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飞利浦半导体
产品speci fi cation
功率MOS晶体管
逻辑电平FET
概述
N沟道增强模式
逻辑电平场效应功率
晶体管在一个塑料外壳。
该装置适用于在使用中
开关电源
（SMPS） ，电机控制，焊接
的DC / DC和AC / DC转换器，以及
在汽车和通用
开关应用。
BUK553-100A/B
快速参考数据
符号
V
DS
I
D
P
合计
T
j
R
DS （ ON）
参数
BUK553
漏源电压
漏电流（ DC ）
总功耗
结温
漏极 - 源极导通状态
阻力;
V
GS
= 5 V
马克斯。
-100A
100
13
75
175
0.18
马克斯。
-100B
100
12
75
175
0.22
单位
V
A
W
C
钉扎 - TO220AB
针
1
2
3
TAB
门
漏
来源
漏
描述
引脚配置
TAB
符号
d
g
1 23
s
极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值
符号
V
DS
V
DGR
±V
GS
±V
GSM
I
D
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
非重复性的栅极 - 源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（ DC ）
漏极电流（脉冲峰值）
总功耗
储存温度
结温
条件
-
R
GS
= 20 k
-
t
p
≤
50
s
T
mb
= 25 C
T
mb
= 100 C
T
mb
= 25 C
T
mb
= 25 C
-
-
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
- 55
-
-100A
13
9
52
75
175
175
马克斯。
100
100
15
20
-100B
12
8.5
48
单位
V
V
V
V
A
A
A
W
C
C
热阻
符号
R
日J- MB
R
日J-一
参数
热阻结到
安装底座
热阻结到
环境
条件
分钟。
-
-
典型值。
-
60
马克斯。
2.0
-
单位
K / W
K / W
1993年4月
1
启1.100
飞利浦半导体
产品speci fi cation
功率MOS晶体管
逻辑电平FET
静态特性
T
mb
= 25 C除非另有说明
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TO ）
I
DSS
I
DSS
I
GSS
R
DS （ ON）
参数
漏源击穿
电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
漏极 - 源极导通状态
阻力
条件
V
GS
= 0 V ;我
D
= 0.25毫安
V
DS
= V
GS
; I
D
= 1毫安
V
DS
= 100 V; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 C
V
DS
= 100 V; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
=125 C
V
GS
=
±15
V; V
DS
= 0 V
V
GS
= 5 V;
BUK553-100A
BUK553-100B
I
D
= 6.5 A
分钟。
100
1.0
-
-
-
-
-
BUK553-100A/B
典型值。
-
1.5
1
0.1
10
0.17
0.20
马克斯。
-
2.0
10
1.0
100
0.18
0.22
单位
V
V
A
mA
nA
动态特性
T
mb
= 25 C除非另有说明
符号
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D ON
t
r
t
D OFF
t
f
L
d
L
d
L
s
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反馈电容
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
内部排水电感
内部排水电感
内部源极电感
条件
V
DS
= 25 V ;我
D
= 6.5 A
V
GS
= 0 V; V
DS
= 25 V ; F = 1 MHz的
V
DD
= 30 V ;我
D
= 3 A;
V
GS
= 5 V ;
GS
= 50
;
R
根
= 50
从螺丝接触测量
标签，模具中心
从漏极引线6毫米测
从包装到模具中心
从源测量导致6毫米
从包装到源焊盘
分钟。
6.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
8.0
620
180
90
10
45
90
40
3.5
4.5
7.5
马克斯。
-
825
250
120
20
60
115
55
-
-
-
单位
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nH
nH
nH
反向二极管极限值和特性
T
mb
= 25 C除非另有说明
符号
I
DR
I
DRM
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
连续反向漏
当前
脉冲反向漏电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
条件
-
-
I
F
= 13 A; V
GS
= 0 V
I
F
= 13 A; -dI
F
/ DT = 100 A / μs的;
V
GS
= 0 V; V
R
= 30 V
分钟。
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
1.2
90
0.6
马克斯。
13
52
1.5
-
-
单位
A
A
V
ns
C
雪崩限值
T
mb
= 25 C除非另有说明
符号
W
DSS
参数
漏源不重复
非钳位电感关断
能源
条件
I
D
= 13 A; V
DD
≤
50 V ;
V
GS
= 5 V ;
GS
= 50
分钟。
-
典型值。
-
马克斯。
70
单位
mJ
1993年4月
2
启1.100
飞利浦半导体
产品speci fi cation
功率MOS晶体管
逻辑电平FET
BUK553-100A/B
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
PD ％
归一化功率降额
1E+01
第i个J- MB / （K / W）
ZTHX53
1E+00
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0
P
D
tp
D=
t
p
T
t
1E-01
T
0
20
40
60
80 100
TMB / C
120
140
160
180
1E-02
1E-07
1E-05
1E-03
T / S
1E-01
1E+01
图1 。归一化的功率耗散。
PD ％ = 100
P
D
/P
D 25 C
= F （T
mb
)
ID％
归一化电流降额
图4 。瞬态热阻抗。
Z
日J- MB
= F（T） ;参数D = T
p
/T
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
ID / A
24
20
16
12
8
4
0
10
7
BUK553-100A
5
VGS / V =
4
3
2
0
2
4
VDS / V
6
8
10
0
20
40
60
80 100
TMB / C
120
140
160
180
图2 。正常化的连续漏极电流。
ID％ = 100
I
D
/I
D 25 C
= F （T
mb
） ;条件： V
GS
≥
5 V
ID / A
S/
VD
ID
图5 。典型的输出特性，T
j
= 25 C.
