飞利浦半导体
产品speci fi cation
TOPFET双高边开关
BUK218-50DC
快速参考数据
描述
单片双通道高侧
在受保护的电源开关
TOPFET2技术组装
一个7针塑料表面贴装
封装。
符号
I
L
符号
参数
额定负载电流（ ISO ）
参数
连续断态电压
连续负载电流
连续结温
通态电阻，T
j
= 25C
分钟。
8
马克斯。
50
16
150
40
单位
A
单位
V
A
C
m
应用
通用开关驱动
灯具，电机，电磁阀，加热器。
V
BG
I
L
T
j
R
ON
特点
垂直权力的TrenchMOS
低通态电阻
CMOS逻辑兼容
极低的静态电流
过热保护
负载电流限制
过载和
短路保护
自复位过流保护
保护
过压和欠压
关机与迟滞
断态开路
负载检测
诊断状态指示
电压钳位为关闭
感性负载
所有引脚的ESD保护
电池反接，过压
和瞬态保护
功能框图
输入1
BATT
输入2
状态
管制及
保护
电路
负载1
地
RG
负载2
图1 。在TOPFET双HSS的元素与内部接地电阻。
钉扎 - SOT427
针
1
2
3
4
5
6
7
mb
描述
负载1
地
输入1
连接到MB
状态
输入2
负载2
电池
引脚配置
mb
符号
B
I1
L1
双
HSTF
I2
S
G
L2
1234567
图。 2 。
图。 3 。
公约
正电流流入引脚，除了负载和接地引脚。
2001年10月
1
启2.010
飞利浦半导体
产品speci fi cation
TOPFET双高边开关
BUK218-50DC
极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值
符号
V
BG
I
L
P
D
T
英镑
T
j
参数
连续供电电压
每个通道的连续负载电流
总功耗
储存温度
连续结温
1
反向电池电压
2
连续反向电压
峰值反向电压
应用信息
R
I
, R
S
外部电阻
3
输入和状态电流
连续输入电流
连续电流状态
重复峰值输入电流
重复峰值电流状态
感性负载夹持
E
BL
非重复性钳位能源（ 1
频道）
δ ≤
0.1, t
p
= 300
s
δ ≤
0.1, t
p
= 300
s
V
BG
= 13 V，I
L
= 8 A
T
j
= 150C之前关闭
-
150
mJ
限制输入，电流状态
3.2
-
k
T
mb
≤
135C
T
mb
≤
25C
条件
分钟。
0
-
-
-55
-40
马克斯。
50
8
83.3
175
150
单位
V
A
W
C
C
V
GB
V
GB
-
-
16
32
V
V
I
I
I
S
I
I
I
S
-5
-5
-50
-50
5
5
50
50
mA
mA
mA
mA
ESD限值
符号
V
C
参数
静电放电电容
电压
条件
人体模型;
C = 250 pF的; R = 1.5 kΩ的
分钟。
-
马克斯。
2
单位
kV
1
对于正常的连续运转。一个更高的温度
j
允许过载状况，但在阈值T
J（下TO ）
在超温跳闸运行
保护开关。
2
反向电池电压只允许与外部电阻器，以确保输入和状态电流不超过限制值。
内部接地电阻限制反向电池接地电流。所连接的负载必须限制反向负载电流。动力
耗散和T
j
评级必须遵守。
3
以限制在电池反向和瞬时过电压（正或负）电流。
2001年10月
2
启2.010
飞利浦半导体
产品speci fi cation
TOPFET双高边开关
BUK218-50DC
热特性
符号
参数
热阻
1
R
日J- MB
结到安装基座
每通道
两个通道
-
-
2.4
1.2
3
1.5
K / W
K / W
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
静态特性
限制是在-40℃
≤
T
mb
≤
150℃，标准结构在T
mb
= 25 C除非另有说明
符号
V
BG
V
BL
V
GL
参数
钳位电压
电池地面
电池每通道负载
地加载
2
条件
I
G
= 1毫安
I
L
= I
G
