BUK7905-40AI
N沟道TrenchPLUS标准水平FET
牧师02 - 2009年2月16日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
标准电平N沟道增强型场效应晶体管（ FET）在一个塑料
包装用的TrenchMOS技术。该设备包括TrenchPLUS电流
感应。该产品的设计和合格的到合适的AEC标准
在汽车关键应用。
1.2特点和优点
低导通损耗是由于低
导通状态电阻
Q101标准
减少了元件数量，由于
集成电流传感器
适用于标准水平栅极驱动
来源
1.3应用
电子助力转向
（ EPAS ）
可变气门正时发动机
1.4快速参考数据
表1中。
V
DS
I
D
快速参考
条件
V
GS
= 10 V ;牛逼
mb
= 25 °C;
SEE
图2 ;
SEE
图3 ;
V
GS
= 10 V ;我
D
= 50 A;
T
j
= 25°C ;看
图7 ;
SEE
图8
T
j
> -55 ℃; V
GS
> 10 V ;
T
j
< 175℃
[1]
民
-
-
典型值
-
-
最大
40
155
单位
V
A
漏 - 源电压
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
175 °C
漏电流
符号参数
静态特性
R
DSON
漏源
导通状态电阻
漏电流的比值
感测电流
-
4.5
5
m
I
D
/I
SENSE
450
500
550
[1]
电流是由功耗芯片等级的限制。
恩智浦半导体
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2.管脚信息
表2中。
针
1
2
3
4
5
mb
管脚信息
符号
G
ISENSE
D
KS
S
D
描述
门
电流检测
漏
开尔文源
来源
安装底座;连接
漏
ISENSE s
开尔文源
03nl64
简化的轮廓
mb
图形符号
d
g
12 3 4 5
SOT263B
(TO-220)
3.订购信息
表3中。
订购信息
类型编号
包
名字
描述
VERSION
BUK7905-40AI
TO-220
塑料单端封装;散热器安装; 1安装孔; 5导SOT263B
TO-220
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4.极限值
表4 。
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
极限值
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流
T
mb
= 25 ℃; V
GS
= 10 V ;看
图2 ;
SEE
图3 ;
T
mb
= 100℃ ; V
GS
= 10 V ;看
图2 ;
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
E
DS （ AL ）S
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
源出电流
峰源电流
T
mb
= 25 °C;
t
p
≤
10微秒;脉冲;牛逼
mb
= 25 °C
[1]
[2]
雪崩耐用性
不重复
I
D
= 75 A; V
SUP
≤
40 V ;
GS
= 50
;
V
GS
= 10 V;
漏源雪崩牛逼
J（下INIT ）
= 25°C ;松开
能源
静电放电
电压
[1]
[2]
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
条件
T
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
175 °C
R
GS
= 20 k
[1]
[2]
[2]
民
-
-
-20
-
-
-
-
-
-55
-55
-
-
-
-
最大
40
40
20
155
75
75
620
272
175
175
155
75
620
1.46
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
A
A
A
J
T
mb
= 25°C ;吨
p
≤
10微秒;脉冲;看
科幻gure 3
T
mb
= 25°C ;看
图1
源极 - 漏极二极管
静电放电
V
ESD
HBM ; C = 100 pF的; R = 1.5 kΩ的
-
4
kV
电流是由功耗芯片等级的限制。
连续电流通过封装的限制。
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