BUK7227-100B
的TrenchMOS 标准水平FET
M3D300
版本01 - 2004年1月26日
产品数据
1.产品廓
1.1说明
N沟道增强型网络场效电源在一个塑料包装使用的晶体管
飞利浦高性能汽车（ HPA ）的TrenchMOS 技术。
1.2产品特点
s
极低的通态电阻
s
185
°C
评级
s
Q101标准
s
标准电平兼容。
1.3应用
s
汽车系统
s
电机，灯具和螺线管
s
12 V ， 24 V和42 V负载
s
通用电源开关。
1.4快速参考数据
s
E
DS （ AL ）S
≤
145兆焦耳
s
I
D
≤
48 A
s
R
DSON
= 23毫欧（典型值）
s
P
合计
≤
167 W.
2.管脚信息
表1：
针
1
2
3
mb
钢钉 - SOT428 （ D- PAK ） ，简化的外形和符号
简化的轮廓
[1]
描述
栅极（G ）
漏极（四）
源极（S ）
安装底座;
连接到
漏极（四）
符号
d
mb
g
s
MBB076
2
1
顶视图
3
MBK091
SOT428 （ D- PAK ）
[1]
这是无法接受的连接到SOT428封装的管脚2 。
飞利浦半导体
BUK7227-100B
的TrenchMOS 标准水平FET
3.订购信息
表2：
订购信息
包
名字
BUK7227-100B
D- PAK
描述
塑料单端表面安装封装（飞利浦版本D- PAK的） ;
3导线（一条引线裁剪） 。
VERSION
SOT428
类型编号
4.极限值
表3：
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
参数
漏极 - 源极电压（直流）
漏极 - 栅极电压（直流）
栅极 - 源极电压（直流）
漏电流（ DC ）
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 10 V;
图2
和
3
T
mb
= 100
°C;
V
GS
= 10 V;
图2
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
DR
I
DRM
E
DS （ AL ）S
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
反向漏电流（DC）的
峰值反向漏电流
非重复性的漏极 - 源极
雪崩能量
T
mb
= 25
°C
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s
非钳位感性负载;我
D
= 48 A;
V
DS
≤
100 V; V
GS
= 10 V;
R
GS
= 50
;
起始物为
j
= 25
°C
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s;
科幻gure 3
T
mb
= 25
°C;
图1
R
GS
= 20 k
条件
民
-
-
-
-
-
-
-
55
55
-
-
-
最大
100
100
±20
48
34
196
167
+185
+185
48
196
145
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
mJ
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
9397 750 12232
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产品数据
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飞利浦半导体
BUK7227-100B
的TrenchMOS 标准水平FET
120
PDER
(%)
80
03no96
50
ID
(A)
40
03nl33
30
20
40
10
0
0
50
100
150
200
TMB （ ° C）
0
0
50
100
150
200
TMB （ ° C）
P
合计
P
DER
=
----------------------
×
100%
-
P
°
合计
(
25 C
)
V
GS
≥
10 V
看图1，归一化的总功耗为
功能安装基座的温度。
图2.连续漏电流的一个函数
安装基座的温度。
103
03nl31
ID
(A)
限制导通电阻= VDS / ID
102
TP = 10
s
100
s
10
DC
1毫秒
10毫秒
100毫秒
1
1
10
102
VDS （ V）
103
T
mb
= 25
°C;