I
D
= F（V
DS
） ;参数V
GS
RDS （ ON） /欧姆
BUK553-100A
VGS / V =
3
3.5
4
4.5
5
100
BUK553-100
A
B
0.5
0.4
0.3
10
RD
=
N)
(O
S
TP = 10我们
100美
DC
1毫秒
10毫秒
100毫秒
2.5
10
0.2
0.1
1
0.1
1
0
10
VDS / V
100
0
4
8
12
16
ID / A
20
24
28
如图3所示。安全工作区。牛逼
mb
= 25 C
I
D
＆放大器;我
DM
= F（V
DS
); I
DM
单脉冲;参数t
p
图6 。典型通态电阻，T
j
= 25 C.
R
DS （ ON）
= F（我
D
） ;参数V
GS
1993年4月
3
启1.100
飞利浦半导体
产品speci fi cation
功率MOS晶体管
逻辑电平FET
BUK553-100A/B
ID / A
15
TJ / C =
25
150
BUK543-100A
VGS （ TO ） / V
马克斯。
2
10
典型值。
1
分钟。
5
0
0
2
4
VGS / V
6
8
0
-60
-20
20
60
TJ / C
100
140
180
图7 。典型的传输特性。
I
D
= F（V
GS
） ;条件： V
DS
= 25 V ;参数T
j
GFS / S
BUK543-100A
图10 。栅极阈值电压。
V
GS （ TO ）
= F （T
j
） ;条件：我
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
ID / A
亚阈值传导
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
1E-01
1E-02
2%
98 %
1E-03
典型值
1E-04
1E-05
1E-06
0
2
4
6
8
10 12
ID / A
14
16
18
20
0
0.4
0.8
1.2
VGS / V
1.6
2
2.4
图8 。典型的跨导，T
j
= 25 C.
g
fs
= F（我
D
） ;条件： V
DS
= 25 V
a
归一化的RDS（ON ） = F （TJ）
图11 。亚阈值漏电流。
I
D
= F（V
GS ）
;条件：T已
j
= 25 ℃; V
DS
= V
GS
C / pF的
BUK5y3-100
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
10000
1000
西塞
100
科斯
CRSS
-60
-20
20
60
TJ / C
100
140
180
10
0
20
VDS / V
40
图9 。正常化漏极 - 源极导通电阻。
一 - R的
DS （ ON）
/R
DS （ ON） 25 C
= F （T
j
); I
D
= 6.5 A; V
GS
= 5 V
图12 。典型的电容，C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
.
C = F（V
DS
） ;条件： V
GS
= 0 V ; F = 1 MHz的
1993年4月
4
启1.100
飞利浦半导体
产品speci fi cation
功率MOS晶体管
逻辑电平FET
BUK553-100A/B
12
10
8
6
4
2
0
VGS / V
BUK553-100
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
WDSS ％
VDS / V = 20
80
0
2
4
6
8
10 12
QG / NC
14
16
18
20
20
40
60
80
100
120
TMB / C
140
160
180
图13 。典型导通栅极电荷特性。
V
GS
= F （Q
G
） ;条件：我
D
= 13 A;参数V
DS
IF / A
BUK553-100A
图15 。正常化雪崩能量等级。
W
DSS
（％）= F（T
mb
） ;条件：我
D
= 13 A
30
+
L
20
TJ / C = 150
10
25
VDD
VDS
VGS
0
RGS
T.U.T.
R 01
分流
-
-ID/100
0
0
1
VSDS / V
2
图14 。典型的反向二极管电流。
I
F
= F（V
SDS
） ;条件： V
GS
= 0 V ;参数T
j
图16 。雪崩能量测试电路。
2
W
DSS
=
0.5
LI
D
BV
DSS
/ （ BV
DSS
V
DD
)
1993年4月
5
启1.100
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BAN-10
B82498B3470J
BH133331F
B45192E3226K306
BZT52B2V4
BZT52-B2V4
B37941K5683K072
B82422-H1473-K100
B3S
B8098
BL-HB5JC36H
BL1117-28CZ
B37872U5472S011
BCN4D22J7
BFQ193
BLX10
BS62LV1029PCP70
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BD278
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    -
    -
    -
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