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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第50页 > BUK7880-55A
BUK7880-55A
N沟道的TrenchMOS标准水平FET
版本01 - 2007年11月1日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
N沟道增强型功率场效应晶体管（ FET）在一个塑料包装
采用恩智浦通用汽车（ GPA）的TrenchMOS技术。
1.2产品特点
I
极低的通态电阻
I
150
°C
评级
I
Q101标准
I
标准电平兼容
1.3应用
I
汽车系统
I
电机，灯具和螺线管
I
通用开关电源
I
12 V及24 V负载
1.4快速参考数据
I
E
DS （ AL ）S
≤
53兆焦耳
I
I
D
≤
7 A
I
R
DSON
= 68毫欧（典型值）
I
P
合计
≤
8 W
2.管脚信息
表1中。
针
1
2
3
4
钉扎
描述
栅极（G ）
漏极（四）
源极（S ）
焊点;连接到漏极（D）的
mbb076
简化的轮廓
4
符号
D
G
S
1
2
3
sot223_so
SOT223 （ SC- 73 ）
恩智浦半导体
BUK7880-55A
N沟道的TrenchMOS标准水平FET
3.订购信息
表2中。
订购信息
包
名字
BUK7880-55A
SC-73
描述
塑料表面贴装封装，增加了散热片; 4引线
VERSION
SOT223
类型编号
4.极限值
表3中。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
DR
I
DRM
E
DS （ AL ）S
E
DS （ AL ）R
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压（直流）
栅源电压
漏电流
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
反向漏电流
峰值反向漏电流
非重复性漏源雪崩
能源
重复的漏源雪崩
能源
T
sp
= 25
°C
T
sp
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s
非钳位感性负载;我
D
= 7 A; V
DS
≤
55 V;
R
GS
= 50
;
V
GS
= 10 V ;开始在T
j
= 25
°C
[1]
条件
R
GS
= 20 k
T
sp
= 25
°C;
V
GS
= 10 V ;看
图2
和
3
T
sp
= 100
°C;
V
GS
= 10 V ;看
图2
T
sp
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s;
SEE
科幻gure 3
T
sp
= 25
°C;
SEE
图1
最小最大
-
-
-
-
-
-
-
55
55
±20
7
5
30
8
单位
V
V
V
A
A
A
W
55
+150
°C
55
+150
°C
-
-
-
-
7
30
53
-
A
A
mJ
J
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
[1]
条件：
a）最大的价值没有报价。重复评价德网络中定义
图16 。
b）单脉冲雪崩额定值限制T
J（下最大）
150
°C.
三）重复雪崩额定值受150的平均结温
°C.
四）请参阅应用笔记
AN10273
了解更多信息。
BUK7880-55A_1
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
产品数据表
版本01 - 2007年11月1日
2 13
恩智浦半导体
BUK7880-55A
N沟道的TrenchMOS标准水平FET
120
P
DER
(%)
80
03aa17
8
I
D
(A)
6
003aab532
4
40
2
0
0
50
100
150
T
sp
(
°
C)
200
0
0
50
100
T
sp
(°C)
150
P
合计
P
DER
=
-----------------------
×
100
%
-
P
合计
(
25°C
)
看图1，归一化的总功耗为
的焊点温度功能
10
2
I
D
(A)
性限R
DSON
= V
DS
/ I
D
10
V
GS
≥
10 V
图2.连续漏电流的一个函数
焊点温度
003aab530
t
p
= 10
s
100
s
1毫秒
1
DC
10毫秒
100毫秒
10
-1
10
-1
1
10
V
DS
(V)
10
2
T
sp
= 25
°C;
I
DM
是单一脉冲。
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏源电压的函数
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3 13
恩智浦半导体
BUK7880-55A
N沟道的TrenchMOS标准水平FET
5.热特性
表4 。
符号
R
号（j -a）的
R
日（J -SP ）
热特性
参数
从结点到环境的热阻
从结热阻到焊点
条件
民
-
-
典型值
70
-
最大
-
15
单位
K / W
K / W
10
2
Z
日（J -SP ）
（K / W）
10
δ
= 0.5
0.2
0.1
1 0.05
0.02
P
003aab529
δ
=
t
p
T
10
-1
单发
t
p
T
t
10
-2
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