= 1毫安
I
L
= 10毫安
I
L
= 10 A;牛逼
p
= 300
s
电源电压
V
BG
工作范围
3
分钟。
45
50
18
20
典型值。
55
55
23
25
马克斯。
65
65
28
30
单位
V
V
V
V
电池地面
-
9 V
≤
V
BG
≤
35 V
V
LG
= 0 V
T
mb
= 25C
V
BL
= V
BG
T
mb
= 25C
一个通道开启
两个通道都接通
V
BL
= 0.5 V ;牛逼
mb
= 85C
I
G
= -200毫安;吨
p
= 300
s
t
p7
300
s
5.5
-
35
V
A
A
A
A
mA
mA
A
I
B
I
L
I
G
I
L
R
G
电流
总静态电流
4
断态每个负载电流
通道
工作电流
额定负载电流
5
有效的内部地面
阻力
6
每通道电阻
-
-
-
-
-
-
8
40
-
0.1
-
0.1
1.8
3.6
-
75
20
1
10
1
3
6
-
100
V
BG
9 35 V
5.5 V
I
L
10 A
5A
T
j
25C
-
-
-
-
30
60
50
100
40
80
60
120
m
m
m
m
R
ON
R
ON
导通状态电阻
导通状态电阻
150C
300
s
25C
150C
1
输出功率MOS晶体管。
2
用于高侧开关，所述负载端子的电压变为负相期间关断感性负载的接地。这个负电压
由设备夹住。
3
开状态当电源电压低于7V。阻力增大
4
这是从电池得到当两个输入都是低电平的持续电流，并且包括漏电流给负载。
5
每通道但两个通道进行。定义为ISO 10483-1 。
6
等效的并联连接的电阻器为两个通道。
7
供给和输入电压对R
ON
测试是连续的。指定的脉冲持续时间T
p
仅指施加负载电流。
2001年10月
3
启2.010
飞利浦半导体
产品speci fi cation
TOPFET双高边开关
BUK218-50DC
输入特性
5.5 V
≤
V
BG
≤
35五，是限制在-40℃
≤
T
mb
≤
150℃，标准结构在T
mb
= 25°C ，除非另有说明。
符号
I
I
V
IG
V
IG（ ON）的
V
IG （OFF）的
V
IG
I
我（上）
I
我（关闭）
参数
输入电流
输入钳位电压
输入端导通阈值电压
输入关断阈值电压
输入接通滞后
输入端导通电流
输入的关断电流
V
IG
= 3 V
V
IG
= 1.2 V
条件
V
IG
= 5 V
I
I
= 200
A
分钟。
20
5.5
-
1.2
0.15
-
12
典型值。
60
7
2.1
1.8
0.3
-
-
马克斯。
160
8.5
3
-
0.5
100
-
单位
A
V
V
V
V
A
A
开路检测特性
可以在关断状态来检测任一通道上的开路负载。请参阅
真值表
.
此功能需要通过合适的电阻外部负荷拉至一个正电源电压。
限制是在-40℃
≤
T
mb
≤
150℃，典型的就是在T
mb
= 25C.
符号
参数
开路检测
V
LG （ OC ）
I
B（ OC ）
负载接地阈值电压
供应静态电流每
OC通道
V
BG
≥
9 V
V
BG
= V
LG
= 16 V
开路检测，
其他通道关闭
-I
L（ OC ）
负载接地电流元
通道
t
D（ OC ）
状态延迟时间
应用信息
R
EXT
外部负载拉电阻V
EXT
= 5 V
每通道
-
10
-
k
V
LG
= 16 V
V
LG
= 3.5 V
投入低到低状态
-
-
-
200
22
65
300
40
100
A
A
s
1.5
-
2.5
0.8
3.5
1.5
V
mA
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
2001年10月
4
启2.010
飞利浦半导体
产品speci fi cation
TOPFET双高边开关
BUK218-50DC
欠压&过电压特性
限制是在-40℃
≤
T
mb
≤
150℃，标准结构在T
mb
= 25℃。请参阅
真值表
.
