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飞利浦半导体

产品speci fi cation

功率MOS晶体管

BUK481-60A

概述

N沟道增强模式

在场效应功率晶体管

适用于表面的塑料封套

安装应用程序。

该装置适用于在使用中

汽车和通用

开关应用。

快速参考数据

符号

合计

DS （ ON）

参数

漏源电压

漏电流（ DC ）

总功耗

结温

漏极 - 源极导通状态

阻力;

= 10 V

马克斯。

1.6

1.5

150

0.35

单位

钉扎 - SOT223

针

门

漏

来源

漏极（选项卡）

描述

引脚配置

符号

极限值

按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值

符号

DGR

±V

合计

英镑

参数

漏源电压

漏极 - 栅极电压

栅源电压

漏电流（ DC ）

漏极电流（脉冲峰值）

总功耗

储存温度

结温

条件

= 20 k

AMB

= 25 C

AMB

= 100 C

AMB

= 25 C

AMB

= 25 C

分钟。

-55

马克斯。

1.6

6.4

1.5

150

单位

热阻

符号

日J- SP

日J- AMB

参数

从结点到焊点

从结点到环境

条件

安装在任何PCB 。

安装在印刷电路板图18的

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

K / W

温度测量的漏卡焊点。

1995年11月

启1.100

飞利浦半导体

产品speci fi cation

功率MOS晶体管

BUK481-60A

静态特性

= 25 C除非另有说明

符号

（ BR ） DSS

GS （ TO ）

DSS

GSS

DS （ ON）

参数

漏源击穿

电压

栅极阈值电压

零栅极电压漏极电流

门源漏电流

漏极 - 源极导通状态

阻力

条件

= 0 V ;我

= 0.25毫安

= V

; I

- 0.1毫安

= 60 V; V

= 0 V;

= 60 V; V

= 0 V ;牛逼

= 125 C

±30

V; V

= 0 V

= 10 V ;我

= 1.6 A

分钟。

2.1

典型值。

3.0

0.1

0.22

马克斯。

4.0

1.0

100

0.35

单位

动态特性

= 25 C除非另有说明

符号

国际空间站

OSS

RSS

D ON

D OFF

参数

正向跨导

输入电容

输出电容

反馈电容

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

条件

= 25 V ;我

= 1.6 A

= 0 V; V

= 25 V ; F = 1 MHz的

= 30 V ;我

= 3 A;

= 10 V ;

= 50

;

根

= 50

分钟。

1.0

典型值。

1.5

140

马克斯。

240

100

单位

反向二极管极限值和特性

= 25 C除非另有说明

符号

DRM

参数

连续反向漏

当前

脉冲反向漏电流

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

条件

= 1.6 A; V

= 0 V

= 1.6 A; -dI

/ DT = 100 A / μs的;

= -10 V; V

= 30 V

分钟。

典型值。

0.85

马克斯。

1.6

6.4

1.1

单位

雪崩限值

符号

DSS

参数

漏源不重复

非钳位电感关断

能源

条件

= 1.6 A; V

< 25 V

= 10 V ;

= 50

AMB

= 25 C

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

1995年11月

启1.100

飞利浦半导体

产品speci fi cation

功率MOS晶体管

BUK481-60A

120

110

100

PD ％

归一化功率降额

ID / A

BUK481-60A

TP = 10我们

100美

1毫秒

10毫秒

100毫秒

10 s

0.1

TAMB / C

100

120

140

0.01

0.1

VDS / V

100

图1 。归一化的功率耗散。

PD ％ = 100

D 25 C

= F （T

AMB

)

ID％

归一化电流降额

图4 。安全工作区域T

AMB

= 25 C

＆放大器;我

= F（V

); I

单脉冲;参数t

ID / A

6.5

120

110

100

BUK481-60A

5.5

VGS / V = 4.5

TAMB / C

100

120

140

VDS / V

图2 。正常化的连续漏极电流。

ID％ = 100

D 25 C

= F （T

AMB

） ;条件： V

≥

10 V

图5 。典型的输出特性，T

= 25 C.

= F（V

） ;参数V

RDS （ ON） /欧姆

0.9

0.8

0.7

0.6

0.5

5.5

6.5

BUK481-60A

1E+02

第i个J- AMB / （K / W）

0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

BUKX81

1E+01

1E+00

0.4

0.3

VGS / V = 15 V

1E-01

0.2

0.1

1E-05

1E-03

T / S

1E-01

1E+01

1E+03

1E-02

1E-07

ID / A

如图3所示。瞬态热阻抗。

日J- AMB

= F（T） ;参数D = T

图6 。典型通态电阻，T

= 25 C.

DS （ ON）

= F（我

） ;参数V

1995年11月

启1.100

飞利浦半导体

产品speci fi cation

功率MOS晶体管

BUK481-60A

ID / A

TJ / C = 25

BUK481-60A

150

VGS （ TO ） / V

马克斯。

典型值。

分钟。

VGS / V

-60

-40

-20

TJ / C

100

120

140

图7 。典型的传输特性。

= F（V

） ;条件： V

= 25 V ;参数T

GFS / S

BUK481-60A

图10 。栅极阈值电压。

GS （ TO ）

= F （T

） ;条件：我

= 0.1毫安; V

= V

ID / A

亚阈值传导SIZE 1

1.8

1.6

1.4

1.2

0.8

0.6

0.4

0.2

1E-02

1E-03

1E-04

典型值

98 %

1E-05

1E-06

1E-07

ID / A

VGS / V

图8 。典型的跨导，T

= 25 C.

= F（我

） ;条件： V

= 25 V

图11 。亚阈值漏电流。

= F（V

） ;条件：T已

= 25 ℃; V

= V

C / pF的

BUK481-60A

归一化的RDS（ON ） = F （TJ）

1000

1.5

1.0

100

西塞

科斯

0.5

CRSS

-60 -40 -20

40 60

TJ / C

100 120 140

VDS / V

图9 。正常化漏极 - 源极导通电阻。

一 - R的

DS （ ON）

DS （ ON） 25 C

= F （T

); I

= 1.6 A; V

= 10 V

图12 。典型的电容，C

国际空间站

, C

OSS

, C

RSS

C = F（V

） ;条件： V

= 0 V ; F = 1 MHz的

1995年11月

启1.100

飞利浦半导体

产品speci fi cation

功率MOS晶体管

BUK481-60A

VGS / V

BUK481-60A

120

110

100

WDSS ％

正常化雪崩能量

VDS / V = 12

QG / NC

100

TAMB / C

120

140

图13 。典型导通栅极电荷特性。

= F （Q

） ;条件：我

= 1.6 A;参数V

IF / A

BUK481-60A

图15 。正常化雪崩能量等级。

DSS

（％）= F（T

AMB

） ;条件：我

= 1.6 A

TJ / C = 150

VDD

VDS

VGS

-ID/100

T.U.T.

R 01

分流

RGS

0.5

VSDS / V

1.5

图14 。典型的反向二极管电流。

= F（V

SDS

） ;条件： V

= 0 V ;参数T

图16 。雪崩能量测试电路。

DSS

0.5

DSS

/ （ BV

DSS

)

1995年11月

启1.100

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