t
p
(s)
1
图4.瞬态结点的热阻抗焊接点，作为脉冲持续时间的函数
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恩智浦半导体
BUK7880-55A
N沟道的TrenchMOS标准水平FET
6.特性
表5 。
特征
T
j
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
V
（ BR ） DSS
参数
条件
民
典型值
最大
单位
静态特性
漏源击穿电压I
D
= 250
A;
V
GS
= 0 V
T
j
= 25
°C
T
j
=
55 °C
V
GS （ TH）
门源阈值电压
I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
;看
图9
T
j
= 25
°C
T
j
= 150
°C
T
j
=
55 °C
I
DSS
漏极漏电流
V
DS
= 55 V; V
GS
= 0 V
T
j
= 25
°C
T
j
= 150
°C
I
GSS
R
DSON
栅极漏电流
V
GS
=
±20
V; V
DS
= 0 V
T
j
= 25
°C
T
j
= 150
°C
动态特性
Q
G（ TOT ）
Q
GS
Q
GD
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
rr
Q
r
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源 - 漏电压
反向恢复时间
恢复电荷
I
S
= 15 A; V
GS
= 0 V ;看
图15
I
S
= 20 A;的dI
S
/ DT =
100
A / μs的;
V
GS
=
10
V; V
R
= 30 V
V
DS
= 30 V ;
L
= 1.2
;
V
GS
= 10 V ;
G
= 10
V
GS
= 0 V; V
DS
= 25 V ; F = 1兆赫;
SEE
图12
I
D
= 10 A; V
DD
= 44 V; V
GS
= 10 V;
SEE
图14
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
12
2.5
5
374
92
62
8
52
17
9
0.85
33
31
-
-
-
500
110
85
-
-
-
-
1.2
-
-
nC
nC
nC
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
nC
漏源导通电阻V
GS
= 10 V ;我
D
= 10 A;看
图6
和
8
-
-
68
-
80
148
m
m
-
-
-
0.05
-
2
10
500
100
A
A
nA
2
1.2
-
3
-
-
4
-
4.4
V
V
V
55
50
-
-
-
-
V
V
源极 - 漏极二极管
BUK7880-55A_1
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
产品数据表
版本01 - 2007年11月1日
5 13
飞利浦半导体
产品speci fi cation
的TrenchMOS 晶体管
标准水平FET
概述
N沟道增强模式的逻辑
在水平场效应功率晶体管
适用于表面的塑料封套
安装。运用
“海沟”
施工技术的
该器件具有非常低的导通状态
性，并具有完整的齐纳
二极管提供ESD保护。这是
旨在用于汽车和
一般
用途
开关
应用程序。
BUK7880-55
快速参考数据
符号
V
DS
I
D
P
合计
T
j
R
DS （ ON）
参数
漏源电压
漏电流
总功耗
结温
漏极 - 源极导通状态
阻力
V
GS
= 10 V
马克斯。
55
7.5
1.8
150
80
单位
V
A
W
C
m
钉扎 - SOT223
针
1
2
3
4
门
漏
来源
漏极（选项卡）
描述
引脚配置
4
符号
d
g
s
1
2
3
极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值
符号
V
DS
V
DGR
±V
GS
I
D
I
D
I
D
I
DM
P
合计
P
合计
T
英镑
, T
j
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流（ DC ）
漏电流（ DC ）
漏电流（ DC ）
漏极电流（脉冲峰值）
总功耗
总功耗
存储&工作温度
条件
-
R
GS
= 20 k
-
T
sp
= 25 C
在PCB图2
T
AMB
= 25 C
在PCB图2
T
AMB
= 100 C
T
sp
= 25 C
T
sp
= 25 C
在PCB图2
T
AMB
= 25 C
-
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
- 55
马克斯。
55
55
16
7.5
3.5
2.2
40
8.3
1.8
150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
W
C
ESD限值
符号
V
C
参数
静电放电电容
电压
条件
人体模型
（ 100 pF的， 1.5千欧）
分钟。
-
马克斯。
2
单位
kV
1998年4月
1
启1.100
飞利浦半导体
产品speci fi cation
的TrenchMOS 晶体管
标准水平FET
热阻
符号
R
日J- SP
R
日J- AMB
参数
从结点到焊点
从结点到环境
条件
安装在任何PCB
安装在印刷电路板图18的
典型值。
12
-
BUK7880-55
马克斯。
15
70
单位
K / W
K / W
静态特性
T
j
