【飞利浦半导体产品speci fi cation功率MOS晶体管钳位电压逻辑电平FET概述受保护的N沟】,IC型号BUK563-48C,BUK563-48C PDF资料,BUK563-48C经销商,ic,电子元器件-51电子网

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飞利浦半导体

产品speci fi cation

功率MOS晶体管

钳位电压逻辑电平FET

概述

受保护的N沟道增强

模式的逻辑电平场效应功率

晶体管在一个塑料外壳

适宜

为

表面

MOUNT

应用程序。

该装置适用于在使用中

汽车应用。它有

内置的齐纳二极管提供活性

漏极电压钳位。

BUK563-48C

快速参考数据

符号

V

（CL）的DSR

I

D

P

合计

T

j

W

DSRR

R

DS （ ON）

参数

漏源电压钳

漏电流（ DC ）

总功耗

结温

重复夹紧关闭

能量;牛逼

j

= 150C

漏极 - 源极导通状态

阻力; V

GS

= 5 V

分钟。

40

典型值。

48

MAX 。 UNIT

58

21

75

175

50

85

V

A

W

C

mJ

m

钉扎 - SOT404

针

1

2

3

TAB

门

漏

来源

漏

描述

引脚配置

mb

符号

d

g

2

1

3

s

极限值

按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值

符号

V

DS

V

DG

±V

GS

I

D

I

D

I

DM

P

合计

T

英镑

T

j

参数

漏源电压

漏极 - 栅极电压

栅源电压

漏电流（ DC ）

漏电流（ DC ）

漏极电流（脉冲峰值

值）

总功耗

储存温度

结温

条件

连续

连续

-

T

mb

= 25 C

T

mb

= 100 C

T

mb

= 25 C

T

mb

= 25 C

-

-

分钟。

-

-

-

-

-

-

-

- 55

- 55

马克斯。

30

30

15

21

15

84

75

175

175

单位

V

V

V

A

A

A

W

C

C

热阻

符号

R

日J- MB

R

日J-一

参数

热阻结到

散热器

热阻结到

环境

条件

与复合散热器

最小的足迹，

FR4电路板（参见图18）

分钟。

-

-

典型值。

-

50

马克斯。

2

-

单位

K / W

K / W

1996年2月

1

启1.000

飞利浦半导体

产品speci fi cation

功率MOS晶体管

钳位电压逻辑电平FET

静态特性

T

j

= 25 C除非另有说明

符号

V

（ BR ） DG

V

GS （ TO ）

V

GS （ ON）

I

DSS

I

GSS

R

DS （ ON）

参数

漏极 - 栅极击穿电压

栅极阈值电压

栅极电压

零栅极电压漏极电流

门源漏电流

漏极 - 源极导通状态

阻力

条件

0.2 < -I

G

< 0.4毫安;

-55°C <牛逼

j

< 150℃

V

DS

= V

GS

; I

D

= 1毫安

V

DS

= 10 V ;我

D

= 10 A;

-55°C <牛逼

j

< 150℃

V

DS

= 30 V; V

GS

= 0 V ;牛逼

j

=150 C

V

GS

=

±15

V; V

DS

= 0 V ;牛逼

j

=150 C

V

GS

= 5 V ;我

D

= 10 A

分钟。

38

1.0

2.0

-

-

-

BUK563-48C

典型值。

45

1.5

3.1

0.01

0.1

65

马克斯。

54

2.0

4.0

1.0

10

85

单位

V

V

V

mA

A

m

动态特性

T

j

= 25 C除非另有说明

符号

V

（CL）的DSR

g

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D ON

t

r

t

D OFF

t

f

L

d

L

s

参数

漏源电压钳

（峰值）

正向跨导

输入电容

输出电容

反馈电容

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

内部排水电感

内部源极电感

条件

R

G

= 10 kΩ的;我

D

= 10 A;

-55 <牛逼

j

< 150C ;感性负载。

V

DS

= 25 V ;我

D

= 10 A

V

GS

= 0 V; V

DS

= 25 V ; F = 1 MHz的

分钟。

40

7

-

-

-

-

-

-

-

-

-

典型值。

48

12

550

240

100

3.5

22

16

18

4.5

7.5

马克斯。

58

-

825

350

160

-

-

-

-

-

-

单位

V

S

pF

pF

pF

s

s

s

s

nH

nH

V

DD

= 12 V ;我

D

= 5 A;

V

GS

= 5 V ;

G

= 10 k;

从漏极引线6毫米测

从包装到模具中心

从源测量导致6毫米

从包装到源焊盘

反向二极管极限值和特性

T

j

= 25 C除非另有说明

符号

I

DR

I

DRM

V

SD

参数

连续反向漏

当前

脉冲反向漏电流

二极管的正向电压

条件

-

-

I

F

= 21 A; V

GS

= 0 V

分钟。

-

-

-

典型值。

-

-

1.3

马克斯。

21

84

1.7

单位

A

A

V

1996年2月

2

启1.000

飞利浦半导体

产品speci fi cation

功率MOS晶体管

钳位电压逻辑电平FET

钳位能源限值

符号

W

DSRS

参数

非重复性的漏极 - 源极

钳位感性关闭

能源

条件

T

j

= 25°前夹紧;

I

D

= 10 A; V

DD

< 16 V ; V

GS

= 5 V;

R

G

= 10 kΩ的;感性负载

分钟。

-

BUK563-48C

马克斯。

200

单位

mJ

W

DSRR

漏源重复夹紧牛逼

j

= 150C之前，夹紧;

