飞利浦半导体
产品speci fi cation
TOPFET高边开关
BUK201-50Y的SMD版
描述
单片温度和
过载保护开关电源
基于MOSFET技术于一身
5引脚塑料表面贴装
包络线，配置为单
高侧开关。
BUK205-50Y
快速参考数据
符号
I
L
符号
V
BG
I
L
T
j
R
ON
参数
额定负载电流（ ISO ）
参数
连续断态电压
连续负载电流
连续结温
导通状态电阻
分钟。
6
马克斯。
50
15
150
60
单位
A
单位
V
A
C
m
应用
对于一般驾驶控制器
灯具，电机，电磁阀，加热器。
特点
垂直功率DMOS开关
低通态电阻
5 V逻辑兼容输入
过温保护 -
自复位与迟滞
超载保护
短路负载
输出电流限制;
锁定 - 复位输入
高电源电压负载
保护
电源欠压锁定
状态指示过载
保护装置已启动
诊断状态指示
开路负载
极低的静态电流
电压钳位为关闭的
感性负载
所有引脚的ESD保护
反向电池
过压保护
功能框图
BATT
状态
动力
输入
MOSFET
管制及
保护
电路
负载
地
RG
图1 。在TOPFET HSS的元素与内部接地电阻。
钉扎 - SOT426
针
1
2
3
4
5
mb
描述
地
输入
（连接MB）
状态
负载
电池
引脚配置
mb
符号
I
S
3
1 2
4 5
B
TOPFET
HSS
G
L
图。 2 。
图。 3 。
1996年7月
1
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
TOPFET高边开关
BUK201-50Y的SMD版
极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值
符号
V
BG
参数
电池电压
连续断态电压
反向电池电压
1
重复峰值电压
连续反向电压
连续负载电流
总功耗
储存温度
连续结温
2
焊接温度
输入和状态
连续输入电流
连续电流状态
重复峰值输入电流
重复峰值电流状态
感性负载夹持
E
BL
非重复性钳位能源
T
mb
= 150℃之前，关断
-
条件
-
外部电阻：
R
I
= R
S
≥
4.7 k,
δ ≤
0.1
R
I
= R
S
≥
4.7 k
T
mb
≤
115 C
T
mb
≤
25 C
-
-
焊接过程中
分钟。
0
BUK205-50Y
马克斯。
50
单位
V
-V
BG
-V
BG
I
L
P
D
T
英镑
T
j
T
出售
-
-
-
-
-55
-
-
32
16
15
83.3
175
150
250
V
V
A
W
C
C
C
I
I
I
S
I
I
I
S
-
-
δ ≤
0.1
δ ≤
0.1
-5
-5
-20
-20
5
5
20
20
mA
mA
mA
mA
1.2
J
ESD限值
符号
V
C
参数
静电放电电容
电压
条件
人体模型;
C = 250 pF的; R = 1.5 kΩ的
分钟。
-
马克斯。
2
单位
kV
热特性
符号
参数
热阻
3
R
日J- MB
结到安装基座
-
-
1.2
1.5
K / W
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
1
反向电池电压只允许与外部输入和状态电阻，以限制电流到一个安全值。
2
对于正常的连续运转。一个更高的温度
j
允许过载状况，但在阈值T
J（下TO ）
在超温跳闸运行
保护开关。
3
的输出功率MOS晶体管。
1996年7月
2
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
TOPFET高边开关
BUK201-50Y的SMD版
静态特性
T
mb
= 25 C除非另有说明
符号
V
BG
V
BL
-V
LG
参数
钳位电压
电池地面
电池装入
负负载到地
电源电压
工作范围
1
电流
I
L
I
B
I
G
I
L
R
ON
R
ON
R
G
额定负载电流
2
静态电流
3
工作电流
4
断态电流负载
5
抗性
导通状态电阻
6
导通状态电阻
内部接地电阻
条件
I
G
= 1毫安
I
L
= I
G
= 1毫安
I
L
= 1毫安
电池地面
-
V
