【飞利浦半导体产品speci fi cation功率MOS晶体管逻辑电平FET概述N沟道增强模式的逻辑】,IC型号BUK545-60H,BUK545-60H PDF资料,BUK545-60H经销商,ic,电子元器件-51电子网

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飞利浦半导体

产品speci fi cation

功率MOS晶体管

逻辑电平FET

概述

N沟道增强模式的逻辑

级场效应功率晶体管

塑料全包信封。

该装置适用于在使用中

汽车应用中，开关

模式电源（ SMPS ），

马达控制，焊接， DC / DC和

交流/直流转换器，并在一般

用开关应用。

BUK545-60H

快速参考数据

符号

V

DS

I

D

P

合计

T

j

R

DS （ ON）

参数

漏源电压

漏电流（ DC ）

总功耗

结温

漏极 - 源极导通状态

阻力;

V

GS

= 5 V

马克斯。

60

21

30

150

38

单位

V

A

W

C

m

钉扎 - SOT186

针

1

2

3

门

漏

描述

引脚配置

例

符号

d

g

来源

1 2 3

孤立的情况下，

s

极限值

按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值

符号

V

DS

V

DGR

±V

GS

±V

GSM

I

D

I

D

I

DM

P

合计

T

英镑

T

j

参数

漏源电压

漏极 - 栅极电压

栅源电压

非重复性的栅极 - 源极

电压

漏电流（ DC ）

漏电流（ DC ）

漏极电流（脉冲峰值）

总功耗

储存温度

结温

条件

-

R

GS

= 20 k

-

t

p

≤

50

s

T

hs

= 25 C

T

hs

= 100 C

T

hs

= 25 C

T

hs

= 25 C

-

-

分钟。

-

-

-

-

-

-

-

-

- 55

-

马克斯。

60

60

15

20

21

13.5

82

30

150

150

单位

V

V

V

V

A

A

A

W

C

C

热阻

符号

R

日J- HS

R

日J-一

参数

热阻结到

散热器

热阻结到

环境

条件

与复合散热器

典型值。

-

55

马克斯。

4.17

-

单位

K / W

K / W

1994年8月

1

启1.000

飞利浦半导体

产品speci fi cation

功率MOS晶体管

逻辑电平FET

静态特性

T

hs

= 25 C除非另有说明

符号

V

（ BR ） DSS

V

GS （ TO ）

I

DSS

I

DSS

I

GSS

R

DS （ ON）

参数

漏源击穿

电压

栅极阈值电压

零栅极电压漏极电流

零栅极电压漏极电流

门源漏电流

漏极 - 源极导通状态

阻力

条件

V

GS

= 0 V ;我

D

= 0.25毫安

V

DS

= V

GS

; I

D

= 1毫安

V

DS

= 60 V; V

GS

= 0 V ;牛逼

j

= 25 C

V

DS

= 60 V; V

GS

= 0 V ;牛逼

j

=125 C

V

GS

=

±15

V; V

DS

= 0 V

V

GS

= 5 V;

I

D

= 20 A

分钟。

60

1.0

-

-

-

-

BUK545-60H

典型值。

-

1.5

1

0.1

10

25

马克斯。

-

2.0

10

1.0

100

38

单位

V

V

A

mA

nA

m

动态特性

T

hs

= 25 C除非另有说明

符号

g

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D ON

t

r

t

D OFF

t

f

L

d

L

s

参数

正向跨导

输入电容

输出电容

反馈电容

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

内部排水电感

内部源极电感

条件

V

DS

= 25 V ;我

D

= 20 A

V

GS

= 0 V; V

DS

= 25 V ; F = 1 MHz的

分钟。

11

-

-

-

-

-

-

-

-

-

典型值。

20

1200

470

180

25

120

160

110

4.5

7.5

马克斯。

-

1750

600

275

40

150

220

145

-

-

单位

S

pF

pF

pF

ns

ns

ns

ns

nH

nH

V

DD

= 30 V ;我

D

= 3 A;

V

GS

= 5 V ;

GS

= 50

;

R

根

= 50

从漏极引线6毫米测

从包装到模具中心

从源测量导致6毫米

从包装到源焊盘

隔离限值&特性

T

hs

= 25 C除非另有说明

符号

V

ISOL

参数

所有重复峰值电压

三个端子的外部

散热器

条件

相对湿度

≤

65 ％ ;干净无尘

分钟。

-

典型值。

马克斯。

1500

单位

V

C

ISOL

电容从T2到外部F = 1 MHz的

散热器

-

12

-

pF

反向二极管极限值和特性

T

hs

= 25 C除非另有说明

符号

I

DR

I

DRM

V

SD

t

rr

Q

rr

参数

连续反向漏

当前

脉冲反向漏电流

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

条件

-

-

I

F

= 21 A; V

GS

= 0 V

I

F

= 21 A; -dI

F

/ DT = 100 A / μs的;

V

GS

= 0 V; V

R

= 30 V

分钟。

-

-

-

-

-

典型值。

-

-

0.9

60

0.25

马克斯。

21

84

2.0

-

-

单位

A

A

V

ns

C

1994年8月

2

启1.000

飞利浦半导体

产品speci fi cation

功率MOS晶体管

逻辑电平FET

雪崩限值

符号

W

DSS

参数

漏源不重复

非钳位电感关断

能源

条件

I

D

= 41 A; V

DD

≤

25 V ;牛逼

hs

= 25 C

V

GS

= 5 V ;

