BUK7108-40AIE
N沟道TrenchPLUS标准水平FET
牧师03 - 2009年2月19日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
标准电平N沟道增强型场效应晶体管（ FET）在一个塑料
包装用的TrenchMOS技术。所述设备包括TrenchPLUS电流传感
和二极管的静电放电（ ESD）保护。该产品的设计
并有资格在汽车关键应用适当的AEC标准。
1.2特点和优点
强大的静电引起
综合保护二极管
低导通损耗是由于低
导通状态电阻
Q101标准
减少了元件数量，由于
集成电流传感器
适用于标准水平栅极驱动
来源
1.3应用
电子助力转向
（ EPAS ）
可变气门正时发动机
1.4快速参考数据
表1中。
V
DS
I
D
快速参考
条件
V
GS
= 10 V ;牛逼
mb
= 25 °C;
SEE
图2 ;
SEE
图3 ;
V
GS
= 10 V ;我
D
= 50 A;
T
j
= 25°C ;看
图7 ;
SEE
图8
T
j
> -55 ℃;牛逼
j
< 175 ℃;
V
GS
> 10 V
[1]
民
-
-
典型值
-
-
最大
40
117
单位
V
A
漏 - 源电压
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
175 °C
漏电流
符号参数
静态特性
R
DSON
漏源
导通状态电阻
漏电流的比值
感测电流
-
6
8
m
I
D
/I
SENSE
450
500
550
[1]
电流是由功耗芯片等级的限制。
恩智浦半导体
BUK7108-40AIE
N沟道TrenchPLUS标准水平FET
2.管脚信息
表2中。
针
1
2
3
4
5
mb
管脚信息
符号
G
ISENSE
D
KS
S
D
描述
门
感应电流
漏
开尔文源
来源
安装底座;连接
漏
1 2
g
简化的轮廓
mb
图形符号
d
3
45
MBL368
SOT426
(D2PAK)
ISENSE
s
开尔文源
3.订购信息
表3中。
订购信息
类型编号
包
名字
描述
BUK7108-40AIE
D2PAK
塑料单端表面安装封装（ D2PAK ） ; 5导线（ 1
铅裁剪）
VERSION
SOT426
BUK7108-40AIE_3
NXP B.V. 2009保留所有权利。
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恩智浦半导体
BUK7108-40AIE
N沟道TrenchPLUS标准水平FET
4.极限值
表4 。
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
极限值
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流
T
mb
= 25 ℃; V
GS
= 10 V ;看
图2 ;
SEE
图3 ;
T
mb
= 100℃ ; V
GS
= 10 V ;看
图2 ;
I
DM
P
合计
I
GS （ CL ）
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
E
DS （ AL ）S
峰值漏极电流
总功耗
栅极 - 源极钳位
当前
储存温度
结温
源出电流
峰源电流
T
mb
= 25 °C;
t
p
≤
10微秒;脉冲;牛逼
mb
= 25 °C
[1]
[2]
雪崩耐用性
不重复
I
D
= 75 A; V
SUP
≤
40 V ;
GS
= 50
;
V
GS
= 10 V;
漏源雪崩牛逼
J（下INIT ）
= 25°C ;松开
能源
静电放电
电压
[1]
[2]
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
条件
T
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
175 °C
R
GS
= 20 k
[1]
[2]
[2]
民
-
-
-20
-
-
-
-
-
-
-
-55
-55
-
-
-
-
最大
40
40
20
117
75
75
468
221
10
50
175
175
117
75
468
0.63
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
mA
mA
°C
°C
A
A
A
J
T
mb
= 25°C ;吨
p
≤
10微秒;脉冲;看
科幻gure 3
T
mb
= 25°C ;看
图1
连续
脉冲;吨
p
= 5毫秒;
δ
= 0.01
源极 - 漏极二极管
静电放电
V
ESD
HBM ; C = 100 pF的; R = 1.5 kΩ的
-
6
kV
电流是由功耗芯片等级的限制。
连续电流通过封装的限制。
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NXP B.V. 2009保留所有权利。
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TrenchPLUS标准水平FET
牧师02 - 2003年10月24日
产品数据
1.产品廓
1.1说明
N沟道增强型网络场效电源在一个塑料包装使用的晶体管
的TrenchMOS 技术，具有极低的导通电阻， TrenchPLUS
电流检测器和二极管用于ESD保护。
1.2产品特点
s
ESD保护
s
集成电流传感器
s
Q101标准
s
标准电平兼容。
1.3应用
s
可变气门正时发动机
s
电子助力转向。
1.4快速参考数据
s
V
DS
≤
40 V
s
I
D
≤
117 A
s
R
DSON
= 6毫欧（典型值）
s
I
D
/I
SENSE
= 500 （典型值） 。
2.管脚信息
表1：
