BUK7560-100A;
BUK7660-100A
的TrenchMOS 标准水平FET
版本01 - 2001年2月22日
产品speci fi cation
1.描述
N沟道增强型网络场效电源在一个塑料包装使用的晶体管
的TrenchMOS 技术，具有极低的导通电阻。
产品可用性：
BUK7560-100A在SOT78 （ TO- 220AB ）
BUK7660-100A在SOT404
(D
2
-PAK ） 。
2.特点
s
s
s
s
的TrenchMOS 技术
Q101标准
175
°C
评级
标准电平兼容。
3.应用
c
c
s
汽车和通用电源开关：
x
12 V ， 24 V和42 V负载
x
电机，灯具和螺线管。
4.管脚信息
表1：
针
1
2
3
mb
钉扎 - SOT78和SOT404 ，简化的外形和符号
描述
栅极（G ）
mb
简化的轮廓
符号
漏极（四）
源极（S ）
安装底座;
连接到漏极（D）
mb
d
g
s
2
MBK106
MBB076
1
3
MBK116
1 2 3
SOT78 （ TO- 220AB ）
SOT404 （D
2
-Pak ）
飞利浦半导体
BUK7560-100A ; BUK7660-100A
的TrenchMOS 标准水平FET
5.快速参考数据
表2：
V
DS
I
D
P
合计
T
j
R
DSON
快速参考数据
条件
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 10 V
T
mb
= 25
°C
V
GS
= 10 V ;我
D
= 15 A
T
j
= 25
°C
T
j
= 175
°C
51
60
150
典型值
最大
100
26
106
175
单位
V
A
W
°C
漏极 - 源极电压（直流）
漏电流（ DC ）
总功耗
结温
漏源导通电阻
符号参数
m
m
6.极限值
表3 ：限制值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号参数
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
漏极 - 源极电压（直流）
漏极 - 栅极电压（直流）
栅极 - 源极电压（直流）
漏电流（ DC ）
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 10 V;
图2
和
3
T
mb
= 100
°C;
V
GS
= 10 V;
图2
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
DR
I
DRM
W
DSS
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
工作结温
反向漏电流（DC）的
脉冲反向漏电流
非重复性雪崩能量
T
mb
= 25
°C
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s
非钳位感性负载;我
D
= 20 A;
V
DS
≤
100 V; V
GS
= 10 V ;
GS
= 50
;
起始物为
mb
= 25
°C
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s;
科幻gure 3
T
mb
= 25
°C;
图1
R
GS
= 20 k
条件
民
55
55
最大
100
100
±20
26
19
106
106
+175
+175
26
106
110
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
mJ
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
9397 750 07807
飞利浦电子公司2001年版权所有。
产品speci fi cation
版本01 - 2001年2月22日
2 15
飞利浦半导体
BUK7560-100A ; BUK7660-100A
的TrenchMOS 标准水平FET
03aa24
120
PDER
(%)
100
03na19
120
I
DER
(%)
100
80
80
60
60
40
40
20
20
0
0
25
50
75
100
125
150
TMB
0
175 200
（ OC ）
0
25
50
75
100
125
150
175 200
o
TMB （ C）
P
合计
P
DER
=
----------------------
×
100%
P
°
合计
(
25 C
)
V
GS
≥
4.5 V
I
D
I
DER
=
------------------
×
100%
-
I
°
D
(
25 C
)
看图1，归一化的总功耗为
功能安装基座的温度。
103
ID
(A)
图2.归连续漏极电流为
功能安装基座的温度。
03nd04
102
导通电阻= VDS / ID
TP = 10我们
10
P
100美
tp
T
δ
=
特区
1毫秒
10毫秒
100毫秒
1
tp
t
T
10-1
1
10
102
VDS （ V）
103
T
mb
= 25
°C;
I
DM
单脉冲。
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏 - 源极电压的函数。
9397 750 07807
飞利浦电子公司2001年版权所有。
产品speci fi cation
版本01 - 2001年2月22日
3 15
飞利浦半导体
BUK7560-100A ; BUK7660-100A
的TrenchMOS 标准水平FET
7.热特性
表4：
符号
R
号（j -a）的
热特性
参数
从结点到环境的热阻
条件
垂直静止空气中; SOT78封装
安装在印刷电路板;
最小的足迹; SOT404
包
R
日（ J- MB ）
从结点到安装热阻
BASE
图4
价值
60
50
单位
