BUK75/7607-55B
的TrenchMOS 标准水平FET
版本01 - 2003年5月15日
产品数据
1.产品廓
1.1说明
N沟道增强型网络场效电源在一个塑料包装使用的晶体管
飞利浦高性能汽车（ HPA ）的TrenchMOS 技术。
产品可用性：
BUK7507-55B在SOT78 （ TO- 220AB ）
BUK7607-55B在SOT404 （D
2
-PAK ） 。
1.2产品特点
s
极低的通态电阻。
s
175
°C
评级
s
Q101标准
s
标准电平兼容。
1.3应用
s
汽车系统
s
电机，灯具和螺线管
s
12 V及24 V负载
s
通用电源开关。
1.4快速参考数据
s
E
DS （ AL ）S
≤
351兆焦耳
s
I
D
≤
75 A
s
R
DSON
= 5.8毫欧（典型值）
s
P
合计
≤
203 W.
2.管脚信息
表1：
针
1
2
3
mb
钉扎 - SOT78和SOT404 ，简化的概括和符号
描述
栅极（G ）
漏极（四）
源极（S ）
安装基座
连接到
漏极（四）
2
MBK106
简化的轮廓
mb
符号
d
mb
[1]
g
s
MBB076
1 2 3
1
3
MBK116
SOT78 （ TO- 220AB ）
[1]
SOT404 （D
2
-Pak ）
这是无法接受的连接到SOT404封装的管脚2 。
飞利浦半导体
BUK75/7607-55B
的TrenchMOS 标准水平FET
3.极限值
表2 ：极限参数
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号参数
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
漏极 - 源极电压（直流）
漏极 - 栅极电压（直流）
栅极 - 源极电压（直流）
漏电流（ DC ）
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 10 V;
图2
和
3
T
mb
= 100
°C;
V
GS
= 10 V;
图2
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
DR
I
DRM
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
反向漏电流（DC）的
峰值反向漏电流
T
mb
= 25
°C
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s
非钳位感性负载;我
D
= 75 A;
V
DS
≤
55 V; V
GS
= 10 V ;
GS
= 50
;
起始物为
mb
= 25
°C
[1]
[2]
[1]
[2]
[2]
条件
R
GS
= 20 k
民
-
-
-
-
-
-
-
-
55
55
-
-
-
-
最大
55
55
±20
119
75
75
478
203
+175
+175
119
75
478
351
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
A
A
A
mJ
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s;
科幻gure 3
T
mb
= 25
°C;
图1
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
E
DS （ AL ）S
非重复性漏源雪崩
能源
[1]
[2]
电流是由功耗芯片等级的限制。
连续电流通过封装的限制。
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皇家飞利浦电子有限公司2003年版权所有。
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飞利浦半导体
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120
PDER
(%)
80
03na19
120
ID
(A)
03nn68
上限为75 a由于包
80
40
40
0
0
50
100
150
200
TMB
(°C)
0
0
50
100
150
200
TMB （
°
C)
P
DER
P
合计
=
----------------------
×
100%
-
P
°
合计
(
25 C
)
V
GS
≥
10 V
看图1，归一化的总功耗为
功能安装基座的温度。
图2.连续漏电流的一个函数
安装基座的温度。
103
限制导通电阻= VDS / ID
03nn66
ID
(A)
TP = 10
s
102
100
s
上限为75 a由于包
1毫秒
DC
10
10毫秒
100毫秒
1
1
10
VDS （ V）
102
T
mb
= 25
°C;