符号
参数
欠压
V
BG （UV）的
V
BG （UV）的
低电源阈值电压
1
迟滞
过压
V
BG （ OV ）
V
BG （ OV ）
I
BG （ OV ）
高电源阈值电压
2
迟滞
工作电流每通道
V
BG
＆ GT ; V
BG （ OV ）
35
0.4
-
40
1
1
45
2
2
V
V
mA
2
0.1
4.2
0.5
5.3
1
V
V
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
过载保护特性
每个通道独立的保护。请参阅
真值表
.
5.5 V
≤
V
BG
≤
35 V ，极限是在-40℃
≤
T
mb
≤
150℃，标准结构在T
mb
= 25°C ，除非另有说明。
符号
参数
过载保护
I
L（ LIM ）
负载电流限制
条件
V
BL
= V
BG
; t
p
= 300
s
V
BG
≥
8 V
V
BG
= 5.5 V
T
mb
≤
125C之前超载
3
保护
4
这就决定了行程时间
5
100
-
150
200
200
500
W
s
18
15
30
27
42
42
A
A
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
负载短路保护
P
D（ TO ）
T
DSC
过载功率门限
特征时间
过热保护
T
J（下TO ）
T
J（下TO ）
阈值的结温
迟滞
6
150
3
170
10
190
20
C
C
1
欠压传感器导致每个通道关掉并复位。
2
过压会导致传感器的每个输出信道断开以保护其负载。
3
以上这些参数的这种温度测量，防止OT ，因为可以保护前，短路保护发生。
4
正常操作将当P恢复
D
＆ LT ; P
D（ TO ）
和T
j
＆ LT ;吨
J（下TO ）
.
5
旅行时间t
SC
随过载耗散P
D
根据本
指数模型
牛逼的公式
SC
≈
T
DSC
/ LN [P
D
/ P
D（ TO ）
].
6
冷却到低于复位温度后，通道将恢复正常运行。
2001年10月
5
启2.010
飞利浦半导体
产品speci fi cation
TOPFET双高边开关
BUK218-50DC
快速参考数据
描述
单片双通道高侧
在受保护的电源开关
TOPFET2技术组装
一个7针塑料表面贴装
封装。
符号
I
L
符号
参数
额定负载电流（ ISO ）
参数
连续断态电压
连续负载电流
连续结温
通态电阻，T
j
= 25C
分钟。
8
马克斯。
50
16
150
40
单位
A
单位
V
A
C
m
应用
通用开关驱动
灯具，电机，电磁阀，加热器。
V
BG
I
L
T
j
R
ON
特点
垂直权力的TrenchMOS
低通态电阻
CMOS逻辑兼容
极低的静态电流
过热保护
负载电流限制
过载和
短路保护
自复位过流保护
保护
过压和欠压
关机与迟滞
断态开路
负载检测
诊断状态指示
电压钳位为关闭
感性负载
所有引脚的ESD保护
电池反接，过压
和瞬态保护
功能框图
输入1
BATT
输入2
状态
管制及
保护
电路
负载1
地
RG
负载2
图1 。在TOPFET双HSS的元素与内部接地电阻。
钉扎 - SOT427
针
1
2
3
4
5
6
7
mb
描述
负载1
地
输入1
连接到MB
状态
输入2
负载2
电池
引脚配置
mb
符号
B
I1
L1
双
HSTF
I2
S
G
L2
1234567
图。 2 。
图。 3 。
公约
正电流流入引脚，除了负载和接地引脚。
2001年10月
1
启2.010
飞利浦半导体
产品speci fi cation
TOPFET双高边开关
BUK218-50DC
极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值
符号
V
BG
I
L
P
D
T
英镑
T
j
参数
连续供电电压
每个通道的连续负载电流
总功耗
储存温度
连续结温
1
反向电池电压
2
连续反向电压
峰值反向电压
应用信息
R
I
, R
S
外部电阻
3
输入和状态电流
连续输入电流
连续电流状态
重复峰值输入电流
重复峰值电流状态
感性负载夹持
E
BL
非重复性钳位能源（ 1
频道）
δ ≤
0.1, t
p
= 300
s
δ ≤
0.1, t
p
= 300
s
V
BG
= 13 V，I
L
= 8 A
T
j
= 150C之前关闭
-
150
mJ
限制输入，电流状态
3.2
-
k
T
mb
