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飞利浦半导体
产品speci fi cation
功率MOS晶体管
逻辑电平FET
概述
N沟道增强模式
逻辑电平场效应功率
晶体管在一个塑料外壳
适于表面贴装
应用程序。
该装置适用于在使用中
汽车和通用
开关应用。
BUK582-100A
快速参考数据
符号
V
DS
I
D
P
合计
T
j
R
DS （ ON）
参数
漏源电压
漏电流（ DC ）
总功耗
结温
漏极 - 源极导通状态
阻力;
V
GS
= 5 V
马克斯。
100
1.7
1.8
150
0.31
单位
V
A
W
C
钉扎 - SOT223
针
1
2
3
4
门
漏
来源
漏极（选项卡）
描述
引脚配置
4
符号
d
g
1
2
3
s
极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值
符号
V
DS
V
DGR
±V
GS
I
D
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流（ DC ）
漏电流（ DC ）
漏极电流（脉冲峰值）
总功耗
储存温度
结温
条件
-
R
GS
= 20 k
-
T
AMB
= 25 C
T
AMB
= 100 C
T
AMB
= 25 C
T
AMB
= 25 C
-
-
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
- 55
-
马克斯。
100
100
15
1.7
1.1
6.8
1.8
150
150
单位
V
V
V
A
A
A
W
C
C
热阻
符号
R
日J- B
R
日J- AMB
参数
从结对板
1
从结点到环境
条件
安装在任何PCB
安装在印刷电路板图17的
分钟。
-
-
典型值。
40
-
马克斯。
-
70
单位
K / W
K / W
1
温度测量1-3毫米的标签。
1998年1月
1
启1.100
飞利浦半导体
产品speci fi cation
功率MOS晶体管
逻辑电平FET
静态特性
T
j
= 25 C除非另有说明
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TO ）
I
DSS
I
DSS
I
GSS
R
DS （ ON）
参数
漏源击穿
电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
漏极 - 源极导通状态
阻力
条件
V
GS
= 0 V ;我
D
= 0.25毫安
V
DS
= V
GS
; I
D
= 1毫安
V
DS
= 100 V; V
GS
= 0 V;
V
DS
= 100 V; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 125 C
V
GS
=
±15
V; V
DS
= 0 V
V
GS
= 5 V ;我
D
= 1.7 A
分钟。
100
1.0
-
-
-
-
BUK582-100A
典型值。
-
1.5
1
0.1
10
0.23
马克斯。
-
2.0
10
1.0
100
0.31
单位
V
V
A
mA
nA
动态特性
T
j
= 25 C除非另有说明
符号
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D ON
t
r
t
D OFF
t
f
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反馈电容
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
条件
V
DS
= 25 V ;我
D
= 1.7 A
V
GS
= 0 V; V
DS
= 25 V ; F = 1 MHz的
V
DD
= 30 V ;我
D
= 3 A;
V
GS
= 5 V ;
GS
= 50
;
R
根
= 50
分钟。
2
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
3
400
90
35
12
45
50
30
马克斯。
-
600
120
50
18
70
70
45
单位
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
反向二极管极限值和特性
T
j
= 25 C除非另有说明
符号
I
DR
I
DRM
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
连续反向漏
当前
脉冲反向漏电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
条件
-
-
I
F
= 1.7 A; V
GS
= 0 V
I
F
= 1.7 A; -dI
F
/ DT = 100 A / μs的;
V
GS
= -10 V; V
R
= 30 V
分钟。
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
0.85
90
0.30
马克斯。
1.7
6.8
1.1
-
-
单位
A
A
V
ns
C
雪崩限值
符号
W
DSS
参数
漏源不重复
非钳位电感关断
能源
条件
I
D
= 1.7 A; V
DD
≤
25 V;
V
GS
= 5 V ;
GS
= 50
;
T
AMB
= 25 C
分钟。
-
典型值。
-
马克斯。
45
单位
mJ
1998年1月
2
启1.100
飞利浦半导体
产品speci fi cation
功率MOS晶体管
逻辑电平FET
BUK582-100A
120
110
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
100
PD ％
归一化功率降额
10
ID / A
VD
S/
ID
BUK582-100A
TP = 10我们
100美
1毫秒
10毫秒
DC
100毫秒
1s
10 s
1
0.1
0
20
40
60
80
TAMB / C
100
120
140
0.01
0.1
R
D
S(
O
N
)=
1
10
VDS / V
100
图1 。归一化的功率耗散。
PD ％ = 100
P
D
/P
D 25 C
= F （T
AMB
)
ID％
归一化电流降额
图4 。安全工作区域T
AMB
= 25 C
I
D
＆放大器;我
DM
= F（V
DS
); I
DM
单脉冲;参数t
p
ID / A
10
5
BUK582-100A
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
7
6
5
4
3
2
1
4
3.5
3
VGS / V = 2.5
2
0
20
40
60
80
TAMB / C
100
120
140
0
0
2
4
VDS / V
6
8
10
图2 。正常化的连续漏极电流。
ID％ = 100
I
D
/I
D 25 C
= F （T
AMB
） ;条件： V
GS
≥
5 V
图5 。典型的输出特性，T
j
= 25 C.