BG
= 13 V
V
BL
= 0.5 V ;牛逼
mb
= 85 C
V
IG
= 0 V; V
LG
= 0 V
V
IG
= 5 V ;我
L
= 0 A
V
BL
= 13 V; V
IG
= 0 V
V
BG
= 13 V ;我
L
= 7.5 A;吨
p
= 300
s
V
BG
= 5 V ;我
L
= 1.5 A;牛逼
p
= 300
s
I
G
= 10毫安
6
-
1.5
-
分钟。
50
50
12
BUK205-50Y
典型值。
55
55
17
马克斯。
65
65
21
单位
V
V
V
V
BG
5
-
40
V
-
0.1
2.2
0.1
-
2
4
1
A
A
mA
A
-
-
-
45
70
150
60
90
-
m
m
输入特性
T
mb
= 25 ℃; V
BG
= 13 V
符号
I
I
V
IG
V
IG（ ON）的
V
IG （OFF）的
参数
输入电流
输入钳位电压
输入端导通阈值电压
输入关断阈值电压
条件
V
IG
= 5 V
I
I
= 200
A
分钟。
35
6
-
1.5
典型值。
60
7.5
2.1
2
马克斯。
100
8.5
2.7
-
单位
A
V
V
V
1
开状态当电源电压低于9V。参见图8电阻增加。
2
定义为ISO 10483-1 。
3
这是从电池汲取的电流连续时的输入为低电平，并且包括漏电流给负载。
4
这是由电池在无负载连接绘制的连续电流，但与输入高。
5
测得的电流在仅装载销。
6
供给和输入电压对R
ON
测试是连续的。指定的脉冲持续时间T
p
仅指施加负载电流。
1996年7月
3
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
TOPFET高边开关
BUK201-50Y的SMD版
保护功能和状态指示
真值表为正常，开路负载和过载情况和异常的电源电压。
功能
符号
条件
正常导通状态
正常关闭状态
I
L（ OC ）
开路负载
1
开路负载
T
J（下TO ）
过温
2
过温
3
V
BL （ TO ）
负载短路
4
负载短路
V
BG （ TO ）
V
BG （ LP ）
低电源电压
5
高电源电压
6
输入
1
0
1
0
1
0
1
0
X
X
真值表
状态
1
1
0
1
0
0
0
1
1
1
产量
1
0
1
0
0
0
0
0
0
0
3
40
4
45
9
150
100
BUK205-50Y
门槛
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
350
600
mA
175
-
C
10.5
12
V
5
50
V
V
输入“0”等于低，'1'等于高， 'X'等于不关心。
对于状态'0'等于低， “1”等于开或高。
对于输出开关'0'等于断， “1”等于上。
状态特性
T
mb
= 25 C.
状态输出为漏极开路晶体管，并且需要一个外部上拉电路来表示逻辑高电平。
符号
V
SG
V
SG
I
S
I
S
参数
状态钳位电压
地位低电压
状态泄漏电流
状态饱和电流
7
应用信息
外部上拉电阻
8
条件
I
S
= 100
A;
V
IG
= 0 V
I
S
= 50
A;
V
BG
= 13 V; V
IG
= 5 V
V
SG
= 5 V
V
SS
= 5 V ;
S
= 0
;
V
BG
= 13 V
分钟。
6
-
-
-
典型值。
7
0.7
0.1
5
马克斯。
8
0.8
1
-
单位
V
V
A
mA
R
S
V
SS
= 5 V
-
100
-
k
1
在导通状态时，开关检测负载电流是否小于所述引开负载阈值电流。这是用于状态指示
只。典型的滞后等于140毫安。阈值被指定为正常工作范围内的电源电压。
2
冷却到低于复位温度后，交换机将恢复正常运行。复位温度比由跳闸温度下
通常是10度。
3
如果过热保护动作，状态保持低指示温度过高，即使输入为低电平时，
提供器件并没有冷却到低于复位温度。
4
后短路保护已运行，输入电压必须切换为低开关恢复正常运行。
5
低压传感器会导致设备关闭。典型的滞后等于0.7 V.
6
过电压传感器会导致设备关闭，以保护负载。典型的滞后等于1.3 V.
