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BUK6E2R0-30C
N沟道的TrenchMOS中级FET
版本02 - 2010年9月7日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
中级栅极驱动N沟道增强型场效应晶体管（ FET）
在一个塑料封装采用先进的TrenchMOS技术。本产品已
设计和合格的到合适的AEC Q101标准的高性能应用
汽车应用。
1.2特点和优点
AEC Q101标准
适合中级水平的门
驱动源
适用于要求苛刻的热
由于175℃的评价环境
1.3应用
12 V汽车系统
电气和电子液压助力
操舵
电机，灯和电磁阀控制
起止微混合应用程序
传输控制
超高性能电源
开关
1.4快速参考数据
表1中。
符号
V
DS
I
D
P
合计
快速参考数据
参数
漏源
电压
漏电流
总功率
耗散
漏源
导通状态
阻力
条件
T
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
175 °C
V
GS
= 10 V ;牛逼
mb
= 25 °C;
SEE
图1
T
mb
= 25°C ;看
图2
[1]
民
-
-
-
典型值
-
-
-
最大单位
30
120
306
V
A
W
静态特性
R
DSON
V
GS
= 10 V ;我
D
= 25 A;
T
j
= 25°C ;看
图16
-
1.9
2.2
m
雪崩耐用性
E
DS （ AL ）S
不重复
I
D
= 120 A; V
SUP
≤
30 V;
漏源
R
GS
= 50
;
V
GS
= 10 V;
雪崩能T
J（下INIT ）
= 25°C ;松开
-
-
1.7
J
[1]
连续电流通过封装的限制。
恩智浦半导体
BUK6E2R0-30C
N沟道的TrenchMOS中级FET
2.管脚信息
表2中。
针
1
2
3
mb
管脚信息
符号说明
G
D
S
D
门
漏
来源
安装底座;连接
漏
mb
D
简化的轮廓
图形符号
G
mbb076
S
1 2 3
SOT226 （ I2PAK ）
3.订购信息
表3中。
订购信息
包
名字
BUK6E2R0-30C
I2PAK
描述
塑料单端封装（ I2PAK ） ; TO- 262
VERSION
SOT226
类型编号
BUK6E2R0-30C
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产品数据表
版本02 - 2010年9月7日
2 15
恩智浦半导体
BUK6E2R0-30C
N沟道的TrenchMOS中级FET
4.极限值
表4 。
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
E
DS （ AL ）S
E
DS （ AL ）R
极限值
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
源出电流
峰源电流
非重复性的漏极 - 源极
雪崩能量
重复的漏 - 源
雪崩能量
T
mb
= 25 °C
t
p
≤
10微秒;脉冲;牛逼
mb
= 25 °C
I
D
= 120 A; V
SUP
≤
30 V ;
GS
= 50
;
V
GS
= 10 V ;牛逼
J（下INIT ）
= 25°C ;松开
[6][7][8]
[5]
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
条件
T
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
175 °C
[1][2]
[3][4]
民
-
-16
-20
-
-
-
-
-55
-55
-
-
-
-
最大
30
16
20
120
120
1082
306
175
175
120
1082
1.7
-
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
J
J
T
mb
= 25 ℃; V
GS
= 10 V ;看
图1
T
mb
= 100℃ ; V
GS
= 10 V ;看
图1
T
mb
= 25°C ;吨
p
≤
10微秒;脉冲;
SEE
科幻gure 3
T
mb
= 25°C ;看
图2
[5]
[5]
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
[6]
[7]
[8]
DC
-16V累积的时间不超过168小时。
脉冲
累计脉冲持续时间不超过5分钟。
连续电流通过封装的限制。
单脉冲雪崩额定值受175° C的最高结温。
重复雪崩额定值的限制由在170℃的平均结温。
请参考应用笔记AN10273了解更多信息。
BUK6E2R0-30C
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3 15
恩智浦半导体
BUK6E2R0-30C
N沟道的TrenchMOS中级FET
300
I
D
(A)
003aae232
120
P
DER
(%)
80
03na19
250
200
150
(1)
100
40
50
0
0
50
100
150
200
T
mb
(°C)
0
0
50
100
150
T
mb
(°C)
200
图1 。
连续漏极电流的一个函数
安装基座的温度
图2 。
归一化的总功耗为
的安装基座温度功能
003aae233
10
4
I
D
(A)
10
3
性限R
DSON
= V
DS
/ I
D
t
p
=10
μ
s
100
μ
s
10
2
10
DC
1毫秒
10毫秒
100毫秒
1
10
-1
10
-2
10
-1
1
10
V
DS
(V)
10
2
图3 。
安全工作区;连续和峰值漏电流与漏源电压的函数
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恩智浦半导体
BUK6E2R0-30C
N沟道的TrenchMOS中级FET
5.热特性
表5 。
符号
R
日（ J- MB ）
R
号（j -a）的
热特性
参数
热阻结
安装基座
热阻结
到环境
条件
SEE
图4
垂直于自由空气
民
-
-
典型值
-
50
最大
0.49
-
单位
K / W
K / W
1
003aae269
Z
日（ J- MB ）
（K / W）
10
-1
δ
= 0.5
0.2
0.1
0.05
t
p
T
10
-2
0.02
P
δ
=
单发
10
-3
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
t
p
T
t
t
p
(s)
1
图4 。
从结点作为脉冲持续时间的函数的瞬态热阻抗安装基座
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