I
DM
单脉冲。
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏 - 源极电压的函数。
9397 750 12232
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BUK7227-100B
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5.热特性
表4：
符号
R
号（j -a）的
R
日（ J- MB ）
热特性
参数
热阻结到
环境
热阻结到
安装底座
图4
条件
民
-
-
典型值
71.4
-
最大
-
0.95
单位
K / W
K / W
5.1瞬态热阻抗
1
δ
= 0.5
第Z （ J- MB ）
（K / W）
03nk52
0.2
0.1
0.05
0.02
10-1
10-2
P
单发
δ
=
tp
T
tp
T
10-3
10-6
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
TP （多个）
t
1
图4.瞬态从结的热阻抗，以安装基座的脉冲持续时间的函数。
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产品数据
1.产品廓
1.1说明
N沟道增强型网络场效电源在一个塑料包装使用的晶体管
飞利浦高性能汽车（ HPA ）的TrenchMOS 技术。
1.2产品特点
s
极低的通态电阻
s
185
°C
评级
s
Q101标准
s
标准电平兼容。
1.3应用
s
汽车系统
s
电机，灯具和螺线管
s
12 V ， 24 V和42 V负载
s
通用电源开关。
1.4快速参考数据
s
E
DS （ AL ）S
≤
145兆焦耳
s
I
D
≤
48 A
s
R
DSON
= 23毫欧（典型值）
s
P
合计
≤
167 W.
2.管脚信息
表1：
针
1
2
3
mb
钢钉 - SOT428 （ D- PAK ） ，简化的外形和符号
简化的轮廓
[1]
描述
栅极（G ）
漏极（四）
源极（S ）
安装底座;
连接到
漏极（四）
符号
d
mb
g
s
MBB076
2
1
顶视图
3
MBK091
SOT428 （ D- PAK ）
[1]
这是无法接受的连接到SOT428封装的管脚2 。
飞利浦半导体
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的TrenchMOS 标准水平FET
3.订购信息
表2：
订购信息
包
名字
BUK7227-100B
D- PAK
描述
塑料单端表面安装封装（飞利浦版本D- PAK的） ;
3导线（一条引线裁剪） 。
VERSION
SOT428
类型编号
4.极限值
表3：
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
参数
漏极 - 源极电压（直流）
漏极 - 栅极电压（直流）
栅极 - 源极电压（直流）
漏电流（ DC ）
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 10 V;
图2
和
3
T
mb
= 100
°C;
V
GS
= 10 V;
图2
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
DR
I
DRM
E
DS （ AL ）S
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
反向漏电流（DC）的
峰值反向漏电流
非重复性的漏极 - 源极
雪崩能量
T
mb
= 25
°C
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s
非钳位感性负载;我
D
= 48 A;
V
DS
≤
100 V; V
GS
= 10 V;
R
GS
= 50
;
起始物为
j
= 25
°C
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s;
科幻gure 3
T
mb
= 25
°C;
图1
R
GS
= 20 k
条件
民
-
-
-
-
-
-
-
55
55
-
-
-
最大
100
100
±20
48
34
196
167
+185
+185
48
196
145
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
mJ
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
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的TrenchMOS 标准水平FET
120
PDER
(%)
80
03no96
50
ID
(A)
40
03nl33
30
20
40
10
0
0
50
100
150
200
TMB （ ° C）
0
0
50
100
150
200
TMB （ ° C）
P
合计
P
DER
=
----------------------
×
100%
-
P
°
合计
(
25 C
)
V
GS
≥
10 V
看图1，归一化的总功耗为
功能安装基座的温度。
图2.连续漏电流的一个函数
安装基座的温度。
103
03nl31
ID
(A)
限制导通电阻= VDS / ID
102
TP = 10
s
100
s
10
DC
1毫秒
10毫秒
100毫秒
1
1
10
102
VDS （ V）
103
T
mb
= 25
°C;
I
DM
单脉冲。
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏 - 源极电压的函数。
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的TrenchMOS 标准水平FET
5.热特性
表4：
符号
R
号（j -a）的
R
日（ J- MB ）
热特性
参数
热阻结到
环境
热阻结到
安装底座
图4
条件
民
-
-
典型值
71.4
-
最大
-
0.95
单位
K / W
K / W
5.1瞬态热阻抗
1
δ
= 0.5
第Z （ J- MB ）
（K / W）
03nk52
0.2
0.1
0.05
0.02
10-1
10-2
P
单发
δ
=
tp
T
tp
T
10-3
10-6
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
TP （多个）
t
1
图4.瞬态从结的热阻抗，以安装基座的脉冲持续时间的函数。
9397 750 12232
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