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飞利浦半导体
产品speci fi cation
的TrenchMOS 晶体管
标准水平FET
概述
N沟道增强模式
标准级场效应功率
晶体管在一个塑料外壳
适合于表面安装。运用
“沟”技术设备
具有非常低的导通电阻
并拥有完整的齐纳二极管捐赠
ESD保护高达2kV的。这是
旨在用于汽车和
一般
用途
开关
应用程序。
BUK7614-55
快速参考数据
符号
V
DS
I
D
P
合计
T
j
R
DS （ ON）
参数
漏源电压
漏电流（ DC ）
总功耗
结温
漏极 - 源极导通状态
阻力
V
GS
= 10 V
马克斯。
55
68
142
175
14
单位
V
A
W
C
m
钉扎 - SOT404
针
1
2
3
mb
门
漏
来源
漏
描述
引脚配置
mb
符号
d
g
2
1
3
s
极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值
符号
V
DS
V
DGR
±V
GS
I
D
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
, T
j
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流（ DC ）
漏电流（ DC ）
漏极电流（脉冲峰值）
总功耗
存储&工作温度
条件
-
R
GS
= 20 k
-
T
mb
= 25 C
T
mb
= 100 C
T
mb
= 25 C
T
mb
= 25 C
-
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
- 55
马克斯。
55
55
16
68
48
240
142
175
单位
V
V
V
A
A
A
W
C
ESD限值
符号
V
C
参数
静电放电电容
电压，所有引脚
条件
人体模型
（ 100 pF的， 1.5千欧）
分钟。
-
马克斯。
2
单位
kV
热阻
符号
R
日J- MB
R
日J-一
参数
热阻结到
安装底座
热阻结到
环境
条件
-
最小的足迹， FR4
板
典型值。
-
50
马克斯。
1.05
-
单位
K / W
K / W
1998年4月
1
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
的TrenchMOS 晶体管
标准水平FET
静态特性
T
j
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TO ）
I
DSS
I
GSS
±V
（ BR ） GSS
R
DS （ ON）
参数
漏源击穿
电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
栅源击穿
电压
漏极 - 源极导通状态
阻力
条件
V
GS
= 0 V ;我
D
= 0.25毫安;
T
j
= -55C
V
DS
= V
GS
; I
D
= 1毫安
T
j
= 175C
T
j
= -55C
V
DS
= 55 V; V
GS
= 0 V;
V
GS
=
±10
V; V
DS
= 0 V
I
G
=
±1
毫安;
V
GS
= 10 V ;我
D
= 25 A
T
j
= 175C
T
j
= 175C
T
j
= 175C
分钟。
55
50
2
1
-
-
-
-
-
16
-
-
典型值。
-
-
3.0
-
-
0.05
-
0.02
-
-
12
-
BUK7614-55
马克斯。
-
-
4.0
-
4.4
10
500
1
20
-
14
30
单位
V
V
V
V
V
A
A
A
A
V
m
m
动态特性
T
mb
= 25 ° C除非另有说明
符号
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D ON
t
r
t
D OFF
t
f
L
d
L
s
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反馈电容
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
内部排水电感
内部源极电感
条件
V
DS
= 25 V ;我
D
= 25 A
V
GS
= 0 V; V
DS
= 25 V ; F = 1 MHz的
分钟。
8
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
39
2200
500
200
18
35
45
30
2.5
7.5
马克斯。
-
2900
600
270
26
85
60
45
-
-
单位
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nH
nH
V
DD
= 30 V ;我
D
= 25 A;
V
GS
= 10 V ;
G
= 10
阻性负载
从排的上边缘测量
标签，模具中心
从源极引脚测
焊接点源焊盘
反向二极管极限值和特性
T
j
= 25 ° C除非另有说明
符号
I
DR
I
DRM
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
连续反向漏
当前
脉冲反向漏电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
条件
分钟。
-
I
F
= 25 A; V
GS
= 0 V
I
F
= 65 A; V
GS
= 0 V
I
F
= 65 A; -dI
F
/ DT = 100 A / μs的;
V
GS
= -10 V; V
R
= 30 V
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
0.95
1.0
57
0.14
马克斯。
68
240
1.2
-
-
-
单位
A
A
V
V
ns
C
1998年4月
2
