【飞利浦半导体产品speci fi cation硅扩散型功率晶体管BUJ403A概述高电压，在TO22】,IC型号BUJ403A,BUJ403A PDF资料,BUJ403A经销商,ic,电子元器件-51电子网

飞利浦半导体

产品speci fi cation

硅扩散型功率晶体管

BUJ403A

概述

高电压，在TO220AB信封高速平面钝化npn型功率开关晶体管旨在用于

在高频电子照明镇流器应用中，转换器，逆变器，开关稳压器，马达控制

系统等。

快速参考数据

符号

V

CESM

V

CBO

V

首席执行官

I

C

I

CM

P

合计

V

CESAT

h

FEsat

t

f

参数

集电极 - 发射极电压峰值

集电极 - 基极电压（发射极开路）

集电极 - 发射极电压（开基）

集电极电流（ DC ）

集电极电流峰值

总功耗

集电极 - 发射极饱和电压

直流电流增益

下降时间

条件

V

BE

= 0 V

典型值。

-

0.15

15.5

170

马克斯。

1200

550

6

10

100

1.0

-

300

单位

V

A

W

V

ns

T

mb

≤

25 C

I

C

= 2 A;我

B

= 0.4 A

I

C

= 3 A; V

CE

= 5 V

I

C

= 2.5 A;我

B1

=0.5 A

钉扎 - TO220AB

针

1

2

3

TAB

BASE

集热器

辐射源

集热器

描述

引脚配置

TAB

符号

c

b

1 23

e

极限值

限制按照绝对最大额定值系统值（ IEC 134 ）

符号

V

CESM

V

首席执行官

V

CBO

I

C

I

CM

I

B

I

BM

P

合计

T

英镑

T

j

参数

集电极到发射极电压

集电极到发射极电压（开基）

集电极基极电压（发射极开路）

集电极电流（ DC ）

集电极电流峰值

基极电流（DC）的

基极电流峰值

总功耗

储存温度

结温

条件

V

BE

= 0 V

分钟。

-

-65

-

马克斯。

1200

550

1200

6

10

3

5

100

150

单位

V

A

W

C

T

mb

≤

25 C

热阻

符号

R

日J- MB

R

日J-一

参数

结到安装基座

结到环境

在自由空气

条件

典型值。

-

60

马克斯。

1.25

-

单位

K / W

1998年12月

1

启1.200

飞利浦半导体

产品speci fi cation

硅扩散型功率晶体管

BUJ403A

静态特性

T

mb

= 25 C除非另有说明

符号

I

CES

,I

CBO

I

CES

I

首席执行官

I

EBO

V

CEOsust

V

CESAT

V

BESAT

h

FE

h

FE

h

FEsat

h

FEsat

参数

集电极截止电流

1

集电极截止电流

1

发射极截止电流

集电极 - 发射极电压维持

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

直流电流增益

条件

V

BE

= 0 V; V

CE

= V

CESMmax

V

BE

= 0 V; V

CE

= V

CESMmax

;

T

j

= 125 C

V

首席执行官

= V

CEOMmax

(550V)

V

EB

= 7 V ;我

C

= 0 A

I

B

= 0 ;我

C

= 10毫安;

L = 25毫亨

I

C

= 2.0 A;我

B

= 0.4 A

I

C

= 2.0 A;我

B

= 0.4 A

I

C

= 1毫安; V

CE

= 5 V

I

C

= 500毫安; V

CE

= 5 V

I

C

= 2.0 A; V

CE

= 5 V

I

C

= 3.0 A; V

CE

= 5 V

分钟。

-

550

-

13

20

13

-

典型值。

-

0.15

0.91

25

30

18.5

15.5

马克斯。

1.0

2.0

0.1

-

1.0

1.5

-

47

25

-

单位

mA

V

动态特性

T

mb

= 25 C除非另有说明

符号

参数

开关时间（阻性负载）

t

on

t

s

t

f

开启时间

关闭存储时间

关断下降时间

开关时间（感性负载）

t

s

t

f

关闭存储时间

关断下降时间

开关时间（感性负载）

t

s

t

f

关闭存储时间

关断下降时间

条件

I

CON

= 2.5 A;我

BON

= -I

B关

= 0.5 A;