7
在故障状态下与上拉电阻的状态的晶体管导通，而短路。
8
上拉电阻也保护在电池反向条件下的状态引脚。
1996年7月
4
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
TOPFET高边开关
BUK201-50Y的SMD版
动态特性
T
mb
= 25 ℃; V
BG
= 13 V
符号
-V
LG
参数
感性负载关断
负负载电压
1
负载短路保护
2
响应时间
负载电流之前，关断
过载保护
3
负载电流限制
条件
V
IG
= 0 V ;我
L
= 7.5 A;吨
p
= 300
s
V
IG
= 5 V ;
L
≤
10 m
-
牛逼牛逼<
SC
V
BL
= 9 V ;牛逼
p
= 300
s
-
90
42
分钟。
15
BUK205-50Y
典型值。
20
马克斯。
25
单位
V
s
A
t
SC
I
L
-
-
I
L（ LIM ）
28
40
52
A
开关特性
T
mb
= 25 ° C，V
BG
= 13 V ，阻性负载R
L
= 13
.
符号
t
D ON
dv / dt的
on
t
on
参数
导通时
延迟时间
率负载电压的上升
总开关时间
关断期间
延迟时间
房价下跌负载电压的
总开关时间
条件
到V
IG
= 5 V
到10 ％的V
L
-
-
-
16
1
40
-
2.5
-
s
V / μs的
s
s
V / μs的
s
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
到90 ％的V
L
到V
IG
= 0 V
到90 ％的V
L
到10 ％的V
L
t
D OFF
dv / dt的
关闭
t
关闭
-
-
-
30
1.2
50
-
2.5
-
电容
T
mb
= 25 ℃; F = 1兆赫; V
IG
= 0 V
符号
C
ig
C
bl
C
sg
参数
输入电容
输出电容
状态电容
条件
V
BG
= 13 V
V
BL
= V
BG
= 13 V
V
SG
= 5 V
分钟。
-
-
-
典型值。
15
415
11
马克斯。
20
580
15
单位
pF
pF
pF
1
用于高侧开关，所述负载端子的电压变为负相期间关断感性负载的接地。这个负电压
由设备夹住。
2
负载电流为自限性过程中，响应时间为短路负载保护。响应时间是指从输入变为测量
高。
3
如果负载电阻是低的，但不是完整的短路，使得导通状态的电压保持低于V
BL （ TO ）
，该装置保持在
限流，直至过热保护动作。
1996年7月
5
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
TOPFET高边开关
BUK201-50Y的SMD版
描述
单片温度和
过载保护开关电源
基于MOSFET技术于一身
5引脚塑料表面贴装
包络线，配置为单
高侧开关。
BUK205-50Y
快速参考数据
符号
I
L
符号
V
BG
I
L
T
j
R
ON
参数
额定负载电流（ ISO ）
参数
连续断态电压
连续负载电流
连续结温
导通状态电阻
分钟。
6
马克斯。
50
15
150
60
单位
A
单位
V
A
C
m
应用
对于一般驾驶控制器
灯具，电机，电磁阀，加热器。
特点
垂直功率DMOS开关
低通态电阻
5 V逻辑兼容输入
过温保护 -
自复位与迟滞
超载保护
短路负载
输出电流限制;
锁定 - 复位输入
高电源电压负载
保护
电源欠压锁定
状态指示过载
保护装置已启动
诊断状态指示
开路负载
极低的静态电流
电压钳位为关闭的
感性负载
所有引脚的ESD保护
反向电池
过压保护
功能框图
BATT
状态
动力
输入
MOSFET
管制及
保护
电路
负载
地
RG
图1 。在TOPFET HSS的元素与内部接地电阻。
钉扎 - SOT426
针
1
2
3
4
5
mb
描述
地
输入
（连接MB）
状态
负载
电池
引脚配置
mb
符号
I
S
3
1 2
4 5
B
TOPFET
HSS
G
L
图。 2 。
图。 3 。
1996年7月
1
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
TOPFET高边开关
BUK201-50Y的SMD版
极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值
符号
V
BG
参数
电池电压
连续断态电压
反向电池电压
1
重复峰值电压
连续反向电压
连续负载电流
总功耗
储存温度
连续结温
2
焊接温度
输入和状态
连续输入电流
连续电流状态
重复峰值输入电流
重复峰值电流状态
感性负载夹持
E
BL
非重复性钳位能源
T
mb
= 150℃之前，关断
-
条件
-
外部电阻：
R
I
= R
S
≥
4.7 k,
δ ≤
0.1
R
I
