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BUK7237-55A
的TrenchMOS 标准水平FET
版本01 - 2001年1月29日
M3D300
产品speci fi cation
1.描述
N沟道增强型网络场效电源在一个塑料包装使用的晶体管
的TrenchMOS
1
技术,具有极低的导通电阻。
产品可用性:
BUK7237-55A在SOT428 ( D- PAK ) 。
2.特点
s
s
s
s
的TrenchMOS 技术
Q101标准
175
°C
评级
标准电平兼容。
3.应用
s
汽车和通用电源开关:
x
12 V及24 V负载
x
电机,灯具和螺线管。
c
c
4.管脚信息
表1:
1
2
3
mb
钢钉 - SOT428 ( D- PAK ) ,简化的外形和符号
描述
栅极(G )
mb
简化的轮廓
符号
漏极(四)
源极(S )
安装底座;
连接到漏极(D)
1
顶视图
g
2
3
MBK091
MBB076
d
s
SOT428 ( D- PAK )
1.
的TrenchMOS是皇家飞利浦电子公司的商标。
飞利浦半导体
BUK7237-55A
的TrenchMOS 标准水平FET
5.快速参考数据
表2:
V
DS
I
D
P
合计
T
j
R
DSON
快速参考数据
条件
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 10 V
T
mb
= 25
°C
V
GS
= 10 V ;我
D
= 25 A
T
j
= 25
°C
T
j
= 175
°C
31
37
74
典型值
最大
55
32.3
77
175
单位
V
A
W
°C
漏极 - 源极电压(直流)
漏电流( DC )
总功耗
结温
漏源导通电阻
符号参数
m
m
6.极限值
表3 :限制值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
符号参数
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
漏极 - 源极电压(直流)
漏极 - 栅极电压(直流)
栅极 - 源极电压(直流)
漏电流( DC )
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 10 V;
图2
3
T
mb
= 100
°C;
V
GS
= 10 V;
图2
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
DR
I
DRM
W
DSS
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
工作结温
反向漏电流(DC)的
脉冲反向漏电流
非重复性雪崩能量
T
mb
= 25
°C
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
10
s
非钳位感性负载;我
D
= 14 A;
V
DS
55 V; V
GS
= 10 V ;
GS
= 50
;
起始物为
j
= 25
°C
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
10
s;
科幻gure 3
T
mb
= 25
°C;
图1
R
GS
= 20 k
条件
[1]
55
55
最大
55
55
±20
32.3
22.8
129
77
+175
+175
32.3
129
49
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
mJ
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
[1]
I
DM
受芯片限制,不能打包。
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BUK7237-55A
的TrenchMOS 标准水平FET
120
PDER
(%)
100
03aa16
03aa24
120
I
DER
(%)
100
80
80
60
60
40
40
20
20
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
TMB (℃ )
0
0
25
50
75
100
125
150
175 200
o
TMB ( C)
P
合计
P
DER
=
----------------------
×
100%
P
°
合计
(
25 C
)
V
GS
4.5 V
I
D
I
DER
=
------------------
×
100%
-
I
°
D
(
25 C
)
看图1,归一化的总功耗为
功能安装基座的温度。
103
ID
(A)
图2.归连续漏极电流为
功能安装基座的温度。
03nb97
102
导通电阻= VDS / ID
TP = 10我们
100美
10
P
δ
=
tp
T
特区
tp
T
t
1毫秒
10毫秒
100毫秒
10
VDS ( V)
1
1
102
T
mb
= 25
°C;
I
DM
是单一脉冲。
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏 - 源极电压的函数。
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7.热特性
表4:
符号
R
号(j -a)的
R
日( J- MB )
热特性
参数
从结点到环境的热阻
条件
最小的足迹, FR4板
价值
71.4
1.9
单位
K / W
K / W
从结点到安装热阻
图4
BASE
7.1瞬态热阻抗
10
第Z ( J- MB )
(K / W)
03nb96
1
δ
= 0.5
0.2
0.1
10-1
0.05
P
δ
=
tp
T
0.02
单发
tp
T
t
10-2
10-6
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
TP (多个)
1
图4.瞬态从结的热阻抗,以安装基座的脉冲持续时间的函数。
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8.特点
表5 :性质
T
j
= 25
°
C除非另有规定编
符号
V
( BR ) DSS
参数
漏源击穿
电压
条件
I
D
= 0.25毫安; V
GS
= 0 V
T
j
= 25
°C
T
j
=
55 °C
V
GS ( TH)
门源阈值电压
I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
;
图9
T
j
= 25
°C
T
j
= 175
°C
T
j
=
55 °C
I
DSS
漏极 - 源极漏电流
V
DS
= 55 V; V
GS
= 0 V
T
j
= 25
°C
T
j
= 175
°C
I
GSS
R
DSON
栅极 - 源极漏电流
漏极 - 源极导通状态
阻力
V
GS
=
±20
V; V
DS
= 0 V
V
GS
= 10 V ;我
D
= 25 A;
图7
8
T
j
= 25
°C
T
j
= 175
°C
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
L
d
L
s
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
从漏极引线从包装到
模具中心
从源铅源的债券
PAD
V
DD
= 30 V ;
L
= 1.2
;
V
GS
= 10 V ;
G
= 10
;
V
GS
= 0 V; V
DS
= 25 V;
F = 1兆赫;
图12
650
170
110
10
62
24
20
2.5
7.5
872
205
153
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nH
nH
31
37
74
m
m
0.05
2
10
500
100
A
A
nA
2
1
3
4
4.4
V
V
V
55
50
V
V
典型值
最大
单位
静态特性
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