R

L

= 75欧姆; V

BB2

= 4 V;

典型值。

马克斯。

单位

s

ns

s

ns

-

0.5

3

0.3

I

CON

= 2.5 A;我

BON

= 0.5 A; L

B

= 1

H;

-V

BB

= 5 V

I

CON

= 2.5 A;我

BON

= 0.5 A; L

B

= 1

H;

-V

BB

= 5 V ;牛逼

j

= 100 C

-

170

1.5

300

-

1.8

300

1

测量正弦半波电压（波形记录器）。

1998年12月

2

启1.200

飞利浦半导体

产品speci fi cation

硅扩散型功率晶体管

BUJ403A

+ 50v

100-200R

IC

90 %

图标

90 %

10 %

横

示波器

垂直

300R

30-60赫兹

6V

1R

IB

ts

吨

花花公子

IBON

10 %

tr

30ns

-IBoff

tf

图1 。为V测试电路

CEOsust

.

图4 。开关时间波形与电阻性负载。

IC / MA

VCC

250

200

LC

IBON

100

LB

T.U.T.

-VBB

0

VCE / V

民

VCEOsust

图2 。示波器显示V

CEOsust

.

图5 。测试电路的电感性负载。

V

CC

= 300 V; -V

BE

= 5 V ; L

C

= 200 uH容; L

B

= 1 uH容

VCC

图标

90 %

IC

RL

VIM

0

tp

IB

RB

T.U.T.

ts

花花公子

IBON

10 %

tf

t

T

-IBoff

t

如图3所示。测试电路电阻负载。 V

IM

= -6至+ 8V

V

CC

= 250 V ;吨

p

= 20

s;

δ

= t

p

/ T = 0.01.

R

B

和R

L

从我计算

CON

我

BON

要求。

图6 。开关时间波形带感性负载。

1998年12月

3

启1.200

飞利浦半导体

产品speci fi cation

硅扩散型功率晶体管

BUJ403A

120

110

100

90

80

70

60

50

40

30

20

10

0

PD ％

归一化功率降额

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0.0

VBEsat / V

0

20

40

60

80

100

TMB / C

120

140

0.1

1

IC / A

10

图7 。归一化的功率耗散。

PD ％ = 100

PD / PD

25C

= F（T

mb

)

图10 。基射极饱和电压。

实线=典型值，V

BESAT

= F（ IC）;在IC / IB = 4 。

VCESAT / V

h

FE

100

5V

0.5

0.4

0.3

10

0.2

TJ = 25℃

0.1

1V

0.0

0.1

1

IC / A

10

1

0.01

0.1

IC / A

1

10

图8 。典型的直流电流增益。

FE

= F（我

C

)

参数V

CE

VCESAT / V

图11 。集电极 - 发射极饱和电压。

实线=典型值，V

CESAT

= F（ IC）;在IC / IB = 4 。

2.0

10

第Z / （K / W）

1.6

IC=1A

1.2

2A

3A

4A

1

D= 0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0

0.8

0.1

P

D

tp

D=

t

p

T

t

0.4

T

0.0

0.01

1E-06

0.10

IB / A

1.00

10.00

1E-04

1E-02

T / S

1E+00

图9 。集电极 - 发射极饱和电压。

实线=典型值，V

CESAT

= F （ⅠB ） ;牛逼

j

=25C.

图12 。瞬态热阻抗。

Z

日J- MB

= F（T） ;参数D = T

p

/T

1998年12月

4

启1.200

飞利浦半导体

产品speci fi cation

硅扩散型功率晶体管

BUJ403A

IC （ A）

11

10

VCC

9

8

7

LC

6

5

4

3

IBON

VCL

LB

T.U.T.

