BUK208-50Y ; BUK213-50Y
单路高侧TOPFET
牧师02 - 2002年6月6日
产品数据
1.产品廓
1.1说明
单片温度和过载的保护基于单高侧电源开关
在TOPFET 沟道技术的5引脚表面贴装或leadform塑料
封装。
产品可用性：
BUK208-50Y在SOT263B -01
BUK213-50Y在SOT426 （D
2
-PAK ） 。
1.2产品特点
s
s
s
s
s
s
s
极低的静态电流
电源的TrenchMOS
过热保护
在和欠压保护
反向电池保护
低电荷泵噪声
接地保护缺失
s
s
s
s
s
s
s
CMOS逻辑能力
负负载夹紧
过载保护
所有引脚的ESD保护
诊断状态指示
工作电压降至5.5 V
电流限制。
1.3应用
s
12和24V接地负载
s
感性负载
s
高浪涌电流负载
s
替代继电器和保险丝。
1.4快速参考数据
表1：
符号
R
BLON
I
L
I
L（ NOM ）
I
L（ LIM ）
V
BG
快速参考数据
参数
在25的通态电阻
°C
连续负载电流
额定负载电流（ ISO ）
极限负载电流
工作电压
民
-
-
3.6
12
5.5
最大
100
8.5
-
24
35
单位
m
A
A
A
V
飞利浦半导体
BUK208-50Y ; BUK213-50Y
单路高侧TOPFET
3.框图
电池
3/mb
4
状态
稳压器
电荷泵
动力
MOSFET
短路
保护
过压
保护
输入
控制
逻辑
欠压
保护
低电流
检测
温度
传感器
电流限制
2
负载
5
03pa33
RG
1
地
高侧TOPFET开关的图4的元素。
4.功能描述
表3：
真值表
缩写： L =逻辑低电平; H =逻辑高电平; X =不关心; 0 =条件不存在; 1 =状态存在;
UV =欠压; OV =过电压; LC =低电流或开路负载; SC =短路; OT =过热
[1]
.
输入
L
H
H
H
H
H
H
[1]
供应
UV
X
0
0
1
0
0
0
OV
X
0
0
0
1
0
0
LC
X
0
1
X
X
0
0
负载
SC
X
0
0
X
0
1
0
OT
X
0
0
X
0
X
1
负载
产量
关闭
ON
ON
关闭
关闭
关闭
关闭
状态
H
H
L
H
H
L
L
经营模式
关闭
在正常&
对&的低电流检测
电源欠压锁存
电源过压关断
SC跳闸
OT关闭
该状态将继续指示OT（即使输入变为低电平），直到装置冷却到低于复位阈值。
在看到“过热保护”的特点
表6 。
9397 750 09384
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单路高侧TOPFET
5.极限值
表4：
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
BG
I
L
P
合计
T
英镑
T
j
T
mb
V
BG
V
BG
R
I
R
S
输入电流
I
I
I
I
I
S
I
S
E
BL （ CL ）
V
ESD
连续电流
重复峰值电流
连续电流
重复峰值电流
非重复性钳位能源
静电放电电压
δ ≤
0.1; t
p
= 300
s
T
j
= 150
°C
之前关断;我
L
= 2 A
人体模型; C = 100 pF的;
R = 1.5 kΩ的
δ ≤
0.1; t
p
= 300
s
5
50
5
50
-
-
+5
+50
+5
+50
100
2
mA
mA
mA
mA
mJ
kV
参数
连续供电电压
连续负载电流
总功耗
储存温度
结温
安装基座的温度
连续反向电压
重复反向电压
外部电阻
[2]
[3]
条件
T
mb
≤
112
°C
T
mb
≤
25
°C
民
-
-
-
55
-
最大
50
8.5
48
+175
150
260
16
32
-
-
单位
V
A
W
°C
°C
°C
V
V
k
k
焊接时（ ≤ 10秒）
[1]
-
-
-
3.3
3.3
反向电池电压
外部电阻
目前状态
感性负载夹持
静电放电
[1]
[2]
[3]
反向电池电压只允许通过外部电阻来限制输入和状态的电流到一个安全值。所连接的负载
必须限制反向电流。内部接地电阻限制反向电池接地电流。
为了限制输入电流在电池反接和瞬态过电压。
为了限制状态电流在电池反接和瞬态过电压。
6.热特性
表5：
符号
R
日（ J- MB ）
R
号（j -a）的
热特性
参数
热阻结到
安装底座
从结点到安装在印刷电路板的耐热性;
环境
最小的足迹; SOT426
条件
民
-
-
典型值
2.1
-
最大
2.6
50
单位
K / W
K / W
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产品数据
1.产品廓
1.1说明
单片温度和过载的保护基于单高侧电源开关