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TO ）
I
DSS
I
GSS
±V
（ BR ） GSS
R
DS （ ON）
参数
漏源击穿
电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
栅源击穿
电压
漏极 - 源极导通状态
阻力
条件
V
GS
= 0 V ;我
D
= 0.25毫安
T
j
= -55C
V
DS
= V
GS
; I
D
= 1毫安
T
j
= 150C
T
j
= -55C
V
DS
= 55 V; V
GS
= 0 V;
V
GS
=
±10
V
I
G
=
±1
毫安;
V
GS
= 10 V ;我
D
= 5 A
T
j
= 150C
T
j
= 150C
T
j
= 150C
分钟。
55
50
2
1.2
-
-
-
-
-
16
-
-
典型值。
-
-
3
-
-
0.05
-
0.04
-
-
65
-
马克斯。
-
-
4
-
4.4
10
100
1
10
-
80
148
单位
V
V
V
V
A
A
A
A
V
m
m
动态特性
T
mb
= 25 ° C除非另有说明
符号
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D ON
t
r
t
D OFF
t
f
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反馈电容
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
条件
V
DS
= 25 V ;我
D
= 5 A;牛逼
j
= 25C
V
GS
= 0 V; V
DS
= 25 V ; F = 1 MHz的
分钟。
1
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
4
365
110
60
9
15
18
12
马克斯。
-
500
135
85
14
25
27
18
单位
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
DD
= 30 V ;我
D
= 7 A;
V
GS
= 10 V ;
G
= 10
;
T
j
= 25C
反向二极管极限值和特性
T
j
= -55至175℃ ，除非另有说明
符号
I
DR
I
DRM
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
连续反向漏
当前
脉冲反向漏电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
条件
T
sp
= 25C
T
sp
= 25C
I
F
= 5 A; V
GS
= 0 V
I
F
= 5 A; -dI
F
/ DT = 100 A / μs的;
V
GS
= -10 V; V
R
= 30 V
分钟。
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
0.85
38
0.2
马克斯。
7.5
40
1.1
-
-
单位
A
A
V
ns
C
1998年4月
2
启1.100
飞利浦半导体
产品speci fi cation
的TrenchMOS 晶体管
标准水平FET
雪崩限值
符号
W
DSS
参数
漏源不重复
非钳位电感关断
能源
条件
I
D
= 2.5 A; V
DD
≤
25 V;
V
GS
= 10 V ;
GS
= 50
;
T
sp
= 25 C
分钟。
-
典型值。
-
BUK7880-55
马克斯。
30
单位
mJ
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
PD ％
归一化功率降额
100
ID / A
RDS （ ON）= VDS / ID
10
TP =
1美国
10us
100美
1毫秒
10ms
100ms
DC
1
0
20
40
60
80
100
TMB / C
120
140
0.1
1
10
VDS / V
100
图1 。归一化的功率耗散。
PD ％ = 100
P
D
/P
D 25 C
= F （T
sp
)
如图3所示。安全工作区。牛逼
sp
= 25 C
I
D
＆放大器;我
DM
= F（V
DS
); I
DM
单脉冲;参数t
p
第Z / （K / W）
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
ID％
归一化电流降额
100
10
0.5
0.2
1
0.1
0.05
0.02
P
D
t
p
D=
t
p
T
t
0.1
T
0
20
40
60
80
TMB / C
100
120
140
0.01
1.0E-06
0.0001
T / S
0.01
1
100
图2 。正常化的连续漏极电流。
ID％ = 100
I
D
/I
D 25 C
= F （T
sp
） ;条件： V
GS
≥
10 V
图4 。瞬态热阻抗。
Z
日J- SP
= F（T） ;参数D = T
p
/T
1998年4月
3
启1.100
飞利浦半导体
产品speci fi cation
的TrenchMOS 晶体管
标准水平FET
BUK7880-55
40
ID / A
30
16
12
10
9.5
9.0
8.5
8.0
7.5
9
GFS / S
8
7
6
5
4
3
2
20
7.0
6.5
10
6.0
5.5
0
5.0
4.5
4.0
0
2
4
VDS / V
6
8
10
0
5
10
ID / A
15
20
图5 。典型的输出特性，T
j
= 25 C.