2

1

-VBB

0

200

400

600

800

1,000

1,200

1,400

0

VCEclamp （ V）

图13 。反向偏压安全工作区域T

j

≤

T

JMAX

图14 。测试电路的反向偏压安全工作

区域

V

cl

≤

1000V; V

cc

= 150V; V

BB

= -5V ，L

B

= 1

H; L

c

=

200

H

1998年12月

5

启1.200

INCHANGE半导体

ISC

产品speci fi cation

ISC

硅NPN功率晶体管

BUJ403A

描述

高

电压

高

高速开关

应用

· Desined

在高频电子照明镇流器使用

应用，变频器，逆变器，开关稳压器，

电机控制系统等。

绝对最大额定值（T

a

=25

℃

)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流连续

集电极电流峰值

基极电流

基极电流峰值

集电极耗散功率

@T

C

=25℃

结温

存储温度范围

价值

1200

550

7

6

10

3

5

100

150

-65~150

单位

V

A

W

℃

I

BM

P

C

T

j

T

英镑

热特性

符号

R

第j个-C

参数

热阻，结到外壳

最大

1.25

单位

℃/W

ISC的网站： www.iscsemi.cn

INCHANGE半导体

ISC

产品speci fi cation

ISC

硅NPN功率晶体管

电气特性

T

C

= 25 ℃除非另有规定

符号

V

CEO （ SUS ）

V

CE（

SAT

)

V

BE （

SAT

)

I

CES

I

首席执行官

I

EBO

h

FE-1

h

FE-2

h

FE-3

h

FE-4

参数

集电极 - 发射极电压维持

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

直流电流增益

条件

I

C

= 10毫安;我

B

= 0， L = 25mH

I

C

= 2A ;我

B

= 0.4A

B

BUJ403A

民

550

典型值。

最大

单位

V

1.0

1.5

1

2

0.1

13

20

13

15.5

47

25

V

mA

I

C

= 2A ;我

B

= 0.4A

B

V

CE

= RatedV

CES

;V

BE

= 0

V

CE

= RatedV

CES

;V

BE

= 0;T

C

=125℃

V

CE

= 550V ;我

B

= 0

V

EB

= 7V ;我

C

= 0

I

C

= 1毫安; V

CE

= 5V

I

C

= 0.5A ; V

CE

= 5V

I

C

= 2A ; V

CE

= 5V

I

C

= 3A ; V

CE

= 5V

开关时间;阻性负载

t

on

t

s

t

f

开启时间

贮存时间

下降时间

I

C

= 2.5A ;我

B1

= -I

B2

= 0.5A;

R

L

= 75Ω; V

BB2

= 4V

0.5

3.0

0.3

μs

ISC的网站： www.iscsemi.cn

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

描述

·采用TO- 220封装

·高电压，高转速

应用

·专为高频率使用

电子照明镇流器应用，

变频器，逆变器，开关稳压器，

电机控制系统等

钉扎

针

1

2

3

BASE

集热器;连接到

安装底座

辐射源

描述

BUJ403A

绝对最大额定值（Ta = 25

)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

I

BM

P

合计

T

j

T

英镑

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

基极电流

基极电流峰值

总功耗

最大工作结温

储存温度

T

mb

125

条件

发射极开路

开基

集电极开路

价值

1200

550

7

6

10

3

5

100

150

-65~150

单位

V

A

W

热特性

符号

R

日J- MB

参数

热电阻交界处安装基座

最大

1.25

单位

K / W

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

特征

Tj=25

除非另有说明

参数

集电极 - 发射极电压维持

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

条件

I

C

= 10毫安，我

B

=0;L=25mH

I

C

= 2A ，我

B

=0.4 A

I

C

= 2A ，我

B

=0.4 A

V

CE

=550V

;

I

B

=0;

V

CE

=V

CESMmax ;

V

BE

=0;