感应式关闭能源

I

D

= 10 A; V

DD

< 16 V ; V

GS

= 5 V;

R

G

= 10 kΩ的;感性负载

-

50

mJ

120

110

100

90

80

70

60

50

40

30

20

10

0

PD ％

归一化功率降额

120

110

100

90

80

70

60

50

40

30

20

10

0

ID％

归一化电流降额

0

20

40

60

80 100

TMB / C

120

140

160

180

0

20

40

60

80 100

TMB / C

120

140

160

180

图1 。归一化的功率耗散。

PD ％ = 100

P

D

/P

D 25 C

= F （T

mb

)

如图3所示。正常化的连续漏极电流。

ID％ = 100

I

D

/I

D 25 C

= F （T

mb

） ;条件： V

GS

≥

5 V

ID / A

100

O

S(

=

N)

VD

ID

BUK553-48C

1E+01

第i个J- MB / （K / W）

ZTHX53

S/

TP =

10我们

RD

1E+00

100美

0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

P

D

tp

D=

t

p

T

t

10

1毫秒

1E-01

DC

自钳位

1

1

10毫秒

100毫秒

0

1E-02

1E-07

1E-05

1E-03

T / S

T

10

VDS / V

100

1E-01

1E+01

图2 。安全工作区。牛逼

mb

= 25 C

I

D

＆放大器;我

DM

= F（V

DS

); I

DM

单脉冲;参数t

p

图4 。瞬态热阻抗。

Z

日J- MB

= F（T） ;参数D = T

p

/T

1996年2月

3

启1.000

飞利浦半导体

产品speci fi cation

功率MOS晶体管

钳位电压逻辑电平FET

BUK563-48C

40

ID / A

10

BUK5Y3-48C

VGS / V = 5

40

ID / A

BUK5Y3-48C

30

4.5

4

30

20

3.5

10

3

2.5

0

0

2

4

VDS / V

6

8

10

20

10

TMB /摄氏度=

150

25

-55

0

1

2

3

4

VGS / V

5

6

7

0

图5 。典型的输出特性，T

j

= 25 C.

I

D

= F（V

DS

） ;参数V

GS

图8 。典型的传输特性。

I

D

= F（V

GS

） ;条件： V

DS

= 25 V.

GFS / S

BUK5Y3-48C

0.5

RDS （ ON） /欧姆

2.5

3

3.5

VGS / V = 4

BUK5Y3-48C

20

0.4

4.5

0.3

5

15

10

0.2

5

0.1

10

150

25

-55

TMB /摄氏度=

0

0

10

20

VDS / V

30

40

0

0

10

20

ID / A

30

40

图6 。典型通态电阻，T

j

= 25 C.

R

DS （ ON）

= F（我

D

） ;参数V

GS

V（ CL ） DSR / V

BUK5Y3-48C

图9 。典型的跨导。

g

fs

= F（我

D

） ;条件： V

DS

= 25 V

V（ CL ） DSR / V

150

25

-55

51

50

49

48

58

56

54

52

BUK5Y3-48C

TMB /摄氏度=

47

50

46

45

44

43

0

2

4

6

ID / A

8

TMB /摄氏度=

150

25

-55

10

12

48

46

44

1

2

5

RG /千欧

10

20

图7 。典型钳位电压

V

（CL）的DSR

= F（我

D

） ;条件：v

G

= 10 k

图10 。典型钳位voltgage

V

（CL）的DSR

= F （r

G

） ;条件：我

D

= 10 A.

1996年2月

4

启1.000

飞利浦半导体

产品speci fi cation

功率MOS晶体管

钳位电压逻辑电平FET

BUK563-48C

2.0

a

归一化的RDS（ON ） = F （TJ）

VGS （ TO ） / V

马克斯。

2

1.5

典型值。

1.0

1

分钟。

0.5

0

-60

-20

20

60

TJ / C

100

140

180

0

-60

-20

20

60

TJ / C

100

140

180

图11 。正常化漏极 - 源极导通电阻。

一 - R的

DS （ ON）

/R

DS （ ON） 25 C

= F （T

j

); I

D

= 10 A; V

GS

= 5 V

ID / A

亚阈值传导

图14 。栅极阈值电压。

V

GS （ TO ）

= F （T

j

） ;条件：我

D

= 1毫安; V

DS

= V

GS

IS / A

TMB /摄氏度=

BUK5Y3-48C

1E-01

40

1E-02

30

1E-03

2%

典型值

98 %

150

25

-55

20

1E-04

1E-05

10

1E-06

0

0.4

0.8

1.2

VGS / V

1.6

2

2.4

0

0

0.5

VSDS / V

1

1.5

图12 。亚阈值漏电流。

I

D

= F（V

GS ）

;条件：T已

j

= 25 ℃; V

DS

= V

GS

C / pF的

BUK5Y3-48C

图15 。典型的反向二极管电流。

I

F

= F（V

SDS

） ;条件： V

GS

= 0 V ;参数T

j

VGS / V

VDD / V = 12

6

BUK5Y3-48C

30

2000

7

1000

5

500

西塞

4

3

200

科斯

2

100

CRSS

50

0.01

0.1

1

VDS / V

10

100

1

0

0

5

10

QG / NC

15

20

图13 。典型的电容，C

国际空间站

, C

OSS

, C

RSS

.

C = F（V

DS

） ;条件： V

GS

= 0 V ; F = 1 MHz的

图16 。典型导通栅极电荷特性。

V

GS

= F （Q

G

） ;条件：我

D

= 10 A;参数V

DS

1996年2月

5

启1.000

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-

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