I
D
= F（V
DS
） ;参数V
GS
RDS （ ON） /欧姆
BUK582-100A
1E+02
第i个J- AMB / （K / W）
BUKX82-100
D=
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
P
D
t
p
D=
t
p
T
1
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
2.5
3
VGS / V = 3.5
1E+01
1E+00
4
5
10
1E-01
0
1E-02
1E-07
1E-05
1E-03
T / S
1E-01
T
t
0.1
0
0
2
ID / A
4
6
1E+01
1E+03
如图3所示。瞬态热阻抗。
Z
日J- AMB
= F（T） ;参数D = T
p
/T
图6 。典型通态电阻，T
j
= 25 C.
R
DS （ ON）
= F（我
D
） ;参数V
GS
1998年1月
3
启1.100
飞利浦半导体
产品speci fi cation
功率MOS晶体管
逻辑电平FET
BUK582-100A
7
6
5
4
3
2
1
0
ID / A
BUK582-100A
VGS （ TO ） / V
马克斯。
2
典型值。
分钟。
1
TJ / C = 150
25
0
0
1
2
VGS / V
3
4
-60
-40
-20
0
20
40
60
TJ / C
80
100
120
140
图7 。典型的传输特性。
I
D
= F（V
GS
） ;条件： V
DS
= 25 V ;参数T
j
GFS / S
BUK582-100A
图10 。栅极阈值电压。
V
GS （ TO ）
= F （T
j
） ;条件：我
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
ID / A
亚阈值传导
6
5
4
1E-01
1E-02
2%
98 %
1E-03
典型值
3
1E-04
2
1
0
0
1E-05
1E-06
1
2
3
ID / A
4
5
6
7
0
0.4
0.8
1.2
VGS / V
1.6
2
2.4
图8 。典型的跨导，T
j
= 25 C.
g
fs
= F（我
D
） ;条件： V
DS
= 25 V
a
归一化的RDS（ON ） = F （TJ）
图11 。亚阈值漏电流。
I
D
= F（V
GS ）
;条件：T已
j
= 25 ℃; V
DS
= V
GS
C / pF的
BUK5y2-100
2.0
10000
1.5
1000
1.0
西塞
100
0.5
科斯
CRSS
0
-60 -40 -20
0
20
40 60
TJ / C
80
100 120 140
10
0
20
VDS / V
40
图9 。正常化漏极 - 源极导通电阻。
一 - R的
DS （ ON）
/R
DS （ ON） 25 C
= F （T
j
); I
D
= 1.7 A; V
GS
= 5 V
图12 。典型的电容，C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
.
C = F（V
DS
） ;条件： V
GS
= 0 V ; F = 1 MHz的
1998年1月
4
启1.100
飞利浦半导体
产品speci fi cation
功率MOS晶体管
逻辑电平FET
BUK582-100A
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
VGS / V
BUK582-100A
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
WDSS ％
正常化雪崩能量
VDS / V = 20
80
0
5
QG / NC
10
15
20
40
60
80
100
TAMB / C
120
140
图13 。典型导通栅极电荷特性。
V
GS
= F （Q
G
） ;条件：我
D
= 1.7 A;参数V
DS
IF / A
BUK582-100A
图15 。正常化雪崩能量等级。
W
DSS
（％）= F（T
AMB
） ;条件：我
D
= 1.7 A
7
6
5
4
+
L
VDS
VGS
VDD
-
-ID/100
T.U.T.
R 01
分流
3
TJ / C = 150
2
1
0
0
25
0
RGS
0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8
VSDS / V
2
图14 。典型的反向二极管电流。
I
F
= F（V
SDS
） ;条件： V
GS
= 0 V ;参数T
j
图16 。雪崩能量测试电路。
2
W
DSS
=
0.5
LI
D
BV
DSS
/ （ BV
DSS
V
DD
)
1998年1月
5
启1.100
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B43540B5227M062
BSV16
B72530T0400K062
BTA24-600BW
BQ34Z653
B32231D8224000
B43231D0337M000
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封装
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    BUK582-100A
    -
    -
    -
    -
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