飞利浦半导体
产品speci fi cation
功率MOS晶体管
钳位逻辑电平FET
静态特性
T
j
= 25 C除非另有说明
符号
V
（ BR ） DG
V
GS （ TO ）
V
GS （ ON）
I
DSS
I
GSS
R
DS （ ON）
参数
漏极 - 栅极击穿电压
栅极阈值电压
栅极电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
漏极 - 源极导通状态
阻力
条件
0.2 < -I
G
< 0.4毫安;
-55°C <牛逼
j
< 150℃
V
DS
= V
GS
; I
D
= 1毫安
V
DS
= 10 V ;我
D
= 10 A;
-55°C <牛逼
j
< 150℃
V
DS
= 30 V; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
=150 C
V
GS
=
±15
V; V
DS
= 0 V ;牛逼
j
=150 C
V
GS
= 5 V ;我
D
= 10 A
分钟。
38
1.0
2.0
-
-
-
BUK573-48C
典型值。
45
1.5
3.1
0.01
0.1
65
马克斯。
54
2.0
4.0
1.0
10
85
单位
V
V
V
mA
A
m
动态特性
T
j
= 25 C除非另有说明
符号
V
（CL）的DSR
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D ON
t
r
t
D OFF
t
f
L
d
L
s
参数
漏源电压钳
（峰值）
正向跨导
输入电容
输出电容
反馈电容
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
内部排水电感
内部源极电感
条件
R
G
= 10 kΩ的;我
D
= 10 A;
-55 <牛逼
j
< 150C ;感性负载。
V
DS
= 25 V ;我
D
= 10 A
V
GS
= 0 V; V
DS
= 25 V ; F = 1 MHz的
分钟。
40
7
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
48
12
550
240
100
3.5
22
16
18
4.5
7.5
马克斯。
58
-
825
350
160
-
-
-
-
-
-
单位
V
S
pF
pF
pF
s
s
s
s
nH
nH
V
DD
= 12 V ;我
D
= 5 A;
V
GS
= 5 V ;
G
= 10 k;
从漏极引线6毫米测
从包装到模具中心
从源测量导致6毫米
从包装到源焊盘
隔离
T
j
= 25 C除非另有说明
符号
V
ISOL （ RMS ）
参数
条件
分钟。
-
典型值。
-
马克斯。
2500
单位
V
RMS
均方根隔离电压从所有F = 50-60赫兹;正弦波;
三个端子的外部
相对湿度< 65 ％ ;清洁无尘
散热器
电容从T2到
外部散热器
F = 1 MHz的
C
ISOL
-
10
-
pF
1994年8月
2
启1.000
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