T

j

=125

V

EB

= 7V ;我

C

=0

I

C

=1mA;V

CE

=5V

I

C

=500mA;V

CE

=5V

I

C

=2A;V

CE

=5V

I

C

=3A;V

CE

=5V

13

20

13

民

550

BUJ403A

符号

V

CEO （ SUS ）

V

CESAT

V

BESAT

I

首席执行官

I

CES

I

EBO

h

FE-1

h

FE-2

h

FEsat-1

h

FEsat-2

典型值。

最大

单位

V

0.15

0.91

1.0

1.5

0.1

1.0

2.0

0.1

V

mA

47

25

15.5

开关时间阻性负载

t

on

t

s

t

f

开启时间

贮存时间

下降时间

I

C

= 2.5A ;我

B1

=-I

B2

=0.5 A

R

L

=75D,V

BB2

=4V

0.5

3.0

0.3

s

2

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

包装外形

BUJ403A

图2外形尺寸（ unindicated公差为0.1mm ）

3

分立半导体

数据表

BUJ403A

硅扩散型功率晶体管

产品

规范

1998年12月

恩智浦

半导体

产品speci fi cation

硅扩散型功率晶体管

BUJ403A

概述

高电压，在TO220AB信封高速平面钝化npn型功率开关晶体管旨在用于

在高频电子照明镇流器应用中，转换器，逆变器，开关稳压器，马达控制

系统等。

快速参考数据

符号

V

CESM

V

CBO

V

首席执行官

I

C

I

CM

P

合计

V

CESAT

h

FEsat

t

f

参数

集电极 - 发射极电压峰值

集电极 - 基极电压（发射极开路）

集电极 - 发射极电压（开基）

集电极电流（ DC ）

集电极电流峰值

总功耗

集电极 - 发射极饱和电压

直流电流增益

下降时间

条件

V

BE

= 0 V

典型值。

-

0.15

15.5

170

马克斯。

1200

550

6

10

100

1.0

-

300

单位

V

A

W

V

ns

T

mb

≤

25 C

I

C

= 2 A;我

B

= 0.4 A

I

C

= 3 A; V

CE

= 5 V

I

C

= 2.5 A;我

B1

=0.5 A

钉扎 - TO220AB

针

1

2

3

TAB

BASE

集热器

辐射源

集热器

描述

引脚配置

TAB

符号

c

b

1 23

e

极限值

限制按照绝对最大额定值系统值（ IEC 134 ）

符号

V

CESM

V

首席执行官

V

CBO

I

C

I

CM

I

B

I

BM

P

合计

T

英镑

T

j

参数

集电极到发射极电压

集电极到发射极电压（开基）

集电极基极电压（发射极开路）

集电极电流（ DC ）

集电极电流峰值

基极电流（DC）的

基极电流峰值

总功耗

储存温度

结温

条件

V

BE

= 0 V

分钟。

-

-65

-

马克斯。

1200

550

1200

6

10

3

5

100

150

单位

V

A

W

C

T

mb

≤

25 C

热阻

符号

R

日J- MB

R

日J-一

参数

结到安装基座

结到环境

在自由空气

条件

典型值。

-

60

马克斯。

1.25

-

单位

K / W

1998年12月

1

启1.200

恩智浦

半导体

产品speci fi cation

硅扩散型功率晶体管

BUJ403A

静态特性

T

mb

= 25 C除非另有说明

符号

I

CES

,I

CBO

I

CES

I

首席执行官

I

EBO

V

CEOsust

V

CESAT

V

BESAT

h

FE

h

FE

h

FEsat

h

FEsat

参数

集电极截止电流

1

集电极截止电流

1

发射极截止电流

集电极 - 发射极电压维持

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

直流电流增益

条件

V

BE

= 0 V; V

CE

= V

CESMmax

V

BE

= 0 V; V

CE

= V

CESMmax

;

T

j

= 125 C

V

首席执行官

= V

CEOMmax

(550V)

V

EB

= 7 V ;我

C

= 0 A

I

B

= 0 ;我

C

= 10毫安;

