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飞利浦半导体
产品speci fi cation
功率MOS晶体管
逻辑电平TOPFET
描述
单片温度和
过载保护逻辑电平功率
在MOSFET
TOPFET2
技术
组装在一个3引脚塑料
封装。
BUK117-50DL
快速参考数据
符号
V
DS
I
D
P
D
T
j
R
DS （ ON）
I
ISL
参数
连续漏源电压
连续漏电流
总功耗
连续结温
漏源导通电阻
输入电源电流
V
IS
= 5 V
马克斯。
50
8
40
150
100
650
单位
V
A
W
C
m
A
应用
通用开关驱动
灯
汽车
螺线管
加热器
在汽车系统和其他
应用程序。
特点
的TrenchMOS输出级
限流
过载保护
过热保护
保护卡扣输入复位
5 V逻辑兼容输入电平
输出级的控制和
电源过载保护
从输入得到的电路
低操作电流输入
允许直接驱动了
微控制器
所有引脚的ESD保护
过压钳位轮到
断感性负载的
功能框图
漏
O / V
钳
输入
RIG
动力
MOSFET
逻辑与
保护
来源
图1 。在TOPFET的元素。
钉扎 - SOT78B
针
1
2
3
TAB
输入
漏
来源
漏
描述
引脚配置
mb
mb
符号
D
TOPFET
I
P
1 2 3
前视图
MBL292
S
2001年5月
1
启1.800
飞利浦半导体
产品speci fi cation
功率MOS晶体管
逻辑电平TOPFET
极限值
限制按照绝对最大额定值系统值（ IEC 134 ）
符号
V
DS
I
D
I
D
I
I
I
IRM
P
D
T
英镑
T
j
T
出售
参数
连续漏源电压
1
连续漏电流
连续漏电流
连续输入电流
非重复性峰值输入电流
总功耗
储存温度
连续结温
2
焊接温度
条件
-
V
IS
= 5 V ;牛逼
mb
= 25 C
V
IS
= 5 V ;牛逼
mb
≤
110 C
-
t
p
≤
1毫秒
T
mb
≤
25 C
-
正常工作
焊接过程中
分钟。
-
-
-
-5
-10
-
-55
-
-
BUK117-50DL
马克斯。
50
自我 -
有限
8
5
10
40
175
150
260
单位
V
A
A
mA
mA
W
C
C
C
ESD限值
符号
V
C
参数
静电放电电容
电压
条件
人体模型;
C = 250 pF的; R = 1.5 kΩ的
分钟。
-
马克斯。
2
单位
kV
过压钳位极限值
在漏源电压高于50 V功率MOSFET积极开启夹住过压瞬变。
符号
E
帝斯曼
E
DRM
参数
感性负载关断
非重复性钳位能源
重复夹紧能源
条件
I
DM
= 8 A; V
DD
≤
20 V
T
mb
≤
25 C
T
mb
≤
95℃ ; F = 250赫兹
分钟。
-
-
马克斯。
100
20
单位
mJ
mJ
过载保护限制值
通过输入引脚提供了足够的保障供应， TOPFET可以保护自己免受两种过载
- 过热和短路负载。
符号
V
DS
参数
漏源电压
3
必要条件
4 V
≤
V
IS
≤
5.5 V
分钟。
0
马克斯。
35
单位
V
热特性
符号
R
日J- MB
参数
热阻
结到安装基座
条件
-
分钟。
-
典型值。
2.5
马克斯。
3.1
单位
K / W
1
之前过电压钳位的发作。电压高于此值时，安全操作是由过压钳位能量的限制。
2
一个更高的温度
j
允许过载状况，但在阈值T
J（下TO ）
在超温跳闸动作，保护开关。
3
所有的控制逻辑和保护功能的源漏极二极管的导通期间禁用。
2001年5月
2
启1.800
飞利浦半导体
产品speci fi cation
功率MOS晶体管
逻辑电平TOPFET
输出特性
极限是-40℃
≤
T
mb
≤
150C ;标准结构为T
mb
= 25 C除非另有说明
符号
参数
关闭状态
V
（ CL ） DSS
I
DSS
漏源电压钳位
条件
V
IS
= 0 V
I
D
= 10毫安
I
DM
= 1 ;牛逼
p
≤
300
s; δ ≤
0.01
漏源极漏电流
导通状态
R
DS （ ON）
漏源电阻
V
DS
= 40 V
T
mb
= 25 C
I
DM
= 3 A;牛逼
p
≤
300
s; δ ≤
0.01
V
IS
≥
4.4 V
T
mb
= 25 C
V
IS
≥
4 V
T
mb
= 25 C
-
-
-
-
50
50
-
-
分钟。
BUK117-50DL
典型值。
马克斯。
单位
-
60
-
0.1
-
70
100
10
V
V
A
A
m
m
m
m
-
68
-
72
190
100
200
105
过载特性
-40C
≤
T
mb
≤
150°C ，除非另有规定。
符号
I
D
参数
负载短路
漏电流限制
条件
V
DS
= 13 V
V
IS
= 5 V;
4.4 V
≤
V
IS
≤
5.5 V
4 V
≤
V
IS
≤
5.5 V
P
D（ TO ）
T
DSC
T
J（下TO ）
过载保护
过载功率门限
特征时间
过热保护
阈值的结
温度
2
150
170
-
C
V
IS
= 5 V;
T
mb
= 25C
如果设备跳闸P
D
> P
D（ TO ）
这就决定了行程时间
1
T
mb
= 25C
分钟。
8
6
5
20
200
典型值。
12
-
-
55
350
马克斯。
16
18
18
80
600
单位
A
A
A
W
s
1
旅行时间t
SC
随过载耗散P
D
根据公式吨
SC
≈
T
DSC
/ LN [P
D
/ P
D（ TO ）
].
