.管脚信息
表1：
针
1
2
3
4
5
mb
钢钉 - SOT426和SOT263B ，简化的外形和符号
简化的轮廓
mb
mb
描述
栅极（G ）
阳极（ A）
漏极（四）
阴极（ K）
源极（S ）
安装底座;
连接到漏极（D）
符号
d
a
g
1 2 3 4 5
MBL317
s
k
前视图
MBK127
1
5
SOT426 （D
2
-Pak ）
MBL263
SOT263B （TO- 220）
飞利浦半导体
BUK71/7905-40ATE
TrenchPLUS标准水平FET
3.极限值
表2 ：极限参数
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
DS
V
DGS
V
GS
I
D
参数
漏极 - 源极电压（直流）
漏极 - 栅极电压（直流）
栅极 - 源极电压（直流）
漏电流（ DC ）
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 10 V;
图2
和
3
T
mb
= 100
°C;
V
GS
= 10 V;
图2
I
DM
P
合计
I
GS （ CL ）
T
英镑
T
j
峰值漏极电流
总功耗
栅极 - 源极钳位电流
储存温度
结温
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s;
科幻gure 3
T
mb
= 25
°C;
图1
连续
t
p
= 5毫秒;
δ
= 0.01
[1]
[2]
[2]
条件
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
55
55
-
最大
40
40
±20
155
75
75
620
272
10
50
+175
+175
±100
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
mA
mA
°C
°C
V
V
ISOL （ FET - TSD ）
FET温度检测二极管
隔离电压
源极 - 漏极二极管
I
DR
I
DRM
E
DS （ AL ）S
反向漏电流（DC）的
峰值反向漏电流
非重复性雪崩能量
T
mb
= 25
°C
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s
非钳位感性负载;我
D
= 75 A;
V
DS
≤
40 V; V
GS
= 10 V;
R
GS
= 50
;
起始物为
j
= 25
°C
[1]
[2]
-
-
-
-
155
75
620
1.46
A
A
A
J
雪崩耐用性
静电放电
V
ESD
静电放电电压引脚人体模型; C = 100 pF的;
1,3,5
R = 1.5 kΩ的
-
6
kV
[1]
[2]
电流是由功耗芯片等级的限制
连续电流通过封装的限制。
9397 750 11694
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产品数据
版本01 - 2003年8月20日
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飞利浦半导体
BUK71/7905-40ATE
TrenchPLUS标准水平FET
120
PDER
(%)
80
03na19
160
ID
(A)
120
03ng16
80
40
40
在75A ，由于封装封顶
0
0
50
100
150
200
TMB
(°C)
0
0
50
100
150
TMB （℃ ）
200
P
合计
P
DER
=
----------------------
×
100%
-
P
°
合计
(
25 C
)
V
GS
≥
10 V
看图1，归一化的总功耗为
功能安装基座的温度。
图2.连续漏电流的一个函数
安装基座的温度。
103
ID
(A)
03ng17
限制导通电阻= VDS / ID
TP = 10微秒
102
上限为75 a由于包
100 s
1毫秒
DC
10
100毫秒
10毫秒
1
1
10
VDS （ V）
102
T
mb
= 25
°C;
I
DM
单脉冲。
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏 - 源极电压的函数。
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TrenchPLUS标准水平FET
4.热特性
表3：
符号
R
号（j -a）的
热特性
参数
从结点到环境的热阻
SOT263B
SOT426
R
日（ J- MB ）
从结点到安装热阻
BASE
垂直静止空气中
安装在印刷电路
板;最小的足迹
图4
-
-
-
60
50
-
-
-
0.55
K / W
K / W
K / W
条件
民
典型值
最大
单位
4.1瞬态热阻抗
1
Z
日（ J- MB ）
（K / W）
03ni64
δ
= 0.5
10-1
0.2
0.1
0.05
0.02
10-2
P
δ
=
tp
T
单发
tp
T
t
10-3
10-6
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1
TP （多个）
10
图4.瞬态从结的热阻抗，以安装基座的脉冲持续时间的函数。
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TrenchPLUS标准水平FET
5.特点
表4 ：特性
T
j
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
V
（ BR ） DSS
参数
漏源击穿
电压
条件
I
D
= 0.25毫安; V
GS
= 0 V
T
j
= 25
°C
T
j
=
55 °C
V
GS （ TH）
栅源阈值电压I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
;
图9
T