K / W
K / W
1.4
K / W
7.1瞬态热阻抗
10
第Z （ J- MB ）
（K / W）
03nd05
1
δ
= 0.5
0.2
0.1
10-1
P
δ
=
tp
T
0.05
0.02
单发
tp
T
t
10-2
10-6
10-5
10-4
10-3
10-2
10-2
TP （多个）
1
图4.瞬态从结的热阻抗，以安装基座的脉冲持续时间的函数。
9397 750 07807
飞利浦电子公司2001年版权所有。
产品speci fi cation
版本01 - 2001年2月22日
4 15
飞利浦半导体
BUK7560-100A ; BUK7660-100A
的TrenchMOS 标准水平FET
8.特点
表5 ：性质
T
j
= 25
°
C除非另有规定编
符号
V
（ BR ） DSS
参数
漏源击穿
电压
条件
I
D
= 0.25毫安; V
GS
= 0 V
T
j
= 25
°C
T
j
=
55 °C
V
GS （ TH）
栅源阈值电压I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
;
图9
T
j
= 25
°C
T
j
= 175
°C
T
j
=
55 °C
I
DSS
漏极 - 源极漏电流
V
DS
= 100 V; V
GS
= 0 V
T
j
= 25
°C
T
j
= 175
°C
I
GSS
R
DSON
栅极 - 源极漏电流
漏极 - 源极导通状态
阻力
V
GS
=
±20
V; V
DS
= 0 V
V
GS
= 10 V ;我
D
= 15 A;
图7
和
8
T
j
= 25
°C
T
j
= 175
°C
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
d
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
从漏极引线6毫米
包芯中心
从接触螺丝
安装基座到的中心
死SOT78
从漏极上缘
安装基座到的中心
死SOT404
L
s
内部源极电感
从源铅源
焊盘
V
DD
= 30 V ;
L
= 1.2
;
V
GS
= 10 V ;
G
= 10
;
V
GS
= 0 V; V
DS
= 25 V;
F = 1兆赫;
图12
1030
143
90
10
45
31
20
4.5
3.5
1377
171
120
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nH
nH
51
60
150
m
m
0.05
2
10
500
100
A
A
nA
2
1
3
4
4.4
V
V
V
100
89
V
V
民
典型值
最大
单位
静态特性
2.5
nH
7.5
nH
9397 750 07807
飞利浦电子公司2001年版权所有。
产品speci fi cation
版本01 - 2001年2月22日
5 15
BUK7560-100A;
BUK7660-100A
的TrenchMOS 标准水平FET
版本01 - 2001年2月22日
产品speci fi cation
1.描述
N沟道增强型网络场效电源在一个塑料包装使用的晶体管
的TrenchMOS 技术，具有极低的导通电阻。
产品可用性：
BUK7560-100A在SOT78 （ TO- 220AB ）
BUK7660-100A在SOT404
(D
2
-PAK ） 。
2.特点
s
s
s
s
的TrenchMOS 技术
Q101标准
175
°C
评级
标准电平兼容。
3.应用
c
c
s
汽车和通用电源开关：
x
12 V ， 24 V和42 V负载
x
电机，灯具和螺线管。
4.管脚信息
表1：
针
1
2
3
mb
钉扎 - SOT78和SOT404 ，简化的外形和符号
描述
栅极（G ）
mb
简化的轮廓
符号
漏极（四）
源极（S ）
安装底座;
连接到漏极（D）
mb
d
g
s
2
MBK106
MBB076
1
3
MBK116
1 2 3
SOT78 （ TO- 220AB ）
SOT404 （D
2
-Pak ）
飞利浦半导体
BUK7560-100A ; BUK7660-100A
的TrenchMOS 标准水平FET
5.快速参考数据
表2：
V
DS
I
D
P
合计
T
j
R
DSON
快速参考数据
条件
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 10 V
T
mb
= 25
°C
V
GS
= 10 V ;我
D
= 15 A
T
j
= 25
°C
T
j
= 175
°C
51
60
150
典型值
最大
100
26
106
175
单位
V
A
W
°C
漏极 - 源极电压（直流）
漏电流（ DC ）
总功耗
结温
漏源导通电阻
符号参数
m
m
6.极限值
表3 ：限制值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号参数
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
漏极 - 源极电压（直流）
漏极 - 栅极电压（直流）
栅极 - 源极电压（直流）
漏电流（ DC ）
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 10 V;
图2
和
3
T
mb
= 100
°C;
V
GS
= 10 V;
图2
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
DR
I
DRM
W
DSS
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
工作结温
反向漏电流（DC）的
脉冲反向漏电流
非重复性雪崩能量
T
mb
= 25
°C
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s