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
的TrenchMOS 晶体管
标准水平FET
雪崩限值
符号
W
DSS
参数
漏源不重复
非钳位电感关断
能源
条件
I
D
= 65 A; V
DD
≤
25 V;
V
GS
= 10 V ;
GS
= 50
;
T
mb
= 25 C
分钟。
-
典型值。
-
BUK7614-55
马克斯。
200
单位
mJ
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
PD ％
归一化功率降额
SOAX514
1000
ID / A
RDS （ ON）= VDS / ID
100
TP =
1美国
10我们
100美
DC
1毫秒
10毫秒
100毫秒
10
0
20
40
60
80 100
TMB / C
120
140
160
180
1
1
10
VDS / V
55
100
图1 。归一化的功率耗散。
PD ％ = 100
P
D
/P
D 25 C
= F （T
mb
)
归一化电流降额
如图3所示。安全工作区。牛逼
mb
= 25 C
I
D
＆放大器;我
DM
= F（V
DS
); I
DM
单脉冲;参数t
p
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
ID％
1E+01
第Z / （K / W）
BUKX514-55
1E+00
0.5
1E-01
0.2
0.1
0.05
0.02
1E-02
0
T
t
P
D
t
p
D=
t
p
T
0
20
40
60
80 100
TMB / C
120
140
160
180
1E-03
1E-07
1E-05
1E-03
T / S
1E-01
1E+01
图2 。正常化的连续漏极电流。
ID％ = 100
I
D
/I
D 25 C
= F （T
mb
） ;条件： V
GS
≥
5 V
图4 。瞬态热阻抗。
Z
日J- MB
= F（T） ;参数D = T
p
/T
1998年4月
3
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
的TrenchMOS 晶体管
标准水平FET
BUK7614-55
100
ID / A
80
16
10
8
7.5
VGS / V =
7
40
GFS / S
35
30
6.5
60
6
40
5.5
25
20
15
10
20
5
0
4.5
4
0
2
4
VDS / V
6
8
10
5
0
0
20
40
60
80
100
ID / A
图5 。典型的输出特性，T
j
= 25 C.
I
D
= F（V
DS
） ;参数V
GS
RDS （ ON） /毫欧
30
VGS / V =
25
6
6.5
7
20
8
15
9
10
图8 。典型的跨导，T
j
= 25 C.
g
fs
= F（我
D
） ;条件： V
DS
= 25 V
BUK959-60
2.5
a
RDS（ON） normlised到25degC
2
1.5
10
1
5
0
10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 70 75 80 85 90 95 100
ID / A
0.5
-100
-50
0
50
TMB /摄氏度
100
150
200
图6 。典型通态电阻，T
j
= 25 C.
R
DS （ ON）
= F（我
D
） ;参数V
GS
100
图9 。正常化漏极 - 源极导通电阻。
一 - R的
DS （ ON）
/R
DS （ ON） 25 C
= F （T
j
); I
D
= 25 A; V
GS
= 5 V
VGS （ TO ） / V
马克斯。
4
典型值。
BUK759-60
5
ID / A
80
60
3
分钟。
40
2
TJ / C =
175
25
20
1
0
0
1
2
3
4
5
VGS / V
6
7
8
9
0
-100
-50
0
50
TJ / C
100
150
200
图7 。典型的传输特性。
I
D
= F（V
GS
） ;条件： V
DS
= 25 V ;参数T
j
图10 。栅极阈值电压。
V
GS （ TO ）
= F （T
j
） ;条件：我
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
1998年4月
4
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
的TrenchMOS 晶体管
标准水平FET
BUK7614-55
1E-01
亚阈值传导
100
IF / A
80
1E-02
2%
典型值
98%
60
TJ / C =
40
175
25
1E-03
1E-04
20
1E-05
0
1E-06
0
0.2
0.4
0
1
2
3
4
5
0.6
0.8
VSDS / V
1
1.2
1.4
图11 。亚阈值漏电流。
I
D
= F（V
GS ）
;条件：T已
j
= 25 ℃; V
DS
= V
GS
4
3.5
3
图14 。典型的反向二极管电流。
I
F
= F（V
SDS
） ;条件： V
GS
= 0 V ;参数T
j
WDSS ％
120
110
100
90
80
70
西塞
数千名（PF ）
2.5
2
1.5
1
5
0
0.01
0.1
1
10
科斯
CRSS
100
60
50
40
30
20
10
0
20
40
60
80
100
120
TMB / C
140
160
180
VDS / V
图12 。典型的电容，C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
.
C = F（V
DS
） ;条件： V
GS
= 0 V ; F = 1 MHz的
12
VGS / V
10
VDS = 14V
8
VDS = 44V
图15 。正常化雪崩能量等级。
W
DSS
（％）= F（T
mb
） ;条件：我
D
= 75 A
+
L
VDS
VGS
0
RGS
T.U.T.