= R
S
≥
4.7 k
T
mb
≤
115 C
T
mb
≤
25 C
-
-
焊接过程中
分钟。
0
BUK205-50Y
马克斯。
50
单位
V
-V
BG
-V
BG
I
L
P
D
T
英镑
T
j
T
出售
-
-
-
-
-55
-
-
32
16
15
83.3
175
150
250
V
V
A
W
C
C
C
I
I
I
S
I
I
I
S
-
-
δ ≤
0.1
δ ≤
0.1
-5
-5
-20
-20
5
5
20
20
mA
mA
mA
mA
1.2
J
ESD限值
符号
V
C
参数
静电放电电容
电压
条件
人体模型;
C = 250 pF的; R = 1.5 kΩ的
分钟。
-
马克斯。
2
单位
kV
热特性
符号
参数
热阻
3
R
日J- MB
结到安装基座
-
-
1.2
1.5
K / W
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
1
反向电池电压只允许与外部输入和状态电阻，以限制电流到一个安全值。
2
对于正常的连续运转。一个更高的温度
j
允许过载状况，但在阈值T
J（下TO ）
在超温跳闸运行
保护开关。
3
的输出功率MOS晶体管。
1996年7月
2
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
TOPFET高边开关
BUK201-50Y的SMD版
静态特性
T
mb
= 25 C除非另有说明
符号
V
BG
V
BL
-V
LG
参数
钳位电压
电池地面
电池装入
负负载到地
电源电压
工作范围
1
电流
I
L
I
B
I
G
I
L
R
ON
R
ON
R
G
额定负载电流
2
静态电流
3
工作电流
4
断态电流负载
5
抗性
导通状态电阻
6
导通状态电阻
内部接地电阻
条件
I
G
= 1毫安
I
L
= I
G
= 1毫安
I
L
= 1毫安
电池地面
-
V
BG
= 13 V
V
BL
= 0.5 V ;牛逼
mb
= 85 C
V
IG
= 0 V; V
LG
= 0 V
V
IG
= 5 V ;我
L
= 0 A
V
BL
= 13 V; V
IG
= 0 V
V
BG
= 13 V ;我
L
= 7.5 A;吨
p
= 300
s
V
BG
= 5 V ;我
L
= 1.5 A;牛逼
p
= 300
s
I
G
= 10毫安
6
-
1.5
-
分钟。
50
50
12
BUK205-50Y
典型值。
55
55
17
马克斯。
65
65
21
单位
V
V
V
V
BG
5
-
40
V
-
0.1
2.2
0.1
-
2
4
1
A
A
mA
A
-
-
-
45
70
150
60
90
-
m
m
输入特性
T
mb
= 25 ℃; V
BG
= 13 V
符号
I
I
V
IG
V
IG（ ON）的
V
IG （OFF）的
参数
输入电流
输入钳位电压
输入端导通阈值电压
输入关断阈值电压
条件
V
IG
= 5 V
I
I
= 200
A
分钟。
35
6
-
1.5
典型值。
60
7.5
2.1
2
马克斯。
100
8.5
2.7
-
单位
A
V
V
V
1
开状态当电源电压低于9V。参见图8电阻增加。
2
定义为ISO 10483-1 。
3
这是从电池汲取的电流连续时的输入为低电平，并且包括漏电流给负载。
4
这是由电池在无负载连接绘制的连续电流，但与输入高。
5
测得的电流在仅装载销。
6
供给和输入电压对R
ON
测试是连续的。指定的脉冲持续时间T
p
仅指施加负载电流。
1996年7月
3
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
TOPFET高边开关
BUK201-50Y的SMD版
保护功能和状态指示
真值表为正常，开路负载和过载情况和异常的电源电压。
功能
符号
条件
正常导通状态
正常关闭状态
I
L（ OC ）
开路负载
1
开路负载
T
J（下TO ）
过温
2
过温
3
V
BL （ TO ）
负载短路
4
负载短路
V
BG （ TO ）
V
BG （ LP ）
低电源电压
5
高电源电压
6
输入
1
0
1
0
1
0
1
0
X
X
真值表
状态
1
1
0
1
0
0
0
1
1
1
产量
1
0
1
0
0
0
0
0
0
0
3
40
4
45
9
150
100
BUK205-50Y
门槛
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
350
600
mA
175
-
C
10.5
12
V
5
50
V
V
输入“0”等于低，'1'等于高， 'X'等于不关心。
对于状态'0'等于低， “1”等于开或高。
对于输出开关'0'等于断， “1”等于上。
状态特性
T
mb
= 25 C.