L = 25毫亨

I

C

= 2.0 A;我

B

= 0.4 A

I

C

= 2.0 A;我

B

= 0.4 A

I

C

= 1毫安; V

CE

= 5 V

I

C

= 500毫安; V

CE

= 5 V

I

C

= 2.0 A; V

CE

= 5 V

I

C

= 3.0 A; V

CE

= 5 V

分钟。

-

550

-

13

20

13

-

典型值。

-

0.15

0.91

25

30

18.5

15.5

马克斯。

1.0

2.0

0.1

-

1.0

1.5

-

47

25

-

单位

mA

V

动态特性

T

mb

= 25 C除非另有说明

符号

参数

开关时间（阻性负载）

t

on

t

s

t

f

t

s

t

f

t

s

t

f

开启时间

关闭存储时间

关断下降时间

开关时间（感性负载）

关闭存储时间

关断下降时间

开关时间（感性负载）

关闭存储时间

关断下降时间

条件

I

CON

= 2.5 A;我

BON

= -I

B关

= 0.5 A;

R

L

= 75欧姆; V

BB2

= 4 V;

典型值。

马克斯。

单位

-

0.5

3

0.3

s

I

CON

= 2.5 A;我

BON

= 0.5 A; L

B

= 1

H;

-V

BB

= 5 V

I

CON

= 2.5 A;我

BON

= 0.5 A; L

B

= 1

H;

-V

BB

= 5 V ;牛逼

j

= 100 C

-

170

1.5

300

s

ns

-

1.8

300

s

ns

1

测量正弦半波电压（波形记录器）。

1998年12月

2

启1.200

恩智浦

半导体

产品speci fi cation

硅扩散型功率晶体管

BUJ403A

+ 50v

100-200R

IC

90 %

图标

90 %

10 %

横

示波器

垂直

300R

30-60赫兹

6V

1R

IB

ts

吨

花花公子

IBON

10 %

tr

30ns

-IBoff

tf

图1 。为V测试电路

CEOsust

.

图4 。开关时间波形与电阻性负载。

IC / MA

VCC

250

200

LC

IBON

100

LB

T.U.T.

-VBB

0

VCE / V

民

VCEOsust

图2 。示波器显示V

CEOsust

.

图5 。测试电路的电感性负载。

V

CC

= 300 V; -V

BE

= 5 V ; L

C

= 200 uH容; L

B

= 1 uH容

图标

90 %

IC

VCC

RL

VIM

0

tp

IB

RB

T.U.T.

ts

花花公子

IBON

10 %

tf

t

T

-IBoff

t

如图3所示。测试电路电阻负载。 V

IM

= -6至+ 8V

V

CC

= 250 V ;吨

p

= 20

s;

δ

= t

p

/ T = 0.01.

R

B

和R

L

从我计算

CON

我

BON

要求。

图6 。开关时间波形带感性负载。

1998年12月

3

启1.200

恩智浦

半导体

产品speci fi cation

硅扩散型功率晶体管

BUJ403A

120

110

100

90

80

70

60

50

40

30

20

10

0

PD ％

归一化功率降额

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0.0

VBEsat / V

0

20

40

60

80

100

TMB / C

120

140

0.1

1

IC / A

10

图7 。归一化的功率耗散。

PD ％ = 100

PD / PD

25C

= F（T

mb

)

图10 。基射极饱和电压。

实线=典型值，V

BESAT

= F（ IC）;在IC / IB = 4 。

VCESAT / V

h

FE

100

5V

0.5

0.4

0.3

10

0.2

TJ = 25℃

0.1

1V

0.0

0.1

1

IC / A

10

1

0.01

0.1

IC / A

1

10

图8 。典型的直流电流增益。

FE

= F（我

C

)

参数V

CE

VCESAT / V

图11 。集电极 - 发射极饱和电压。

实线=典型值，V

CESAT

= F（ IC）;在IC / IB = 4 。

2.0

10

第Z / （K / W）

1.6

IC=1A

1.2

2A

3A

4A

1

D= 0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0

0.8

0.1

P

D

tp

D=

t

p

T

t

0.4

T

0.0

0.01

1E-06

0.10

IB / A

1.00

10.00

1E-04

1E-02

T / S

1E+00

图9 。集电极 - 发射极饱和电压。

实线=典型值，V

CESAT

= F （ⅠB ） ;牛逼

j

=25C.

图12 。瞬态热阻抗。

Z

日J- MB

= F（T） ;参数D = T

p

/T

1998年12月

4

启1.200