飞利浦半导体
产品speci fi cation
的TrenchMOS 晶体管
标准水平FET
BUK7640-100A
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
漏极电流ID （ A）
TJ = 25℃
VGS = 10V
8V
6V
40
35
30
25
5.4 V
5.2 V
5V
4.8 V
4.6 V
4.4 V
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
漏 - 源电压， VDS （V ）
1.6
1.8
2
20
15
10
5
0
漏极电流ID （ A）
VDS > ID X RDS （ ON）
TJ = 25℃
175 C
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
栅 - 源电压，V GS （V）的
图5 。典型的输出特性，T
j
= 25 C.
I
D
= F（V
DS
)
图8 。典型的传输特性。
I
D
= F（V
GS
)
0.1
0.09
0.08
0.07
0.06
0.05
0.04
0.03
0.02
0.01
0
漏极 - 源极导通电阻， RDS （ ON） （欧姆）
5V
4.8 V
5.2 V
5.4 V
TJ = 25℃
70
GFS / S
60
50
40
6V
8V
VGS = 10V
30
20
10
0
0
5
10
15
20
25
30
漏极电流ID （ A）
35
40
45
50
0
10
ID / A
20
30
40
图6 。典型通态电阻，T
j
= 25 C.
R
DS （ ON）
= F（我
D
)
图9 。典型的跨导，T
j
= 25 C.
g
fs
= F（我
D
)
RDS（ON）标准化为25degC
38
3
a
RDS （ ON）欧姆
36
34
2.5
2
32
30
28
26
1
2
3
VGS / V
4
5
0.5
-100
-50
0
50
100
TMB /摄氏度
150
200
1.5
1
图7 。典型通态电阻，T
j
= 25 C.
R
DS （ ON）
= F（V
GS
） ;条件：我
D
= 25 A;
图10 。正常化漏极 - 源极导通电阻。
R
DS （ ON）
/R
DS （ ON） 25 C
= F （T
j
)
1999年12月
4
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
的TrenchMOS 晶体管
标准水平FET
BUK7640-100A
5
VGS （ TO ） / V
马克斯。
BUK759-60
10
VGS / V
9
8
7
VDS = 14V
VDS = 44V
4
典型值。
3
分钟。
2
6
5
4
3
1
2
1
0
-100
0
-50
0
50
TJ / C
100
150
200
0
10
20
QG / NC
30
40
图11 。栅极阈值电压。
V
GS （ TO ）
= F （T
j
） ;条件：我
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
图14 。典型导通栅极电荷特性。
V
GS
= F （Q
G
)
1E-01
亚阈值传导
源极 - 漏极二极管电流IF （ A）
50
45
40
35
VGS = 0 V
1E-02
2%
典型值
98%
1E-03
30
25
20
15
10
175 C
TJ = 25℃
1E-04
1E-05
5
0
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
1
1.1 1.2 1.3 1.4 1.5
1E-06
0
1
2
3
4
5
源极 - 漏极电压， VSDS （V ）
图12 。亚阈值漏电流。
I
D
= F（V
GS ）
;条件：T已
j
= 25 ℃; V
DS
= V
GS
图15 。典型的反向二极管电流。
I
F
= F（V
SDS
） ;条件： V
GS
= 0 V ;参数T
j
WDSS ％
120
3.5
3.0
110
100
90
80
70
60
电容/ PF
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0.01
科斯
CRSS
0.1
1
VDS / V
10
100
西塞
50
40
30
20
10
0
20
40
60
80
100
120
TMB / C
140
160
180
图13 。典型的电容，C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
.
C = F（V
DS
） ;条件： V
GS
= 0 V ; F = 1 MHz的
图16 。正常化雪崩能量等级。
W
DSS
（％）= F（T
mb
） ;条件：我
D
= 75 A
1999年12月
5
启1.000
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