非钳位感性负载;我
D
= 20 A;
V
DS
≤
100 V; V
GS
= 10 V ;
GS
= 50
;
起始物为
mb
= 25
°C
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s;
科幻gure 3
T
mb
= 25
°C;
图1
R
GS
= 20 k
条件
民
55
55
最大
100
100
±20
26
19
106
106
+175
+175
26
106
110
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
mJ
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
9397 750 07807
飞利浦电子公司2001年版权所有。
产品speci fi cation
版本01 - 2001年2月22日
2 15
飞利浦半导体
BUK7560-100A ; BUK7660-100A
的TrenchMOS 标准水平FET
03aa24
120
PDER
(%)
100
03na19
120
I
DER
(%)
100
80
80
60
60
40
40
20
20
0
0
25
50
75
100
125
150
TMB
0
175 200
（ OC ）
0
25
50
75
100
125
150
175 200
o
TMB （ C）
P
合计
P
DER
=
----------------------
×
100%
P
°
合计
(
25 C
)
V
GS
≥
4.5 V
I
D
I
DER
=
------------------
×
100%
-
I
°
D
(
25 C
)
看图1，归一化的总功耗为
功能安装基座的温度。
103
ID
(A)
图2.归连续漏极电流为
功能安装基座的温度。
03nd04
102
导通电阻= VDS / ID
TP = 10我们
10
P
100美
tp
T
δ
=
特区
1毫秒
10毫秒
100毫秒
1
tp
t
T
10-1
1
10
102
VDS （ V）
103
T
mb
= 25
°C;
I
DM
单脉冲。
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏 - 源极电压的函数。
9397 750 07807
飞利浦电子公司2001年版权所有。
产品speci fi cation
版本01 - 2001年2月22日
3 15
飞利浦半导体
BUK7560-100A ; BUK7660-100A
的TrenchMOS 标准水平FET
7.热特性
表4：
符号
R
号（j -a）的
热特性
参数
从结点到环境的热阻
条件
垂直静止空气中; SOT78封装
安装在印刷电路板;
最小的足迹; SOT404
包
R
日（ J- MB ）
从结点到安装热阻
BASE
图4
价值
60
50
单位
K / W
K / W
1.4
K / W
7.1瞬态热阻抗
10
第Z （ J- MB ）
（K / W）
03nd05
1
δ
= 0.5
0.2
0.1
10-1
P
δ
=
tp
T
0.05
0.02
单发
tp
T
t
10-2
10-6
10-5
10-4
10-3
10-2
10-2
TP （多个）
1
图4.瞬态从结的热阻抗，以安装基座的脉冲持续时间的函数。
9397 750 07807
飞利浦电子公司2001年版权所有。
产品speci fi cation
版本01 - 2001年2月22日
4 15
飞利浦半导体
BUK7560-100A ; BUK7660-100A
的TrenchMOS 标准水平FET
8.特点
表5 ：性质
T
j
= 25
°
C除非另有规定编
符号
V
（ BR ） DSS
参数
漏源击穿
电压
条件
I
D
= 0.25毫安; V
GS
= 0 V
T
j
= 25
°C
T
j
=
55 °C
V
GS （ TH）
栅源阈值电压I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
;
图9
T
j
= 25
°C
T
j
= 175
°C
T
j
=
55 °C
I
DSS
漏极 - 源极漏电流
V
DS
= 100 V; V
GS
= 0 V
T
j
= 25
°C
T
j
= 175
°C
I
GSS
R
DSON
栅极 - 源极漏电流
漏极 - 源极导通状态
阻力
V
GS
=
±20
V; V
DS
= 0 V
V
GS
= 10 V ;我
D
= 15 A;
图7
和
8
T
j
= 25
°C
T
j
= 175
°C
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
d
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
从漏极引线6毫米
包芯中心
从接触螺丝
安装基座到的中心
死SOT78
从漏极上缘
安装基座到的中心
死SOT404
L
s
内部源极电感
从源铅源
焊盘
V
DD
= 30 V ;
L
= 1.2
;
V
GS
= 10 V ;
G
= 10
;
V
GS
= 0 V; V
DS
= 25 V;
F = 1兆赫;
图12
1030
143
90
10
45
31
20
4.5
3.5
1377
171
120
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nH
nH
51
60
150
m
m
0.05
2
10
500
100
A
A
nA
2
1
3
4
4.4
V
V
V
100
89
V
V
民
典型值
最大
单位
静态特性
2.5
nH
7.5
nH
9397 750 07807
飞利浦电子公司2001年版权所有。
产品speci fi cation
版本01 - 2001年2月22日
5 15
QQ：2881677436 复制
