【飞利浦半导体产品speci fi cation硅扩散型功率晶体管BUJ105AB概述高压，高速的平面】,IC型号BUJ105AB,BUJ105AB PDF资料,BUJ105AB经销商,ic,电子元器件-51电子网

飞利浦半导体

产品speci fi cation

硅扩散型功率晶体管

BUJ105AB

概述

高压，高速的平面钝化npn型中SOT404功率开关晶体管（四

-PAK ）表面贴装

包用于在高频电子照明镇流器应用，转换器，逆变器使用时，切换

稳压器，电机控制系统等。

快速参考数据

符号

CESM

CBO

首席执行官

合计

CESAT

FEsat

参数

集电极 - 发射极电压峰值

集电极 - 基极电压（发射极开路）

集电极 - 发射极电压（开基）

集电极电流（ DC ）

集电极电流峰值

总功耗

集电极 - 发射极饱和电压

下降时间

条件

= 0 V

典型值。

0.3

马克斯。

700

400

125

1.0

单位

≤

25 C

= 4.0 A;我

= 0.8 A

= 4.0 A; V

= 5 V

= 5 A;我

= 1 A

钉扎 - SOT404

针

BASE

集热器

辐射源

集热器

描述

引脚配置

符号

LIMITING VALUES8

限制按照绝对最大额定值系统值（ IEC 134 ）

符号

CESM

首席执行官

CBO

合计

英镑

参数

集电极到发射极电压

集电极到发射极电压（开基）

集电极基极电压（发射极开路）

集电极电流（ DC ）

集电极电流峰值

基极电流（DC）的

基极电流峰值

总功耗

储存温度

结温

条件

= 0 V

分钟。

-65

马克斯。

700

400

700

125

150

单位

≤

25 C

热阻

符号

日J- MB

日J-一

参数

热阻结到安装

BASE

热阻结到环境

最小的足迹， FR4板

条件

典型值。

马克斯。

1.0

单位

K / W

2001年10月

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产品speci fi cation

硅扩散型功率晶体管

BUJ105AB

静态特性

= 25 C除非另有说明

符号

CES

CBO

CES

首席执行官

EBO

CEOsust

CESAT

BESAT

FEsat

参数

集电极截止电流

条件

= 0 V; V

= V

CESMmax

= 0 V; V

= V

CESMmax

;

= 125 C

首席执行官

= V

CEOMmax

(400V)

= 9 V ;我

= 0 A

= 0 ;我

= 10毫安;

L = 25毫亨

= 4.0 A;我

= 0.8 A

= 4.0 A;我

= 0.8 A

= 1毫安; V

= 5 V

= 500毫安; V

= 5 V

= 4.0 A; V

= 5 V

分钟。

400

典型值。

0.3

1.0

马克斯。

0.2

0.5

0.1

1.0

1.5

单位

集电极截止电流

发射极截止电流

集电极 - 发射极电压维持

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

直流电流增益

动态特性

= 25 C除非另有说明

符号

参数

开关时间（阻性负载）

开启时间

关闭存储时间

关断下降时间

开关时间（感性负载）

关闭存储时间

关断下降时间

开关时间（感性负载）

关闭存储时间

关断下降时间

条件

CON

= 5 A;我

BON

= -I

B关

= 1 A;

= 75欧姆; V

BB2

= 4 V;

典型值。

马克斯。

单位

0.65

1.8

0.3

2.5

0.5

CON

= 5 A;我

BON

= 1 ; L

= 1

-V

= 5 V

CON

= 5 A;我

BON

= 1 ; L

= 1

-V

= 5 V ;牛逼

= 100 C

1.2

1.7

1.4

1.9

100

测量正弦半波电压（波形记录器）。

2001年10月

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+ 50v

100-200R

90 %

图标

90 %

10 %

横

示波器

垂直

300R

30-60赫兹

吨

花花公子

IBON

10 %

30ns

-IBoff

图1 。为V测试电路

CEOsust

图4 。开关时间波形与电阻性负载。

IC / MA

VCC

250

IBON

100

VCE / V

T.U.T.

-VBB

民

VCEOsust

图2 。示波器显示V

CEOsust

图5 。测试电路的电感性负载。

= 300 V; -V

= 5 V ; L

= 200 uH容; L

= 1 uH容

VCC

图标

90 %

VIM

T.U.T.

花花公子

IBON

10 %

-IBoff

如图3所示。测试电路电阻负载。 V

= -6至+ 8V

= 250 V ;吨

= 20

s; δ

= t

/ T = 0.01.

和R

从我计算

CON

我

BON

要求。

图6 。开关时间波形带感性负载。

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120

110

100

PD ％

归一化功率降额

VCESAT / V

2.0

1.6

IC=1A

1.2

0.8

0.4

TMB / C

100

120

140

0.0

0.01

0.10

IB / A

1.00

10.00

图7 。归一化的功率耗散。

PD ％ = 100PD / PD

25C

= F（T

)

图10 。集电极 - 发射极饱和电压。

实线=典型值，V

CESAT

= F （ⅠB ） ;牛逼

=25C.

的hFE

VBEsat / V

1.4

Tj=100C

1.3

25C

1.2

1.1

-40C

0.9

-40C

0.8

25C

Tj=100C

0.7

VCE=1V

0.6

0.01

0.05

0.1

0.3

IC / A

0.5

0.1

0.5

IC / A

图8 。典型的直流电流增益。

= F（我

)

参数V

图11 。基射极饱和电压。

实线=典型值，V

BESAT

= F（ IC）;在IC / IB = 4 。

的hFE

VCESAT / V

0.6

Tj=100C

0.5

Tj=100C

25C

0.4

-40C

0.3

0.2

25C

-40C

VCE=5V

0.1

0.01

0.05

0.1

0.3

IC / A

0.2

0.4

0.6

IC / A

图9 。典型的直流电流增益。

= F（我

)

参数V

图12 。集电极 - 发射极饱和电压。

实线=典型值，V

CESAT

= F（ IC）;在IC / IB = 4 。

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IC / A

第Z （ J- MB ）

（K / W）

0.5

0.2

0.1

-5V

10-1

0.02

0.05

单脉冲

10-2

10-4

10-3

-3V

-1V

10-2

10-1

TP （多个）

100

200

300

400

500

VCEclamp / V

600

700

800

图13 。瞬态热阻抗。

日J- MB

= F（T） ;参数

= t

图15 。反向偏压安全工作区（T

＆ LT ;吨

JMAX

)

为-V

= 5V ， 3V & 1V 。

VCC

VCL （ RBSOAR ）

IBON

探测点

T.U.T.

-VBB

图14 。测试电路的反向偏压安全工作

区。

钳

< 700V ; V

= 150V; -V

= 5V ， 3V & 1V ;

= 1μH ; L

= 200H.

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