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飞利浦半导体
产品speci fi cation
功率MOS晶体管
BUK446-1000B
概述
N沟道增强模式
在场效应功率晶体管
塑料全包信封。
该装置适用于在使用中
开关电源
（SMPS） ，电机控制，焊接
的DC / DC和AC / DC转换器，以及
在通用开关
应用程序。
快速参考数据
符号
V
DS
I
D
P
合计
R
DS （ ON）
参数
漏源电压
漏电流（ DC ）
总功耗
漏极 - 源极导通状态
阻力
马克斯。
1000
1.5
30
5
单位
V
A
W
钉扎 - SOT186
针
1
2
3
门
漏
来源
描述
引脚配置
例
符号
d
g
孤立的情况下，
1 2 3
s
极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值
符号
V
DS
V
DGR
±V
GS
I
D
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流（ DC ）
漏电流（ DC ）
漏极电流（脉冲峰值）
总功耗
储存温度
结温
条件
-
R
GS
= 20 k
-
T
hs
= 25 C
T
hs
= 100 C
T
hs
= 25 C
T
hs
= 25 C
-
-
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
- 55
-
马克斯。
1000
1000
30
1.5
1.0
6
30
150
150
单位
V
V
V
A
A
A
W
C
C
热阻
符号
R
日J- HS
R
日J-一
参数
热阻结到
散热器
热阻结到
环境
条件
与复合散热器
分钟。
-
-
典型值。
-
55
马克斯。
4.16
-
单位
K / W
K / W
1995年5月
1
启1.200
飞利浦半导体
产品speci fi cation
功率MOS晶体管
BUK446-1000B
静态特性
T
hs
= 25 C除非另有说明
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TO ）
I
DSS
I
DSS
I
GSS
R
DS （ ON）
参数
漏源击穿
电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
漏极 - 源极导通状态
阻力
条件
V
GS
= 0 V ;我
D
= 0.25毫安
V
DS
= V
GS
; I
D
= 1毫安
V
DS
= 1000 V; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 C
V
DS
= 1000 V; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
=125 C
V
GS
=
±30
V; V
DS
= 0 V
V
GS
= 10 V ;我
D
= 1.5 A
分钟。
1000
2.1
-
-
-
-
典型值。
-
3.0
2
0.1
10
4.5
马克斯。
-
4.0
20
1.0
100
5.0
单位
V
V
A
mA
nA
动态特性
T
hs
= 25 C除非另有说明
符号
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D ON
t
r
t
D OFF
t
f
L
d
L
s
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反馈电容
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
内部排水电感
内部源极电感
条件
V
DS
= 25 V ;我
D
= 1.5 A
V
GS
= 0 V; V
DS
= 25 V ; F = 1 MHz的
V
DD
= 30 V ;我
D
= 2.3 A;
V
GS
= 10 V ;
GS
= 50
;
R
根
= 50
从漏极引线6毫米测
从包装到模具中心
从源测量导致6毫米
从包装到源焊盘
分钟。
3.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
4.3
1000
80
30
10
50
130
40
4.5
7.5
马克斯。
-
1250
120
50
25
70
150
60
-
-
单位
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nH
nH
隔离限值&特性
T
hs
= 25 C除非另有说明
符号
V
ISOL
参数
所有重复峰值电压
三个端子的外部
散热器
条件
相对湿度
≤
65 ％ ;干净无尘
分钟。
-
典型值。
马克斯。
1500
单位
V
C
ISOL
电容从T2到外部F = 1 MHz的
散热器
-
12
-
pF
反向二极管极限值和特性
T
hs
= 25 C除非另有说明
符号
I
DR
I
DRM
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
连续反向漏
当前
脉冲反向漏电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
条件
-
-
I
F
= 1.7 A; V
GS
= 0 V
I
F
= 1.7 A; -dI
F
/ DT = 100 A / μs的;
V
GS
= 0 V; V
R
= 100 V
分钟。
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
1.0
1800
12
马克斯。
1.7
6.8
1.3
-
-
单位
A
A
V
ns
C
1995年5月
2
启1.200
飞利浦半导体
产品speci fi cation
功率MOS晶体管
BUK446-1000B
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
PD ％
归一化功率降额
与复合散热器
10
第Z / （K / W）
D=
0.5
BUKx46-hv
1
0.2
0.1
0.05
0.02
0.1
0.01
0
P
D
t
p
D=
t
p
T
t
1E+01
0
20
40
60
80
部份效果/ C
100
120
140
0.001
1E-07
T
1E-05
1E-03
T / S
1E-01
图1 。归一化的功率耗散。
PD ％ = 100
P
D
/P
D 25 C
= F （T
hs
)
ID％
归一化电流降额
与复合散热器
图4 。瞬态热阻抗。
Z
日J- HS
= F（T） ;参数D = T
p
/T
ID / A
VGS / V =
5
4
3
2
1
4
0
5
4.8
4.6
4.4
4.2
28
BUK456-1000A
10
6
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
6
0
20
40
60
80
部份效果/ C
100
120
140
0
4
8
12
16
VDS / V
20
24
图2 。正常化的连续漏极电流。
ID％ = 100
I
D
/I
D 25 C
= F （T
hs
） ;条件： V
GS
≥
10 V
ID / A
S
VD
/ ID
图5 。典型的输出特性，T
j
= 25 C.
