BUK7506-55A ; BUK7606-55A
的TrenchMOS 标准水平FET
牧师02 - 2001年7月3日
产品数据
1.描述
N沟道增强型网络场效电源在一个塑料包装使用的晶体管
的TrenchMOS 技术，具有极低的导通电阻。
产品可用性：
BUK7506-55A在SOT78 （ TO- 220AB ）
BUK7606-55A在SOT404
(D
2
-PAK ） 。
2.特点
s
s
s
s
的TrenchMOS 技术
Q101标准
175
°C
评级
标准电平兼容。
3.应用
c
c
s
汽车和通用电源开关：
x
12 V及24 V负载
x
电机，灯具和螺线管。
4.管脚信息
表1：
针
1
2
3
mb
穿针 - SOT78 ， SOT404 ，简化的外形和符号
描述
栅极（G ）
mb
简化的轮廓
符号
漏极（四）
源极（S ）
安装底座;
连接到漏极（D）
mb
d
g
s
2
MBK106
MBB076
1
3
MBK116
1 2 3
SOT78 （ TO- 220AB ）
SOT404 （D
2
-Pak ）
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5.快速参考数据
表2：
V
DS
I
D
P
合计
T
j
R
DSON
快速参考数据
条件
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 10 V
T
mb
= 25
°C
V
GS
= 10 V ;我
D
= 25 A
T
j
= 25
°C
T
j
= 175
°C
5.3
6.3
13.2
[1]
符号参数
漏极 - 源极电压（直流）
漏电流（ DC ）
总功耗
结温
漏源导通电阻
典型值
最大
55
154
300
175
单位
V
A
W
°C
m
m
6.极限值
表3 ：限制值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号参数
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
漏极 - 源极电压（直流）
漏极 - 栅极电压（直流）
栅极 - 源极电压（直流）
漏电流（ DC ）
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 10 V;
图2
和
3
T
mb
= 100
°C;
V
GS
= 10 V;
图2
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
DR
I
DRM
W
DSS
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
工作结温
反向漏电流（DC）的
脉冲反向漏电流
非重复性雪崩能量
T
mb
= 25
°C
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s
非钳位感性负载;我
D
= 75 A;
V
DS
≤
55 V; V
GS
= 10 V ;
GS
= 50
;
起始物为
mb
= 25
°C
[1]
[2]
[1]
[2]
[2]
条件
R
GS
= 20 k
民
55
55
最大
55
55
±20
154
75
75
616
300
+175
+175
154
75
616
1.1
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
A
A
A
J
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s;
科幻gure 3
T
mb
= 25
°C;
图1
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
[1]
[2]
电流是由功耗芯片等级的限制
连续电流通过包装有限
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120
PDER
(%)
100
03na19
编号180
(A)
160
140
120
100
03ne93
80
60
80
60
40
在75A ，由于封装封顶
40
20
20
0
0
25
50
75
100
125
150
175 200
TMB （℃ ）
0
25
50
75
100
125
150
175
200
TJ （OC）
P
合计
P
DER
=
----------------------
×
100%
P
°
合计
(
25 C
)
V
GS
≥
4.5 V
I
D
I
DER
=
------------------
×
100%
-
I
°
D
(
25 C
)
看图1，归一化的总功耗为
功能安装基座的温度。
103
ID
(A)
图2.连续漏电流的一个函数
安装基座的温度。
03nf32
导通电阻= VDS / ID
TP = 10我们
102
上限为75 a由于包
100美
1毫秒
特区
10
P
10毫秒
tp
δ
=
T
100毫秒
tp
T
t
1
1
10
VDS （ V）
102
T
mb
= 25
°C;
I
DM
单脉冲。
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏 - 源极电压的函数。
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7.热特性
表4：
符号
R
号（j -a）的
热特性
参数
从结点到环境的热阻
条件
垂直静止空气中; SOT78封装
安装在印刷电路板;
最小的足迹; SOT404
包
R
日（ J- MB ）
从结点到安装热阻
BASE
图4
价值
60
50
单位
K / W
K / W
0.5
K / W
7.1瞬态热阻抗
1
第Z （ J- MB ）
（K / W）
δ
= 0.5
10-1
03nf33
0.2
0.1
0.05
0.02
P
10-2
δ
=
tp
T
单发
tp
t
T
10-3
10-6
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
TP （多个）
1
图4.瞬态从结的热阻抗，以安装基座的脉冲持续时间的函数。
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8.特点
表5 ：性质
T
j
= 25
°
C除非另有规定编
符号
V
（ BR ） DSS
参数
漏源击穿
电压
条件
I
D
= 0.25毫安; V
GS
= 0 V
T
j
= 25
°C
T
j
=
55 °C
V
GS （ TH）
栅源阈值电压I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
;
图9
T
j
= 25
°C
T
j
= 175
°C
T
j
=
55 °C
I
DSS
漏极 - 源极漏电流
V
DS
= 55 V; V
GS
= 0 V
T
j
= 25
°C
T
j
= 175
°C
I
GSS
R
DSON
栅极 - 源极漏电流
漏极 - 源极导通状态
阻力
V
GS
=
±20
V; V
DS
= 0 V
V
GS
= 10 V ;我
D
= 25 A;
图7
和
8
T
j
= 25
°C
T
j
= 175
°C
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
d
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
从漏极引线6毫米
包芯中心
从接触螺丝
安装基座到的中心
死SOT78
从漏极上缘
安装基座到的中心
死SOT404
L
s
内部源极电感
从源铅源
焊盘
V
DD
= 30 V ;
L
= 1.2
;
V
GS
= 10 V ;
G
= 10
;
V
GS
= 0 V; V
DS
= 25 V;
F = 1兆赫;
图12
4500
960
510
35
115
155
110
4.5
3.5
6000
1200
850
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nH
nH
5.3
6.3
13.2
m
m
0.05
2
10
500
100
A
A
nA
2
1
3
4
4.4
V
V
V
55
50
V
V
民
典型值
最大
单位
静态特性
2.5
nH
7.5
nH
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