在TOPFET 沟道技术的5引脚表面贴装或leadform塑料
封装。
产品可用性：
BUK208-50Y在SOT263B -01
BUK213-50Y在SOT426 （D
2
-PAK ） 。
1.2产品特点
s
s
s
s
s
s
s
极低的静态电流
电源的TrenchMOS
过热保护
在和欠压保护
反向电池保护
低电荷泵噪声
接地保护缺失
s
s
s
s
s
s
s
CMOS逻辑能力
负负载夹紧
过载保护
所有引脚的ESD保护
诊断状态指示
工作电压降至5.5 V
电流限制。
1.3应用
s
12和24V接地负载
s
感性负载
s
高浪涌电流负载
s
替代继电器和保险丝。
1.4快速参考数据
表1：
符号
R
BLON
I
L
I
L（ NOM ）
I
L（ LIM ）
V
BG
快速参考数据
参数
在25的通态电阻
°C
连续负载电流
额定负载电流（ ISO ）
极限负载电流
工作电压
民
-
-
3.6
12
5.5
最大
100
8.5
-
24
35
单位
m
A
A
A
V
飞利浦半导体
BUK208-50Y ; BUK213-50Y
单路高侧TOPFET
3.框图
电池
3/mb
4
状态
稳压器
电荷泵
动力
MOSFET
短路
保护
过压
保护
输入
控制
逻辑
欠压
保护
低电流
检测
温度
传感器
电流限制
2
负载
5
03pa33
RG
1
地
高侧TOPFET开关的图4的元素。
4.功能描述
表3：
真值表
缩写： L =逻辑低电平; H =逻辑高电平; X =不关心; 0 =条件不存在; 1 =状态存在;
UV =欠压; OV =过电压; LC =低电流或开路负载; SC =短路; OT =过热
[1]
.
输入
L
H
H
H
H
H
H
[1]
供应
UV
X
0
0
1
0
0
0
OV
X
0
0
0
1
0
0
LC
X
0
1
X
X
0
0
负载
SC
X
0
0
X
0
1
0
OT
X
0
0
X
0
X
1
负载
产量
关闭
ON
ON
关闭
关闭
关闭
关闭
状态
H
H
L
H
H
L
L
经营模式
关闭
在正常&
对&的低电流检测
电源欠压锁存
电源过压关断
SC跳闸
OT关闭
该状态将继续指示OT（即使输入变为低电平），直到装置冷却到低于复位阈值。
在看到“过热保护”的特点
表6 。
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产品数据
牧师02 - 2002年6月6日
3 16
飞利浦半导体
BUK208-50Y ; BUK213-50Y
单路高侧TOPFET
5.极限值
表4：
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
BG
I
L
P
合计
T
英镑
T
j
T
mb
V
BG
V
BG
R
I
R
S
输入电流
I
I
I
I
I
S
I
S
E
BL （ CL ）
V
ESD
连续电流
重复峰值电流
连续电流
重复峰值电流
非重复性钳位能源
静电放电电压
δ ≤
0.1; t
p
= 300
s
T
j
= 150
°C
之前关断;我
L
= 2 A
人体模型; C = 100 pF的;
R = 1.5 kΩ的
δ ≤
0.1; t
p
= 300
s
5
50
5
50
-
-
+5
+50
+5
+50
100
2
mA
mA
mA
mA
mJ
kV
参数
连续供电电压
连续负载电流
总功耗
储存温度
结温
安装基座的温度
连续反向电压
重复反向电压
外部电阻
[2]
[3]
条件
T
mb
≤
112
°C
T
mb
≤
25
°C
民
-
-
-
55
-
最大
50
8.5
48
+175
150
260
16
32
-
-
单位
V
A
W
°C
°C
°C
V
V
k
k
焊接时（ ≤ 10秒）
[1]
-
-
-
3.3
3.3
反向电池电压
外部电阻
目前状态
感性负载夹持
静电放电
[1]
[2]
[3]
反向电池电压只允许通过外部电阻来限制输入和状态的电流到一个安全值。所连接的负载
必须限制反向电流。内部接地电阻限制反向电池接地电流。
为了限制输入电流在电池反接和瞬态过电压。
为了限制状态电流在电池反接和瞬态过电压。
6.热特性
表5：
符号
R
日（ J- MB ）
R
号（j -a）的
热特性
参数
热阻结到
安装底座
从结点到安装在印刷电路板的耐热性;
环境
最小的足迹; SOT426
条件
民
-
-
典型值
2.1
-
最大
2.6
50
单位
K / W
K / W
9397 750 09384
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产品数据
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