【飞利浦半导体产品speci fi cation功率MOS晶体管BUK456-1000B概述N沟道增强】,IC型号BUK456,BUK456 PDF资料,BUK456经销商,ic,电子元器件-51电子网

飞利浦半导体

产品speci fi cation

功率MOS晶体管

BUK456-1000B

概述

N沟道增强模式

在场效应功率晶体管

塑料封套。

该装置适用于在使用中

开关电源

（SMPS），电机控制，焊接

的DC / DC和AC / DC转换器，以及

在通用开关

应用程序。

快速参考数据

符号

合计

DS （ ON）

参数

漏源电压

漏电流（ DC ）

总功耗

漏极 - 源极导通状态

阻力

马克斯。

1000

3.1

125

单位

钉扎 - TO220AB

针

TAB

门

漏

来源

漏

描述

引脚配置

TAB

符号

1 23

极限值

按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值

符号

DGR

±V

合计

英镑

参数

漏源电压

漏极 - 栅极电压

栅源电压

漏电流（ DC ）

漏极电流（脉冲峰值）

总功耗

储存温度

结温

条件

= 20 k

= 25 C

= 100 C

= 25 C

分钟。

- 55

马克斯。

1000

3.1

2.0

125

150

单位

热阻

符号

日J- MB

日J-一

参数

热阻结到

安装底座

热阻结到

环境

条件

分钟。

典型值。

马克斯。

1.0

单位

K / W

1995年5月

启1.200

飞利浦半导体

产品speci fi cation

功率MOS晶体管

BUK456-1000B

静态特性

= 25 C除非另有说明

符号

（ BR ） DSS

GS （ TO ）

DSS

GSS

DS （ ON）

参数

漏源击穿

电压

栅极阈值电压

零栅极电压漏极电流

门源漏电流

漏极 - 源极导通状态

阻力

条件

= 0 V ;我

= 0.25毫安

= V

; I

= 1毫安

= 1000 V; V

= 0 V ;牛逼

= 25 C

= 1000 V; V

= 0 V ;牛逼

=125 C

±30

V; V

= 0 V

= 10 V ;我

= 1.5 A

分钟。

1000

2.1

典型值。

3.0

0.1

4.5

马克斯。

4.0

1.0

100

5.0

单位

动态特性

= 25 C除非另有说明

符号

国际空间站

OSS

RSS

D ON

D OFF

参数

正向跨导

输入电容

输出电容

反馈电容

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

内部排水电感

内部源极电感

条件

= 25 V ;我

= 1.5 A

= 0 V; V

= 25 V ; F = 1 MHz的

= 30 V ;我

= 2.3 A;

= 10 V ;

= 50

;

根

= 50

从螺丝接触测量

标签，模具中心

从漏极引线6毫米测

从包装到模具中心

从源测量导致6毫米

从包装到源焊盘

分钟。

3.0

典型值。

4.3

1000

130

3.5

4.5

7.5

马克斯。

1250

120

150

单位

反向二极管极限值和特性

= 25 C除非另有说明

符号

DRM

参数

连续反向漏

当前

脉冲反向漏电流

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

条件

= 3.5 A; V

= 0 V

= 3.5 A; -dI

/ DT = 100 A / μs的;

= 0 V; V

= 100 V

分钟。

典型值。

1.0

1800

马克斯。

3.5

1.3

单位

1995年5月

启1.200

飞利浦半导体

产品speci fi cation

功率MOS晶体管

BUK456-1000B

120

110

100

PD ％

归一化功率降额

第i个J- MB / （K / W）

BUKx56-hv

0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

= T

0.1

0.01

1E+01

100

TMB / C

120

140

0.001

1E-05

1E-03

T / S

1E-01

图1 。归一化的功率耗散。

PD ％ = 100

D 25 C

= F （T

)

ID％

归一化电流降额

图4 。瞬态热阻抗。

日J- MB

= F（T） ;参数D = T

ID / A

VGS / V =

4.8

4.6

4.4

4.2

BUK456-1000A

120

110

100

TMB / C

100

120

140

VDS / V

图2 。正常化的连续漏极电流。

ID％ = 100

D 25 C

= F （T

） ;条件： V

≥

10 V

ID / A

BUK456-1000B

图5 。典型的输出特性，T

= 25 C.

= F（V

） ;参数V

RDS （ ON） /欧姆

4.2 4.4

4.6

4.8

VGS / V =

BUK456-1000A

100

TP = 10我们

100美

1毫秒

10毫秒

100毫秒

0.1

100

VDS / V

1000

ID / A

如图3所示。安全工作区。牛逼

= 25 C

＆放大器;我

= F（V

); I

单脉冲;参数t

图6 。典型通态电阻，T

= 25 C.

DS （ ON）

= F（我

） ;参数V

1995年5月

启1.200

飞利浦半导体

产品speci fi cation

功率MOS晶体管

BUK456-1000B

ID / A

BUK456-1000A

VGS （ TO ） / V

马克斯。

TJ / C =

典型值。

分钟。

150

VGS / V

-60

-40

-20

TJ / C

100

120

140

图7 。典型的传输特性。

= F（V

） ;条件： V

= 25 V ;参数T

GFS / S

BUK456-1000A

图10 。栅极阈值电压。

GS （ TO ）

= F （T

） ;条件：我

= 1毫安; V

= V

ID / A

亚阈值传导

1E-01

1E-02

1E-03

典型值

98 %

1E-04

1E-05

1E-06

ID / A

VGS / V

图8 。典型的跨导，T

= 25 C.

= F（我

） ;条件： V

= 25 V

归一化的RDS（ON ） = F （TJ）

图11 。亚阈值漏电流。

= F（V

GS ）

;条件：T已

= 25 ℃; V

= V

C / pF的

BUK4y6-800

2.6

2.4

2.2

2.0

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

10000

1000

西塞

100

科斯

CRSS

-60 -40 -20

40 60

TJ / C

100 120 140

VDS / V

图9 。正常化漏极 - 源极导通电阻。

一 - R的

DS （ ON）

DS （ ON） 25 C

= F （T

); I

= 1.5 A; V

= 10 V

图12 。典型的电容，C

国际空间站

, C

OSS

, C

RSS

C = F（V

） ;条件： V

= 0 V ; F = 1 MHz的

1995年5月

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产品speci fi cation

功率MOS晶体管

BUK456-1000B

VGS / V

BUK456-1000

VDS / V = 200

IF / A

BUK456-1000A

150 C

800

25 C

QG / NC

VSDS / V

图13 。典型导通栅极电荷特性。

= F （Q

） ;条件：我

= 3.5 A;参数V

图14 。典型的反向二极管电流。

= F（V

SDS

） ;条件： V

= 0 V ;参数T

1995年5月

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