状态输出为漏极开路晶体管，并且需要一个外部上拉电路来表示逻辑高电平。
符号
V
SG
V
SG
I
S
I
S
参数
状态钳位电压
地位低电压
状态泄漏电流
状态饱和电流
7
应用信息
外部上拉电阻
8
条件
I
S
= 100
A;
V
IG
= 0 V
I
S
= 50
A;
V
BG
= 13 V; V
IG
= 5 V
V
SG
= 5 V
V
SS
= 5 V ;
S
= 0
;
V
BG
= 13 V
分钟。
6
-
-
-
典型值。
7
0.7
0.1
5
马克斯。
8
0.8
1
-
单位
V
V
A
mA
R
S
V
SS
= 5 V
-
100
-
k
1
在导通状态时，开关检测负载电流是否小于所述引开负载阈值电流。这是用于状态指示
只。典型的滞后等于140毫安。阈值被指定为正常工作范围内的电源电压。
2
冷却到低于复位温度后，交换机将恢复正常运行。复位温度比由跳闸温度下
通常是10度。
3
如果过热保护动作，状态保持低指示温度过高，即使输入为低电平时，
提供器件并没有冷却到低于复位温度。
4
后短路保护已运行，输入电压必须切换为低开关恢复正常运行。
5
低压传感器会导致设备关闭。典型的滞后等于0.7 V.
6
过电压传感器会导致设备关闭，以保护负载。典型的滞后等于1.3 V.
7
在故障状态下与上拉电阻的状态的晶体管导通，而短路。
8
上拉电阻也保护在电池反向条件下的状态引脚。
1996年7月
4
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
TOPFET高边开关
BUK201-50Y的SMD版
动态特性
T
mb
= 25 ℃; V
BG
= 13 V
符号
-V
LG
参数
感性负载关断
负负载电压
1
负载短路保护
2
响应时间
负载电流之前，关断
过载保护
3
负载电流限制
条件
V
IG
= 0 V ;我
L
= 7.5 A;吨
p
= 300
s
V
IG
= 5 V ;
L
≤
10 m
-
牛逼牛逼<
SC
V
BL
= 9 V ;牛逼
p
= 300
s
-
90
42
分钟。
15
BUK205-50Y
典型值。
20
马克斯。
25
单位
V
s
A
t
SC
I
L
-
-
I
L（ LIM ）
28
40
52
A
开关特性
T
mb
= 25 ° C，V
BG
= 13 V ，阻性负载R
L
= 13
.
符号
t
D ON
dv / dt的
on
t
on
参数
导通时
延迟时间
率负载电压的上升
总开关时间
关断期间
延迟时间
房价下跌负载电压的
总开关时间
条件
到V
IG
= 5 V
到10 ％的V
L
-
-
-
16
1
40
-
2.5
-
s
V / μs的
s
s
V / μs的
s
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
到90 ％的V
L
到V
IG
= 0 V
到90 ％的V
L
到10 ％的V
L
t
D OFF
dv / dt的
关闭
t
关闭
-
-
-
30
1.2
50
-
2.5
-
电容
T
mb
= 25 ℃; F = 1兆赫; V
IG
= 0 V
符号
C
ig
C
bl
C
sg
参数
输入电容
输出电容
状态电容
条件
V
BG
= 13 V
V
BL
= V
BG
= 13 V
V
SG
= 5 V
分钟。
-
-
-
典型值。
15
415
11
马克斯。
20
580
15
单位
pF
pF
pF
1
用于高侧开关，所述负载端子的电压变为负相期间关断感性负载的接地。这个负电压
由设备夹住。
2
负载电流为自限性过程中，响应时间为短路负载保护。响应时间是指从输入变为测量
高。
3
如果负载电阻是低的，但不是完整的短路，使得导通状态的电压保持低于V
BL （ TO ）
，该装置保持在
限流，直至过热保护动作。
1996年7月
5
启1.000
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