j
= 25
°C
T
j
= 175
°C
T
j
=
55 °C
I
DSS
漏极 - 源极漏电流
V
DS
= 40 V; V
GS
= 0 V
T
j
= 25
°C
T
j
= 175
°C
V
（ BR ） GSS
I
GSS
栅源击穿
电压
栅极 - 源极漏电流
I
G
=
±1
毫安;
55 °C
＆ LT ;吨
j
< 175
°C
V
GS
=
±10
V; V
DS
= 0 V
T
j
= 25
°C
T
j
= 175
°C
R
DSON
漏极 - 源极导通状态
阻力
V
GS
= 10 V ;我
D
= 50 A;
图7
和
8
T
j
= 25
°C
T
j
= 175
°C
V
F
S
F
V
HYS
正向电压，温度
检测二极管
温度COEF网络cient
温度检测二极管
温度检测二极管
正向电压滞后
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极（米勒）电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
V
DS
= 30 V ;
L
= 1.2
;
V
GS
= 10 V ;
G
= 10
V
GS
= 0 V; V
DS
= 25 V;
F = 1兆赫;
图12
I
F
= 250
A
I
F
= 250
A;
55 °C
＆ LT ;吨
j
< 175
°C
125
A
＆ LT ;我
F
＆ LT ; 250
A
-
-
648
1.4
25
4.5
-
658
1.54
32
5
9.5
668
1.68
50
m
m
mV
毫伏/ K
mV
-
-
22
-
1000
10
nA
A
-
-
20
0.1
-
22
10
250
-
A
A
V
2
1
-
3
-
-
4
-
4.4
V
V
V
40
36
-
-
-
-
V
V
民
典型值
最大
单位
静态特性
动态特性
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
= 10V; V
DS
= 32 V;
I
D
= 25 A;
图14
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
118
16
57
4500
1500
960
35
115
155
110
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
nC
nC
nC
pF
pF
pF
nS
nS
nS
nS
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产品数据
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BUK71/7905-40ATE
TrenchPLUS标准水平FET
版本01 - 2003年8月20日
产品数据
1.产品廓
1.1说明
N沟道增强型网络场效电源在一个塑料包装使用的晶体管
的TrenchMOS 技术，显示了非常低的导通电阻和
TrenchPLUS二极管温度传感和ESD保护。
产品可用性：
BUK7105-40ATE在SOT426 （D
2
-Pak ）
BUK7905-40ATE在SOT263B （TO- 220）。
1.2产品特点
s
集成温度传感器
s
静电放电保护
s
Q101标准
s
标准电平兼容。
1.3应用
s
可变气门正时发动机
s
电子助力转向。
1.4快速参考数据
s
V
DS
≤
40 V
s
R
DSON
= 4.5毫欧（典型值）
s
V
F
= 658毫伏（典型值）
s
S
F
=
1.54
毫伏/ K （典型值） 。
2.管脚信息
表1：
针
1
2
3
4
5
mb
钢钉 - SOT426和SOT263B ，简化的外形和符号
简化的轮廓
mb
mb
描述
栅极（G ）
阳极（ A）
漏极（四）
阴极（ K）
源极（S ）
安装底座;
连接到漏极（D）
符号
d
a
g
1 2 3 4 5
MBL317
s
k
前视图
MBK127
1
5
SOT426 （D
2
-Pak ）
MBL263
SOT263B （TO- 220）
飞利浦半导体
BUK71/7905-40ATE
TrenchPLUS标准水平FET
3.极限值
表2 ：极限参数
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
DS
V
DGS
V
GS
I
D
参数
漏极 - 源极电压（直流）
漏极 - 栅极电压（直流）
栅极 - 源极电压（直流）
漏电流（ DC ）
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 10 V;
图2
和
3
T
mb
= 100
°C;
V
GS
= 10 V;
图2
I
DM
P
合计
I
GS （ CL ）
T
英镑
T
j
峰值漏极电流
总功耗
栅极 - 源极钳位电流
储存温度
结温
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s;
科幻gure 3
T
mb
= 25
°C;
图1
连续
t
p
= 5毫秒;
δ
= 0.01
[1]
[2]
[2]
条件
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
55
55
-
最大
40
40
±20
155
75
75
620
272
10
50
+175
+175
±100
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
mA
mA
°C
°C
V
V
ISOL （ FET - TSD ）
FET温度检测二极管
隔离电压
源极 - 漏极二极管
I
DR
I
DRM
E
DS （ AL ）S
反向漏电流（DC）的
峰值反向漏电流
非重复性雪崩能量
T
mb
= 25
°C
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s