R 01
分流
VDD
6
-
-ID/100
4
2
0
0
10
20
30 QG / NC 40
50
60
图13 。典型导通栅极电荷特性。
V
GS
= F （Q
G
） ;条件：我
D
= 50 A;参数V
DS
图16 。雪崩能量测试电路。
2
W
DSS
=
0.5
LI
D
BV
DSS
/ （ BV
DSS
V
DD
)
1998年4月
5
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
的TrenchMOS 晶体管
标准水平FET
概述
N沟道增强模式
标准级场效应功率
晶体管在一个塑料外壳
适合于表面安装。运用
“沟”技术设备
具有非常低的导通电阻
并拥有完整的齐纳二极管捐赠
ESD保护高达2kV的。这是
旨在用于汽车和
一般
用途
开关
应用程序。
BUK7614-55
快速参考数据
符号
V
DS
I
D
P
合计
T
j
R
DS （ ON）
参数
漏源电压
漏电流（ DC ）
总功耗
结温
漏极 - 源极导通状态
阻力
V
GS
= 10 V
马克斯。
55
68
142
175
14
单位
V
A
W
C
m
钉扎 - SOT404
针
1
2
3
mb
门
漏
来源
漏
描述
引脚配置
mb
符号
d
g
2
1
3
s
极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值
符号
V
DS
V
DGR
±V
GS
I
D
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
, T
j
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流（ DC ）
漏电流（ DC ）
漏极电流（脉冲峰值）
总功耗
存储&工作温度
条件
-
R
GS
= 20 k
-
T
mb
= 25 C
T
mb
= 100 C
T
mb
= 25 C
T
mb
= 25 C
-
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
- 55
马克斯。
55
55
16
68
48
240
142
175
单位
V
V
V
A
A
A
W
C
ESD限值
符号
V
C
参数
静电放电电容
电压，所有引脚
条件
人体模型
（ 100 pF的， 1.5千欧）
分钟。
-
马克斯。
2
单位
kV
热阻
符号
R
日J- MB
R
日J-一
参数
热阻结到
安装底座
热阻结到
环境
条件
-
最小的足迹， FR4
板
典型值。
-
50
马克斯。
1.05
-
单位
K / W
K / W
1998年4月
1
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
的TrenchMOS 晶体管
标准水平FET
静态特性
T
j
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TO ）
I
DSS
I
GSS
±V
（ BR ） GSS
R
DS （ ON）
参数
漏源击穿
电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
栅源击穿
电压
漏极 - 源极导通状态
阻力
条件
V
GS
= 0 V ;我
D
= 0.25毫安;
T
j
= -55C
V
DS
= V
GS
; I
D
= 1毫安
T
j
= 175C
T
j
= -55C
V
DS
= 55 V; V
GS
= 0 V;
V
GS
=
±10
V; V
DS
= 0 V
I
G
=
±1
毫安;
V
GS
= 10 V ;我
D
= 25 A
T
j
= 175C
T
j
= 175C
T
j
= 175C
分钟。
55
50
2
1
-
-
-
-
-
16
-
-
典型值。
-
-
3.0
-
-
0.05
-
0.02
-
-
12
-
BUK7614-55
马克斯。
-
-
4.0
-
4.4
10
500
1
20
-
14
30
单位
V
V
V
V
V
A
A
A
A
V
m
m
动态特性
T
mb
= 25 ° C除非另有说明
符号
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D ON
t
r
t
D OFF
t
f
L
d
L
s
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反馈电容
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
内部排水电感
内部源极电感
条件
V
DS
= 25 V ;我
D
= 25 A
V
GS
= 0 V; V
DS
= 25 V ; F = 1 MHz的
分钟。
8
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
39
2200
500
200
18
35
45
30
2.5
7.5
马克斯。
-
2900
600
270
26
85
60
45
-
-
单位
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nH
nH
V
DD
= 30 V ;我
D
= 25 A;
V
GS
= 10 V ;
G
= 10
阻性负载
从排的上边缘测量
标签，模具中心
从源极引脚测
焊接点源焊盘
反向二极管极限值和特性
T
j
= 25 ° C除非另有说明
符号
I
DR
I
DRM
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
连续反向漏
当前
脉冲反向漏电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
条件
分钟。
-
I
F
= 25 A; V
GS
= 0 V
I
F
= 65 A; V
GS
= 0 V
I
F
= 65 A; -dI
F
/ DT = 100 A / μs的;
V
GS
= -10 V; V
R
= 30 V
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
0.95
1.0
57
0.14
马克斯。
68
240
1.2
-
-
-
单位
A
A
V
V
ns
C
1998年4月
2
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
的TrenchMOS 晶体管
标准水平FET
雪崩限值
符号
W
DSS
参数
漏源不重复
非钳位电感关断
能源
条件
I
D
= 65 A; V
DD
≤
25 V;
V
GS
= 10 V ;
GS
= 50
;
T
mb
= 25 C
分钟。
-
典型值。
-
BUK7614-55
马克斯。
200
单位
mJ
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
PD ％
归一化功率降额
SOAX514
1000
ID / A
RDS （ ON）= VDS / ID
100
TP =
1美国
10我们
100美
DC
1毫秒
10毫秒
100毫秒
10
0
20
40
60
80 100
TMB / C
120
140
160
180
1
1
10
VDS / V
55
100
图1 。归一化的功率耗散。
PD ％ = 100
P
D
/P
D 25 C
= F （T
mb
)
归一化电流降额
如图3所示。安全工作区。牛逼
mb
= 25 C
I
D
＆放大器;我
DM
= F（V
DS
); I
DM
单脉冲;参数t
p
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
ID％
1E+01
第Z / （K / W）
BUKX514-55
1E+00
0.5
1E-01
0.2
0.1
0.05
0.02
1E-02
0
T
t
P
D
t
p
D=
t
p
T
0
20
40
60
80 100
TMB / C
120
140
160
180
1E-03
1E-07
1E-05
1E-03
T / S
1E-01
1E+01
图2 。正常化的连续漏极电流。
ID％ = 100
I
D
/I
D 25 C
= F （T
mb
） ;条件： V
GS
≥
5 V
图4 。瞬态热阻抗。
Z
日J- MB
= F（T） ;参数D = T
p
/T
1998年4月
3
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
的TrenchMOS 晶体管
标准水平FET
BUK7614-55
100
ID / A
80
16
10
8
7.5
VGS / V =
7
40
GFS / S
35
30
6.5
60
6
40
5.5
25
20
15
10
20
5
0
4.5
4
0
2
4
VDS / V
6
8
10
5
0
0
20
40
60
80
100
ID / A
图5 。典型的输出特性，T
j
= 25 C.