I
D
= F（V
DS
） ;参数V
GS
RDS （ ON） /欧姆
4.2 4.4
4.6
4.8
VGS / V =
10
BUK456-1000A
10
BUK446-1000B
TP = 10我们
100美
1毫秒
10毫秒
DC
15
RD
O
S(
=
N)
1
5
0.1
100毫秒
5
10
0.01
10
100
VDS / V
1000
0
0
1
2
ID / A
3
4
如图3所示。安全工作区。牛逼
hs
= 25 C
I
D
＆放大器;我
DM
= F（V
DS
); I
DM
单脉冲;参数t
p
图6 。典型通态电阻，T
j
= 25 C.
R
DS （ ON）
= F（我
D
） ;参数V
GS
1995年5月
3
启1.200
飞利浦半导体
产品speci fi cation
功率MOS晶体管
BUK446-1000B
6
5
ID / A
BUK456-1000A
4
VGS （ TO ） / V
马克斯。
TJ / C =
4
3
2
1
0
0
2
4
25
3
典型值。
分钟。
2
150
1
0
6
VGS / V
8
10
-60
-40
-20
0
20
40
60
TJ / C
80
100
120
140
图7 。典型的传输特性。
I
D
= F（V
GS
） ;条件： V
DS
= 25 V ;参数T
j
GFS / S
BUK456-1000A
图10 。栅极阈值电压。
V
GS （ TO ）
= F （T
j
） ;条件：我
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
ID / A
亚阈值传导
5
1E-01
4
3
1E-02
1E-03
2%
典型值
98 %
2
1
1E-04
1E-05
0
1E-06
0
2
ID / A
4
6
0
1
2
VGS / V
3
4
图8 。典型的跨导，T
j
= 25 C.
g
fs
= F（我
D
） ;条件： V
DS
= 25 V
a
归一化的RDS（ON ） = F （TJ）
图11 。亚阈值漏电流。
I
D
= F（V
GS ）
;条件：T已
j
= 25 ℃; V
DS
= V
GS
C / pF的
BUK4y6-800
2.6
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
10000
1000
西塞
100
科斯
CRSS
-60 -40 -20
0
20
40 60
TJ / C
80
100 120 140
10
0
20
VDS / V
40
图9 。正常化漏极 - 源极导通电阻。
一 - R的
DS （ ON）
/R
DS （ ON） 25 C
= F （T
j
); I
D
= 1.5 A; V
GS
= 10 V
图12 。典型的电容，C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
.
C = F（V
DS
） ;条件： V
GS
= 0 V ; F = 1 MHz的
1995年5月
4
启1.200
飞利浦半导体
产品speci fi cation
功率MOS晶体管
BUK446-1000B
12
10
8
VGS / V
BUK456-1000
VDS / V = 200
10
IF / A
BUK456-1000A
8
150 C
800
25 C
6
6
4
4
2
0
0
10
20
QG / NC
30
40
2
0
0
1
VSDS / V
2
图13 。典型导通栅极电荷特性。
V
GS
= F （Q
G
） ;条件：我
D
= 3.5 A;参数V
DS
图14 。典型的反向二极管电流。
I
F
= F（V
SDS
） ;条件： V
GS
= 0 V ;参数T
j
1995年5月
5
启1.200
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B3648
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B43540B5397M060
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B43896A1686M001
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