≤
135C
T
mb
≤
25C
条件
分钟。
0
-
-
-55
-40
马克斯。
50
8
83.3
175
150
单位
V
A
W
C
C
V
GB
V
GB
-
-
16
32
V
V
I
I
I
S
I
I
I
S
-5
-5
-50
-50
5
5
50
50
mA
mA
mA
mA
ESD限值
符号
V
C
参数
静电放电电容
电压
条件
人体模型;
C = 250 pF的; R = 1.5 kΩ的
分钟。
-
马克斯。
2
单位
kV
1
对于正常的连续运转。一个更高的温度
j
允许过载状况，但在阈值T
J（下TO ）
在超温跳闸运行
保护开关。
2
反向电池电压只允许与外部电阻器，以确保输入和状态电流不超过限制值。
内部接地电阻限制反向电池接地电流。所连接的负载必须限制反向负载电流。动力
耗散和T
j
评级必须遵守。
3
以限制在电池反向和瞬时过电压（正或负）电流。
2001年10月
2
启2.010
飞利浦半导体
产品speci fi cation
TOPFET双高边开关
BUK218-50DC
热特性
符号
参数
热阻
1
R
日J- MB
结到安装基座
每通道
两个通道
-
-
2.4
1.2
3
1.5
K / W
K / W
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
静态特性
限制是在-40℃
≤
T
mb
≤
150℃，标准结构在T
mb
= 25 C除非另有说明
符号
V
BG
V
BL
V
GL
参数
钳位电压
电池地面
电池每通道负载
地加载
2
条件
I
G
= 1毫安
I
L
= I
G
= 1毫安
I
L
= 10毫安
I
L
= 10 A;牛逼
p
= 300
s
电源电压
V
BG
工作范围
3
分钟。
45
50
18
20
典型值。
55
55
23
25
马克斯。
65
65
28
30
单位
V
V
V
V
电池地面
-
9 V
≤
V
BG
≤
35 V
V
LG
= 0 V
T
mb
= 25C
V
BL
= V
BG
T
mb
= 25C
一个通道开启
两个通道都接通
V
BL
= 0.5 V ;牛逼
mb
= 85C
I
G
= -200毫安;吨
p
= 300
s
t
p7
300
s
5.5
-
35
V
A
A
A
A
mA
mA
A
I
B
I
L
I
G
I
L
R
G
电流
总静态电流
4
断态每个负载电流
通道
工作电流
额定负载电流
5
有效的内部地面
阻力
6
每通道电阻
-
-
-
-
-
-
8
40
-
0.1
-
0.1
1.8
3.6
-
75
20
1
10
1
3
6
-
100
V
BG
9 35 V
5.5 V
I
L
10 A
5A
T
j
25C
-
-
-
-
30
60
50
100
40
80
60
120
m
m
m
m
R
ON
R
ON
导通状态电阻
导通状态电阻
150C
300
s
25C
150C
1
输出功率MOS晶体管。
2
用于高侧开关，所述负载端子的电压变为负相期间关断感性负载的接地。这个负电压
由设备夹住。
3
开状态当电源电压低于7V。阻力增大
4
这是从电池得到当两个输入都是低电平的持续电流，并且包括漏电流给负载。
5
每通道但两个通道进行。定义为ISO 10483-1 。
6
等效的并联连接的电阻器为两个通道。
7
供给和输入电压对R
ON
测试是连续的。指定的脉冲持续时间T
p
仅指施加负载电流。
2001年10月
3
启2.010
飞利浦半导体
产品speci fi cation
TOPFET双高边开关
BUK218-50DC
输入特性
5.5 V
≤
V
BG
≤
35五，是限制在-40℃
≤
T
mb
≤
150℃，标准结构在T
mb
= 25°C ，除非另有说明。
符号
I
I
V
IG
V
IG（ ON）的
V
IG （OFF）的
V
IG
I
我（上）
I
我（关闭）
参数
输入电流
输入钳位电压
输入端导通阈值电压
输入关断阈值电压
输入接通滞后
输入端导通电流
输入的关断电流
V
IG
= 3 V
V
IG
= 1.2 V
条件
V
IG
= 5 V
I
I
= 200
A
分钟。
20
5.5
-
1.2
0.15
-
12
典型值。
60
7
2.1
1.8
0.3
-
-
马克斯。
160
8.5
3
-
0.5
100
-
单位
A
V
V
V
V
A
A
开路检测特性
可以在关断状态来检测任一通道上的开路负载。请参阅
真值表
.