I
D
= F（V
DS
） ;参数V
GS
RDS （ ON） /毫欧
30
VGS / V =
25
6
6.5
7
20
8
15
9
10
图8 。典型的跨导，T
j
= 25 C.
g
fs
= F（我
D
） ;条件： V
DS
= 25 V
BUK959-60
2.5
a
RDS（ON） normlised到25degC
2
1.5
10
1
5
0
10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 70 75 80 85 90 95 100
ID / A
0.5
-100
-50
0
50
TMB /摄氏度
100
150
200
图6 。典型通态电阻，T
j
= 25 C.
R
DS （ ON）
= F（我
D
） ;参数V
GS
100
图9 。正常化漏极 - 源极导通电阻。
一 - R的
DS （ ON）
/R
DS （ ON） 25 C
= F （T
j
); I
D
= 25 A; V
GS
= 5 V
VGS （ TO ） / V
马克斯。
4
典型值。
BUK759-60
5
ID / A
80
60
3
分钟。
40
2
TJ / C =
175
25
20
1
0
0
1
2
3
4
5
VGS / V
6
7
8
9
0
-100
-50
0
50
TJ / C
100
150
200
图7 。典型的传输特性。
I
D
= F（V
GS
） ;条件： V
DS
= 25 V ;参数T
j
图10 。栅极阈值电压。
V
GS （ TO ）
= F （T
j
） ;条件：我
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
1998年4月
4
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
的TrenchMOS 晶体管
标准水平FET
BUK7614-55
1E-01
亚阈值传导
100
IF / A
80
1E-02
2%
典型值
98%
60
TJ / C =
40
175
25
1E-03
1E-04
20
1E-05
0
1E-06
0
0.2
0.4
0
1
2
3
4
5
0.6
0.8
VSDS / V
1
1.2
1.4
图11 。亚阈值漏电流。
I
D
= F（V
GS ）
;条件：T已
j
= 25 ℃; V
DS
= V
GS
4
3.5
3
图14 。典型的反向二极管电流。
I
F
= F（V
SDS
） ;条件： V
GS
= 0 V ;参数T
j
WDSS ％
120
110
100
90
80
70
西塞
数千名（PF ）
2.5
2
1.5
1
5
0
0.01
0.1
1
10
科斯
CRSS
100
60
50
40
30
20
10
0
20
40
60
80
100
120
TMB / C
140
160
180
VDS / V
图12 。典型的电容，C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
.
C = F（V
DS
） ;条件： V
GS
= 0 V ; F = 1 MHz的
12
VGS / V
10
VDS = 14V
8
VDS = 44V
图15 。正常化雪崩能量等级。
W
DSS
（％）= F（T
mb
） ;条件：我
D
= 75 A
+
L
VDS
VGS
0
RGS
T.U.T.
R 01
分流
VDD
6
-
-ID/100
4
2
0
0
10
20
30 QG / NC 40
50
60
图13 。典型导通栅极电荷特性。
V
GS
= F （Q
G
） ;条件：我
D
= 50 A;参数V
DS
图16 。雪崩能量测试电路。
2
W
DSS
=
0.5
LI
D
BV
DSS
/ （ BV
DSS
V
DD
)
1998年4月
5
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B82141+1184J000
B3521
BZT52C3V6-V
BL-B2334A
BX23821T
BD5223
BC847CDXV6T5G
B82494-A1151-K
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