I
D
= F（V
DS
） ;参数V
GS
RDS （ ON） /毫欧
图8 。典型的跨导，T
j
= 25 C.
g
fs
= F（我
D
） ;条件： V
DS
= 25 V
130
120
110
100
90
80
70
60
2.5
6
a
BUK98XX-55
RDS（ON）标准化为25degC
2
6.5
7
8
9
10
1.5
1
0
5
10 ID / A
15
20
25
30
0.5
-100
-50
0
50
TMB /摄氏度
100
150
200
图6 。典型通态电阻，T
j
= 25 C.
R
DS （ ON）
= F（我
D
） ;参数V
GS
20
ID / A
15
图9 。正常化漏极 - 源极导通电阻。
一 - R的
DS （ ON）
/R
DS （ ON） 25 C
= F （T
j
); I
D
= 5 A; V
GS
= 10 V
VGS （ TO ） / V
马克斯。
4
典型值。
3
BUK78xx-55
5
10
分钟。
2
5
1
TJ / C =
0
150
25
0
1
2
3
4
5
VGS / V
6
7
8
9
0
-100
-50
0
50
TJ / C
100
150
200
图7 。典型的传输特性。
I
D
= F（V
GS
） ;条件： V
DS
= 25 V ;参数T
j
图10 。栅极阈值电压。
V
GS （ TO ）
= F （T
j
） ;条件：我
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
1998年4月
4
启1.100
飞利浦半导体
产品speci fi cation
的TrenchMOS 晶体管
标准水平FET
BUK7880-55
1E-01
亚阈值传导
40
IF / A
1E-02
2%
典型值
98%
30
TJ / V =
20
150
25
1E-03
1E-04
10
1E-05
1E-06
0
0
1
2
3
4
5
0
0.5
1
VSDS / V
1.5
2
图11 。亚阈值漏电流。
I
D
= F（V
GS ）
;条件：T已
j
= 25 ℃; V
DS
= V
GS
1
.9
.8
数千pF的
.7
.6
.5
.4
.3
.2
.1
0
0.01
0.1
1
VDS / V
10
科斯
CRSS
100
西塞
图14 。典型的反向二极管电流。
I
F
= F（V
SDS
） ;条件： V
GS
= 0 V ;参数T
j
WDSS ％
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
20
40
60
80
100
TMB / C
120
140
图12 。典型的电容，C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
.
C = F（V
DS
） ;条件： V
GS
= 0 V ; F = 1 MHz的
12
VDS / V
10
图15 。正常化雪崩能量等级。
W
DSS
（％）= F（T
sp
） ;条件：我
D
= 2.5 A
+
L
VDS = 14V
VDD
8
VDS = 44V
6
VDS
VGS
0
RGS
T.U.T.
R 01
分流
-
-ID/100
4
2
0
0
5
QG / NC
10
15
图13 。典型导通栅极电荷特性。
V
GS
= F （Q
G
） ;条件：我
D
= 7 A;参数V
DS
图16 。雪崩能量测试电路。
2
W
DSS
=
0.5
LI
D
BV
DSS
/ （ BV
DSS
V
DD
)
1998年4月
5
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