非钳位感性负载;我
D
= 75 A;
V
DS
≤
40 V; V
GS
= 10 V;
R
GS
= 50
;
起始物为
j
= 25
°C
[1]
[2]
-
-
-
-
155
75
620
1.46
A
A
A
J
雪崩耐用性
静电放电
V
ESD
静电放电电压引脚人体模型; C = 100 pF的;
1,3,5
R = 1.5 kΩ的
-
6
kV
[1]
[2]
电流是由功耗芯片等级的限制
连续电流通过封装的限制。
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TrenchPLUS标准水平FET
120
PDER
(%)
80
03na19
160
ID
(A)
120
03ng16
80
40
40
在75A ，由于封装封顶
0
0
50
100
150
200
TMB
(°C)
0
0
50
100
150
TMB （℃ ）
200
P
合计
P
DER
=
----------------------
×
100%
-
P
°
合计
(
25 C
)
V
GS
≥
10 V
看图1，归一化的总功耗为
功能安装基座的温度。
图2.连续漏电流的一个函数
安装基座的温度。
103
ID
(A)
03ng17
限制导通电阻= VDS / ID
TP = 10微秒
102
上限为75 a由于包
100 s
1毫秒
DC
10
100毫秒
10毫秒
1
1
10
VDS （ V）
102
T
mb
= 25
°C;
I
DM
单脉冲。
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏 - 源极电压的函数。
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4.热特性
表3：
符号
R
号（j -a）的
热特性
参数
从结点到环境的热阻
SOT263B
SOT426
R
日（ J- MB ）
从结点到安装热阻
BASE
垂直静止空气中
安装在印刷电路
板;最小的足迹
图4
-
-
-
60
50
-
-
-
0.55
K / W
K / W
K / W
条件
民
典型值
最大
单位
4.1瞬态热阻抗
1
Z
日（ J- MB ）
（K / W）
03ni64
δ
= 0.5
10-1
0.2
0.1
0.05
0.02
10-2
P
δ
=
tp
T
单发
tp
T
t
10-3
10-6
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1
TP （多个）
10
图4.瞬态从结的热阻抗，以安装基座的脉冲持续时间的函数。
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5.特点
表4 ：特性
T
j
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
V
（ BR ） DSS
参数
漏源击穿
电压
条件
I
D
= 0.25毫安; V
GS
= 0 V
T
j
= 25
°C
T
j
=
55 °C
V
GS （ TH）
栅源阈值电压I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
;
图9
T
j
= 25
°C
T
j
= 175
°C
T
j
=
55 °C
I
DSS
漏极 - 源极漏电流
V
DS
= 40 V; V
GS
= 0 V
T
j
= 25
°C
T
j
= 175
°C
V
（ BR ） GSS
I
GSS
栅源击穿
电压
栅极 - 源极漏电流
I
G
=
±1
毫安;
55 °C
＆ LT ;吨
j
< 175
°C
V
GS
=
±10
V; V
DS
= 0 V
T
j
= 25
°C
T
j
= 175
°C
R
DSON
漏极 - 源极导通状态
阻力
V
GS
= 10 V ;我
D
= 50 A;
图7
和
8
T
j
= 25
°C
T
j
= 175
°C
V
F
S
F
V
HYS
正向电压，温度
检测二极管
温度COEF网络cient
温度检测二极管
温度检测二极管
正向电压滞后
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极（米勒）电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
V
DS
= 30 V ;
L
= 1.2
;
V
GS
= 10 V ;
G
= 10
V
GS
= 0 V; V
DS
= 25 V;
F = 1兆赫;
图12
I
F
= 250
A
I
F
= 250
A;
55 °C
＆ LT ;吨
j
< 175
°C
125
A
＆ LT ;我
F
＆ LT ; 250
A
-
-
648
1.4
25
4.5
-
658
1.54
32
5
9.5
668
1.68
50
m
m
mV
毫伏/ K
mV
-
-
22
-
1000
10
nA
A
-
-
20
0.1
-
22
10
250
-
A
A
V
2
1
-
3
-
-
4
-
4.4
V
V
V
40
36
-
-
-
-
V
V
民
典型值
最大
单位
静态特性
动态特性
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
= 10V; V
DS
= 32 V;
I
D
= 25 A;
图14
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
118
16
57
4500
1500
960
35
115
155
110
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
nC
nC
nC
pF
pF
pF
nS
nS
nS
nS
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