I
DM
单脉冲。
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏 - 源极电压的函数。
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4.热特性
表3：
R
日（ J- MB ）
R
号（j -a）的
热特性
条件
图4
最小值典型值
-
-
最大单位
0.74 K / W
热阻结到
安装底座
热阻结到
环境
SOT78封装
SOT404封装
垂直静止空气中
最小的足迹;安装在PCB上
-
-
60
50
-
-
K / W
K / W
符号参数
4.1瞬态热阻抗
1
第Z （ J- MB ）
（K / W）
δ
= 0.5
03nn67
0.2
10-1
0.1
0.05
0.02
10-2
P
单发
δ
=
tp
T
tp
T
10-3
10-6
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
TP （多个）
t
1
图4.瞬态从结的热阻抗，以安装基座的脉冲持续时间的函数。
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1.产品廓
1.1说明
N沟道增强型网络场效电源在一个塑料包装使用的晶体管
飞利浦高性能汽车（ HPA ）的TrenchMOS 技术。
产品可用性：
BUK7507-55B在SOT78 （ TO- 220AB ）
BUK7607-55B在SOT404 （D
2
-PAK ） 。
1.2产品特点
s
极低的通态电阻。
s
175
°C
评级
s
Q101标准
s
标准电平兼容。
1.3应用
s
汽车系统
s
电机，灯具和螺线管
s
12 V及24 V负载
s
通用电源开关。
1.4快速参考数据
s
E
DS （ AL ）S
≤
351兆焦耳
s
I
D
≤
75 A
s
R
DSON
= 5.8毫欧（典型值）
s
P
合计
≤
203 W.
2.管脚信息
表1：
针
1
2
3
mb
钉扎 - SOT78和SOT404 ，简化的概括和符号
描述
栅极（G ）
漏极（四）
源极（S ）
安装基座
连接到
漏极（四）
2
MBK106
简化的轮廓
mb
符号
d
mb
[1]
g
s
MBB076
1 2 3
1
3
MBK116
SOT78 （ TO- 220AB ）
[1]
SOT404 （D
2
-Pak ）
这是无法接受的连接到SOT404封装的管脚2 。
飞利浦半导体
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3.极限值
表2 ：极限参数
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号参数
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
漏极 - 源极电压（直流）
漏极 - 栅极电压（直流）
栅极 - 源极电压（直流）
漏电流（ DC ）
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 10 V;
图2
和
3
T
mb
= 100
°C;
V
GS
= 10 V;
图2
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
DR
I
DRM
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
反向漏电流（DC）的
峰值反向漏电流
T
mb
= 25
°C
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s
非钳位感性负载;我
D
= 75 A;
V
DS
≤
55 V; V
GS
= 10 V ;
GS
= 50
;
起始物为
mb
= 25
°C
[1]
[2]
[1]
[2]
[2]
条件
R
GS
= 20 k
民
-
-
-
-
-
-
-
-
55
55
-
-
-
-
最大
55
55
±20
119
75
75
478
203
+175
+175
119
75
478
351
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
A
A
A
mJ
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s;
科幻gure 3
T
mb
= 25
°C;
图1
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
E
DS （ AL ）S
非重复性漏源雪崩
能源
[1]
[2]
电流是由功耗芯片等级的限制。
连续电流通过封装的限制。
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120
PDER
(%)
80
03na19
120
ID
(A)
03nn68
上限为75 a由于包
80
40
40
0
0
50
100
150
200
TMB
(°C)
0
0
50
100
150
200
TMB （
°
C)
P
DER
P
合计
=
----------------------
×
100%
-
P
°
合计
(
25 C
)
V
GS
≥
10 V
看图1，归一化的总功耗为
功能安装基座的温度。
图2.连续漏电流的一个函数
安装基座的温度。
103
限制导通电阻= VDS / ID
03nn66
ID
(A)
TP = 10
s
102
100
s
上限为75 a由于包
1毫秒
DC
10
10毫秒
100毫秒
1
1
10
VDS （ V）
102
T
mb
= 25
°C;
I
DM
单脉冲。
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏 - 源极电压的函数。
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4.热特性
表3：
R
日（ J- MB ）
R
号（j -a）的
热特性
条件
图4
最小值典型值
-
-
最大单位
0.74 K / W
热阻结到
安装底座
热阻结到
环境
SOT78封装
SOT404封装
垂直静止空气中
最小的足迹;安装在PCB上
-
-
60
50
-
-
K / W
K / W
符号参数
4.1瞬态热阻抗
1
第Z （ J- MB ）
（K / W）
δ
= 0.5
03nn67
0.2
10-1
0.1
0.05
0.02
10-2
P
单发
δ
=
tp
T
tp
T
10-3
10-6
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
TP （多个）
t
1
图4.瞬态从结的热阻抗，以安装基座的脉冲持续时间的函数。
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