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飞利浦半导体
产品speci fi cation
功率MOS晶体管
BUK455-60H
概述
N沟道增强模式
在场效应功率晶体管
塑料封套。
该装置适用于在使用中
汽车应用中，开关
模式电源（ SMPS ） ，
马达控制，焊接， DC / DC和
交流/直流转换器，并在一般
用开关应用。
快速参考数据
符号
V
DS
I
D
P
合计
T
j
R
DS （ ON）
参数
漏源电压
漏电流（ DC ）
总功耗
结温
漏极 - 源极导通状态
阻力
马克斯。
60
43
125
175
34
单位
V
A
W
C
m
钉扎 - TO220AB
针
1
2
3
TAB
门
漏
描述
引脚配置
TAB
符号
d
g
来源
漏
1 23
s
极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值
符号
V
DS
V
DGR
±V
GS
I
D
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流（ DC ）
漏电流（ DC ）
漏极电流（脉冲峰值）
总功耗
储存温度
结温
条件
-
R
GS
= 20 k
-
T
mb
= 25 C
T
mb
= 100 C
T
mb
= 25 C
T
mb
= 25 C
-
-
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
- 55
-
马克斯。
60
60
30
43
31
172
125
175
175
单位
V
V
V
A
A
A
W
C
C
热阻
符号
R
日J- MB
R
日J-一
参数
热阻结到
安装底座
热阻结到
环境
条件
典型值。
-
60
马克斯。
1.2
-
单位
K / W
K / W
1994年8月
1
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
功率MOS晶体管
BUK455-60H
静态特性
T
mb
= 25 C除非另有说明
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TO ）
I
DSS
I
DSS
I
GSS
R
DS （ ON）
参数
漏源击穿
电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
漏极 - 源极导通状态
阻力
条件
V
GS
= 0 V ;我
D
= 0.25毫安
V
DS
= V
GS
; I
D
= 1毫安
V
DS
= 60 V; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 C
V
DS
= 60 V; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
=125 C
V
GS
=
±30
V; V
DS
= 0 V
V
GS
= 10 V ;我
D
= 20 A
分钟。
60
2.1
-
-
-
-
典型值。
-
3.0
1
0.1
10
24
马克斯。
-
4.0
10
1.0
100
34
单位
V
V
A
mA
nA
m
动态特性
T
mb
= 25 C除非另有说明
符号
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D ON
t
r
t
D OFF
t
f
L
d
L
d
L
s
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反馈电容
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
内部排水电感
内部排水电感
内部源极电感
条件
V
DS
= 25 V ;我
D
= 20 A
V
GS
= 0 V; V
DS
= 25 V ; F = 1 MHz的
分钟。
8
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
13.5
1000
470
180
25
60
125
100
3.5
4.5
7.5
马克斯。
-
1600
600
275
40
90
160
130
-
-
-
单位
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nH
nH
nH
V
DD
= 30 V ;我
D
= 3 A;
V
GS
= 10 V ;
GS
= 50
;
R
根
= 50
从螺丝接触测量
标签，模具中心
从漏极引线6毫米测
从包装到模具中心
从源测量导致6毫米
从包装到源焊盘
反向二极管极限值和特性
T
mb
= 25 C除非另有说明
符号
I
DR
I
DRM
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
连续反向漏
当前
脉冲反向漏电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
条件
-
-
I
F
= 43 A; V
GS
= 0 V
I
F
= 43 A; -dI
F
/ DT = 100 A / μs的;
V
GS
= 0 V; V
R
= 30 V
分钟。
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
0.95
60
0.30
马克斯。
43
172
2.0
-
-
单位
A
A
V
ns
C
雪崩限值
T
mb
= 25 C除非另有说明
符号
W
DSS
参数
漏源不重复
非钳位电感关断
能源
条件
I
D
= 43 A; V
DD
≤
25 V ;
V
GS
= 10 V ;
GS
= 50
分钟。
-
典型值。
-
马克斯。
100
单位
mJ
1994年8月
2
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
功率MOS晶体管
BUK455-60H
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
PD ％
归一化功率降额
10
第i个J- MB / （K / W）
BUKx55-lv
1
D=
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0
P
D
t
p
D=
t
p
T
t
1E+01
0.1
0.01
0
20
40
60
80 100
TMB / C
120
140
160
180
0.001
1E-07
T
1E-05
1E-03
T / S
1E-01
图1 。归一化的功率耗散。
PD ％ = 100
P
D
/P
D 25 C
= F （T
mb
)
ID％
归一化电流降额
100
图4 。瞬态热阻抗。
Z
日J- MB
= F（T） ;参数D = T
p
/T
ID / A
15
20
80
10
9
VGS / V = 8
BUK4Y5-60H
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
60
7
6.5
40
6
5.5
20
5
4
0
20
40
60
80 100
TMB / C
120
140
160
180
0
0
2
4
VDS / V
6
8
10
图2 。正常化的连续漏极电流。
ID％ = 100
I
D
/I
D 25 C
= F （T
mb
） ;条件： V
GS
≥
5 V
图5 。典型的输出特性，T
j
= 25 C.
