飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅扩散型功率晶体管
BUJ103AU
概述
高压，高速的平面钝化npn型在SOT533信封用于功率开关晶体管
高频电子照明镇流器应用，变频器，逆变器，开关稳压器，电机使用
控制系统等。
快速参考数据
符号
V
CESM
V
CBO
V
首席执行官
I
C
I
CM
P
合计
V
CESAT
h
FEsat
t
f
参数
集电极 - 发射极电压峰值
集电极 - 基极电压（发射极开路）
集电极 - 发射极电压（开基）
集电极电流（ DC ）
集电极电流峰值
总功耗
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流增益
下降时间
条件
V
BE
= 0 V
典型值。
-
-
-
-
-
-
0.25
12.5
46
马克斯。
700
700
400
4
8
50
1.0
-
60
单位
V
V
V
A
A
W
V
ns
T
mb
≤
25 C
I
C
= 3.0 A;我
B
= 0.6 A
I
C
= 3.0 A; V
CE
= 5 V
I
C
= 2.5 A;我
B1
= 0.4 A
钉扎 - SOT533
针
1
2
3
TAB
BASE
集热器
辐射源
集热器
描述
引脚配置
符号
c
b
1
顶视图
2
3
MBK915
e
极限值
限制按照绝对最大额定值系统值（ IEC 134 ）
符号
V
CESM
V
首席执行官
V
CBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
参数
集电极到发射极电压
集电极到发射极电压（开基）
集电极基极电压（发射极开路）
集电极电流（ DC ）
集电极电流峰值
基极电流（DC）的
基极电流峰值
总功耗
储存温度
结温
条件
V
BE
= 0 V
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
-65
-
马克斯。
700
400
700
4
8
2
4
50
150
150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
C
C
T
mb
≤
25 C
热阻
符号
R
日J- MB
R
日J-一
参数
结到安装基座
结到环境
在自由空气
条件
典型值。
-
70
马克斯。
2.5
-
单位
K / W
K / W
1999年10月
1
启1.100
飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅扩散型功率晶体管
BUJ103AU
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
PD ％
归一化功率降额
VCESAT / V
2.0
1.6
IC=1A
1.2
2A
3A
4A
0.8
0.4
0
20
40
60
80
100
TMB / C
120
140
0.0
0.01
0.10
IB / A
1.00
10.00
图7 。归一化的功率耗散。
PD ％ = 100
PD / PD
25C
= F（T
mb
)
的hFE
50
图10 。集电极 - 发射极饱和电压。
实线=典型值， VCEsat晶体管= F （ IB ） ; TJ = 25°C
VBEsat / V
1.4
25C
30
100C
20
15
1.2
IC / IB = 4
-40C
10
1
25C
-40C
5
0.8
VCE = 1V
2
0.6
100C
0.2
0.3
0.5
1
IC / A
2
3
5
10
0.01
0.05
0.1
IC / A
0.5
1
2
3
5
10
0.1
图8 。典型的直流电流增益。
FE
= F（我
C
)
参数V
CE
的hFE
50
图11 。基射极饱和电压。
实线=典型值，V
BESAT
= F（集成电路） 。
VCESAT / V
0.8
25C
30
100C
20
15
0.6
-40C
IC / IB = 4
10
100C
0.4
5
25C
VCE = 5V
0.2
2
-40C
0
0.01
0.05
0.1
IC / A
0.5
1
2
3
5
10
0.5
IC / A
2
5
图9 。典型的直流电流增益。
FE
= F（我
C
)
参数V
CE
图12 。集电极 - 发射极饱和电压。
实线=典型值，V
CESAT
= F（集成电路） 。
1999年10月
4
启1.100
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