GS

= 50

分钟。

-

BUK545-60H

典型值。

-

马克斯。

90

单位

mJ

120

110

100

90

80

70

60

50

40

30

20

10

0

PD ％

归一化功率降额

与复合散热器

1000

ID / A

BUK545-60H

100

N

(O

DS

R

)=

S/

VD

ID

TP =

10我们

100美

100美

1毫秒

10

DC

1

10毫秒

1毫秒

100毫秒

10毫秒

100毫秒

0

20

40

60

80

部份效果/ C

100

120

140

0.1

0.1

1

10

VDS / V

100

图1 。归一化的功率耗散。

PD ％ = 100

P

D

/P

D 25 C

= F （T

hs

)

归一化电流降额

与复合散热器

如图3所示。安全工作区。牛逼

hs

= 25 C

I

D

＆放大器;我

DM

= F（V

DS

); I

DM

单脉冲;参数t

p

第Z / （K / W）

D=

0.5

1

0.2

0.1

0.05

0.02

BUKx45-lv

120

110

100

90

80

70

60

50

40

30

20

10

0

ID％

10

0.1

0.01

0

P

D

t

p

D=

t

p

T

t

1E+01

0

20

40

60

80

部份效果/ C

100

120

140

0.001

1E-07

T

1E-05

1E-03

T / S

1E-01

图2 。正常化的连续漏极电流。

ID％ = 100

I

D

/I

D 25 C

= F （T

hs

） ;条件： V

GS

≥

5 V

图4 。瞬态热阻抗。

Z

日J- HS

= F（T） ;参数D = T

p

/T

1994年8月

3

启1.000

飞利浦半导体

产品speci fi cation

功率MOS晶体管

逻辑电平FET

BUK545-60H

100

ID / A

15

10

6

BUK5Y5-60H

40

GFS / S

BUK5Y5-60H

80

5

30

4.5

60

4

40

3.5

3

VGS / V = 2.5

0

0

2

4

VDS / V

6

8

10

0

0

20

40

ID / A

60

80

10

TJ / C =

-40

25

150

20

20

100

图5 。典型的输出特性，T

j

= 25 C.

I

D

= F（V

DS

） ;参数V

GS

图8 。典型的跨导，T

j

= 25 C.

g

fs

= F（我

D

） ;条件： V

DS

= 10 V

a

0.2

RDS （ ON） /欧姆

2.5

3

3.5

4

4.5

BUK5Y5-60H

归一化的RDS（ON ） = F （TJ）

1.5

VGS / V = 5

0.15

1.0

0.1

10

0.05

0.5

6

15

0

0

20

40

ID / A

60

80

100

0

-60 -40 -20

0

20

40 60

TJ / C

80

100 120 140

图6 。典型通态电阻，T

j

= 25 C.

R

DS （ ON）

= F（我

D

） ;参数V

GS

ID / A

BUK5Y5-60H

图9 。正常化漏极 - 源极导通电阻。

一 - R的

DS （ ON）

/R

DS （ ON） 25 C

= F （T

j

); I

D

= 20 A; V

GS

= 5 V

VGS （ TO ） / V

马克斯。

100

80

2

典型值。

60

分钟。

1

40

20

TJ / C =

-40

25

150

0

0

1

2

3

4

VGS / V

5

6

7

8

0

-60

-40

-20

0

20

40

60

TJ / C

80

100

120

140

图7 。典型的传输特性。

I

D

= F（V

GS

） ;条件： V

DS

= 25 V ;参数T

j

图10 。栅极阈值电压。

V

GS （ TO ）

= F （T

j

） ;条件：我

D

= 1毫安; V

DS

= V

GS

1994年8月

4

启1.000

飞利浦半导体

产品speci fi cation

功率MOS晶体管

逻辑电平FET

BUK545-60H

1E-01

ID / A

亚阈值传导

IS / A

100

TJ / C =

-40

25

150

BUKXY5-60H

1E-02

2%

98 %

80

典型值

1E-03

60

1E-04

40

1E-05

20

1E-06

0

0.4

0.8

1.2

VGS / V

1.6

2

2.4

0

0

0.5

VSDS / V

1

1.5

图11 。亚阈值漏电流。

I

D

= F（V

GS ）

;条件：T已

j

= 25 ℃; V

DS

= V

GS

C / pF的

图14 。典型的反向二极管电流。

I

F

= F（V

SDS

） ;条件： V

GS

= 0 V ;参数T

j

WDSS ％

10000

BUK5Y5-60H

西塞

科斯

CRSS

120

110

100

90

80

70

1000

60

50

40

30

20

10

100

0.1

0

1

VDS / V

10

100

20

40

60

80

100

部份效果/ C

120

140

图12 。典型的电容，C

国际空间站

, C

OSS

, C

RSS

.

C = F（V

DS

） ;条件： V

GS

= 0 V ; F = 1 MHz的

VGS / V

BUK5Y5-60H

图15 。正常化雪崩能量等级。

W

DSS

（％）= F（T

hs

） ;条件：我

D

= 41 A

15

+

VDD / V = 12

10

48

VDD

L

VDS

VGS

-

-ID/100

T.U.T.

R 01

分流

5

0

RGS

0

0

10

20

30

40

QG / NC

50

60

70

80

图13 。典型导通栅极电荷特性。

V

GS

= F （Q

G

） ;条件：我

D

= 41 A;参数V

DS

图16 。雪崩能量测试电路。

2

W

DSS

=

0.5

LI

D

BV

DSS

/ （ BV

DSS

V

DD

)

1994年8月

5

启1.000

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-

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-

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