针
1
2
3
4
5
mb
钢钉 - SOT426和SOT263B ，简化的外形和符号
简化的轮廓
mb
mb
描述
栅极（G ）
感测电流（I
SENSE
)
漏极（四）
开尔文源
源极（S ）
安装底座;
连接到漏极（D）
符号
d
1 2 3 4 5
g
前视图
MBK127
MBL368
ISENSE
s
开尔文源
1
5
MBL263
SOT426 （ D2 -PAK ）
SOT263B （ TO- 220AB ）
飞利浦半导体
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TrenchPLUS标准水平FET
3.订购信息
表2：
订购信息
包
名字
BUK7108-40AIE
BUK7908-40AIE
D
2
-PAK
TO-220
描述
VERSION
塑料单端表面贴装封装; 5导线（一根导线裁剪） SOT426
塑料单端封装;散热器安装; 1安装孔; 5引线SOT263B
类型编号
4.极限值
表3 ：限制值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
参数
漏极 - 源极电压（直流）
漏极 - 栅极电压（直流）
栅极 - 源极电压（直流）
漏电流（ DC ）
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 10 V;
图2
和
3
T
mb
= 100
°C;
V
GS
= 10 V;
图2
I
DM
P
合计
I
GS （ CL ）
T
英镑
T
j
I
DR
I
DRM
E
DS （ AL ）S
峰值漏极电流
总功耗
栅极 - 源极钳位电流
储存温度
结温
反向漏电流（DC）的
峰值反向漏电流
非重复性的漏极 - 源极
雪崩能量
T
mb
= 25
°C
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s
非钳位感性负载;我
D
= 75 A;
V
DS
≤
40 V; V
GS
= 10 V;
R
GS
= 50
;
起始物为
j
= 25
°C
人体模型; C = 100 pF的;
R = 1.5 kΩ的
[1]
[2]
[1]
[2]
[2]
条件
R
GS
= 20 k
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
55
55
-
-
-
-
最大
40
40
±20
117
75
75
468
221
10
50
+175
+175
117
75
468
0.63
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
mA
mA
°C
°C
A
A
A
J
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s;
科幻gure 3
T
mb
= 25
°C;
图1
连续
t
p
= 5毫秒;
δ
= 0.01
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
静电放电
V
ESD
静电放电电压;所有
引脚
-
6
kV
[1]
[2]
电流是由功耗芯片等级的限制。
连续电流通过封装的限制。
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产品数据
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飞利浦半导体
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TrenchPLUS标准水平FET
120
PDER
(%)
80
03na19
120
ID
(A)
03ni93
80
上限为75 a由于包
40
40
0
0
50
100
150
200
TMB
(°C)
0
0
50
100
150
200
TMB （ ° C）
P
DER
P
合计
=
----------------------
×
100%
-
P
°
合计
(
25 C
)
V
GS
≥
10 V
看图1，归一化的总功耗为
功能安装基座的温度。
图2.连续漏电流的一个函数
安装基座的温度。
103
ID
(A)
03nl55
限制导通电阻= VDS / ID
TP = 10
s
102
100
s
1毫秒
上限为75 a由于包
10
DC
10毫秒
100毫秒
1
1
10
VDS （ V）
102
T
mb
= 25
°C;
I
DM
单脉冲。
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏 - 源极电压的函数。
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TrenchPLUS标准水平FET
5.热特性
表4：
符号
R
号（j -a）的
热特性
参数
从结点到环境的热阻
SOT263B
SOT426
R
日（ J- MB ）
热阻结到
安装底座
垂直静止空气中
最小的足迹;安装在PCB上
图4
-
-
-
60
50
-
-
-
K / W
K / W
条件
民
典型最大单位
0.68 K / W
5.1瞬态热阻抗
1
第Z （ J- MB ）
（K / W）
0.2
03nj21
δ
= 0.5
10-1
0.1
0.05
0.02
10-2
P
单发
δ
=
tp
T
tp
T
10-3
10-6
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
TP （多个）
t
1
图4.瞬态从结的热阻抗，以安装基座的脉冲持续时间的函数。
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