此功能需要通过合适的电阻外部负荷拉至一个正电源电压。
限制是在-40℃
≤
T
mb
≤
150℃，典型的就是在T
mb
= 25C.
符号
参数
开路检测
V
LG （ OC ）
I
B（ OC ）
负载接地阈值电压
供应静态电流每
OC通道
V
BG
≥
9 V
V
BG
= V
LG
= 16 V
开路检测，
其他通道关闭
-I
L（ OC ）
负载接地电流元
通道
t
D（ OC ）
状态延迟时间
应用信息
R
EXT
外部负载拉电阻V
EXT
= 5 V
每通道
-
10
-
k
V
LG
= 16 V
V
LG
= 3.5 V
投入低到低状态
-
-
-
200
22
65
300
40
100
A
A
s
1.5
-
2.5
0.8
3.5
1.5
V
mA
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
2001年10月
4
启2.010
飞利浦半导体
产品speci fi cation
TOPFET双高边开关
BUK218-50DC
欠压&过电压特性
限制是在-40℃
≤
T
mb
≤
150℃，标准结构在T
mb
= 25℃。请参阅
真值表
.
符号
参数
欠压
V
BG （UV）的
V
BG （UV）的
低电源阈值电压
1
迟滞
过压
V
BG （ OV ）
V
BG （ OV ）
I
BG （ OV ）
高电源阈值电压
2
迟滞
工作电流每通道
V
BG
＆ GT ; V
BG （ OV ）
35
0.4
-
40
1
1
45
2
2
V
V
mA
2
0.1
4.2
0.5
5.3
1
V
V
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
过载保护特性
每个通道独立的保护。请参阅
真值表
.
5.5 V
≤
V
BG
≤
35 V ，极限是在-40℃
≤
T
mb
≤
150℃，标准结构在T
mb
= 25°C ，除非另有说明。
符号
参数
过载保护
I
L（ LIM ）
负载电流限制
条件
V
BL
= V
BG
; t
p
= 300
s
V
BG
≥
8 V
V
BG
= 5.5 V
T
mb
≤
125C之前超载
3
保护
4
这就决定了行程时间
5
100
-
150
200
200
500
W
s
18
15
30
27
42
42
A
A
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
负载短路保护
P
D（ TO ）
T
DSC
过载功率门限
特征时间
过热保护
T
J（下TO ）
T
J（下TO ）
阈值的结温
迟滞
6
150
3
170
10
190
20
C
C
1
欠压传感器导致每个通道关掉并复位。
2
过压会导致传感器的每个输出信道断开以保护其负载。
3
以上这些参数的这种温度测量，防止OT ，因为可以保护前，短路保护发生。
4
正常操作将当P恢复
D
＆ LT ; P
D（ TO ）
和T
j
＆ LT ;吨
J（下TO ）
.
5
旅行时间t
SC
随过载耗散P
D
根据本
指数模型
牛逼的公式
SC
≈
T
DSC
/ LN [P
D
/ P
D（ TO ）
].
6
冷却到低于复位温度后，通道将恢复正常运行。
2001年10月
5
启2.010
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