I
D
= F（V
DS
） ;参数V
GS
RDS （ ON） /欧姆
4.5
5
5.5
6
6.5
7
BUK4Y5-60H
1000
ID / A
BUK455-60H
0.2
100
S
RD
N
(O
)=
VD
S
/ ID
TP =
10我们
100美
0.15
VGS / V = 8
0.1
10
DC
1毫秒
10毫秒
100毫秒
10
0.05
9
15
1
1
10
VDS / V
100
0
0
20
40
ID / A
60
80
100
如图3所示。安全工作区。牛逼
mb
= 25 C
I
D
＆放大器;我
DM
= F（V
DS
); I
DM
单脉冲;参数t
p
图6 。典型通态电阻，T
j
= 25 C.
R
DS （ ON）
= F（我
D
） ;参数V
GS
1994年8月
3
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
功率MOS晶体管
BUK455-60H
100
ID / A
BUK4Y5-60H
4
VGS （ TO ） / V
马克斯。
80
典型值。
3
60
分钟。
2
40
1
-40
25
150
20
TJ / C =
0
0
0
2
4
6
VGS / V
8
10
12
-60
-20
20
60
TJ / C
100
140
180
图7 。典型的传输特性。
I
D
= F（V
GS
） ;条件： V
DS
= 25 V ;参数T
j
GFS / S
BUK4Y5-60H
图10 。栅极阈值电压。
V
GS （ TO ）
= F （T
j
） ;条件：我
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
ID / A
亚阈值传导
30
25
20
15
1E-01
1E-02
1E-03
2%
典型值
98 %
1E-04
10
TJ / C =
1E-05
-40
25
150
5
0
1E-06
0
20
40
ID / A
60
80
100
0
1
2
VGS / V
3
4
图8 。典型的跨导，T
j
= 25 C.
g
fs
= F（我
D
） ;条件： V
DS
= 10 V
a
图11 。亚阈值漏电流。
I
D
= F（V
GS ）
;条件：T已
j
= 25 ℃; V
DS
= V
GS
C / pF的
10000
2.0
归一化的RDS（ON ） = F （TJ）
BUK4Y5-60H
西塞
科斯
CRSS
1.5
1.0
1000
0.5
0
-60
-20
20
60
TJ / C
100
140
180
100
0.1
1
VDS / V
10
100
图9 。正常化漏极 - 源极导通电阻。
一 - R的
DS （ ON）
/R
DS （ ON） 25 C
= F （T
j
); I
D
= 20 A; V
GS
= 5 V
图12 。典型的电容，C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
.
C = F（V
DS
） ;条件： V
GS
= 0 V ; F = 1 MHz的
1994年8月
4
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
功率MOS晶体管
BUK455-60H
20
VGS / V
BUK4Y5-60H
120
110
100
WDSS ％
15
VDD / V = 12
48
10
90
80
70
60
50
40
5
30
20
10
0
0
10
20
30
QG / NC
40
50
60
0
20
40
60
80
100
120
TMB / C
140
160
180
图13 。典型导通栅极电荷特性。
V
GS
= F （Q
G
） ;条件：我
D
= 43 A;参数V
DS
IS / A
100
TJ / C =
-40
25
150
图15 。正常化雪崩能量等级。
W
DSS
（％）= F（T
mb
） ;条件：我
D
= 43 A
BUKXY5-60H
+
L
VDS
VDD
80
60
VGS
40
-
-ID/100
T.U.T.
R 01
分流
0
20
RGS
0
0
0.5
VSDS / V
1
1.5
图14 。典型的反向二极管电流。
I
F
= F（V
SDS
） ;条件： V
GS
= 0 V ;参数T
j
图16 。雪崩能量测试电路。
2
W
DSS
=
0.5
LI
D
BV
DSS
/ （ BV
DSS
V
DD
)
1994年8月
5
启1.000
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BUZ358
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