2
这是独立于输入电压V的dV / dt的
IS
.
2001年5月
3
启1.800
飞利浦半导体
产品speci fi cation
功率MOS晶体管
逻辑电平TOPFET
输入特性
供给的逻辑和过载保护取自输入。
极限是-40℃
≤
T
mb
≤
150C ;标准结构为T
mb
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
IS （TO）
I
IS
I
ISL
V
ISR
t
lr
V
（CL）的IS
R
IG
参数
输入阈值电压
输入电源电流
输入电源电流
保护复位电压
1
锁存器复位时间
输入钳位电压
输入串联电阻
2
功率MOSFET的栅极
条件
V
DS
= 5 V ;我
D
= 1毫安
T
mb
= 25C
正常运行;
保护锁;
复位时间t
r
≥
100
s
V
IS1
= 5 V, V
IS2
＆ LT ; 1 V
I
I
= 1.5毫安
T
mb
= 25C
V
IS
= 5 V
V
IS
= 4 V
V
IS
= 5 V
V
IS
= 3 V
分钟。
0.6
1.1
100
80
200
130
1.5
10
5.5
-
BUK117-50DL
典型值。
-
1.6
220
195
400
250
2
40
-
33
马克斯。
2.4
2.1
400
330
650
430
2.9
100
8.5
-
单位
V
V
A
A
A
A
V
s
V
k
开关特性
T
mb
= 25 ℃; V
DD
= 13 V ;阻性负载R
L
= 4
.
请参考波形图和测试电路。
符号
t
D ON
t
r
t
D OFF
t
f
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
V
IS
= 0 V
条件
V
IS
= 5 V
分钟。
-
-
-
-
典型值。
10
20
30
20
马克斯。
20
40
60
40
单位
s
s
s
s
1
输入电压低于该过载保护电路将被复位。
2
不能直接可测量从设备终端。
2001年5月
4
启1.800
飞利浦半导体
产品speci fi cation
功率MOS晶体管
逻辑电平TOPFET
机械数据
塑料单端封装;散热器安装; 1安装孔; 3引线
BUK117-50DL
SOT78B
E
p1
p
A
A1
q
D1
MOUNTING
BASE
(2)
D
L1
L2
Q
L
b1
1
2
b
(1)
3
w
M
c
e
e
0
5
规模
10 mm
外形尺寸（mm是原始尺寸）
单位
mm
A
4.5
4.1
A1
1.39
1.27
b
(1)
0.85
0.60
b1
1.3
1.0
c
0.7
0.4
D
15.8
15.2
D1
6.4
5.9
E
10.3
9.7
e
2.54
L
15.0
13.5
L1
3.30
2.79
L2
马克斯。
3.0
p
3.8
3.6
p1
4.3
4.1
q
3.0
2.7
Q
2.6
2.2
w
0.4
笔记
1.端子的位置精度内区的L1的最大控制。
2.安装基本配置是不是尺寸e和d中定义
概要
VERSION
SOT78B
参考文献：
IEC
JEDEC
EIAJ
欧洲
投影
发行日期
01-02-22
图2 。 SOT78B （ TO220AB ）封装
1
， 2脚连接安装基座。
1
请参阅安装说明SOT78 （ TO220 ）信封。环氧符合UL94 V0的8"分之1 。净重： 2克
2001年5月
5
启1.800
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