飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅扩散型功率晶体管
BUJ101AU
概述
高压,高速的平面钝化npn型在I -PAK / SOT533包络功率开关晶体管
用于在高频电子照明镇流器应用,变频器和逆变器等用途
快速参考数据
符号
V
CESM
V
CBO
V
首席执行官
I
C
I
CM
P
合计
V
CESAT
h
FE
t
fi
参数
集电极 - 发射极电压峰值
集电极 - 基极电压(发射极开路)
集电极 - 发射极电压(开基)
集电极电流( DC )
集电极电流峰值
总功耗
集电极 - 发射极饱和电压
下降时间(感性)
条件
V
BE
= 0 V
典型值。
-
-
-
-
-
-
0.32
11
50
马克斯。
700
700
400
1.5
3
50
1.0
14
70
单位
V
V
V
A
A
W
V
ns
T
mb
≤
25 C
I
C
= 1.0A ;我
B
= 200毫安
I
C
= 1.0A ; V
CE
= 5 V
I
C
= 1.0A ,我
BON
= 200毫安
钉扎 - SOT533
针
1
2
3
TAB
BASE
集热器
辐射源
集热器
描述
引脚配置
符号
c
b
1
顶视图
2
3
MBK915
e
极限值
限制按照绝对最大额定值系统值( IEC 134 )
符号
V
CESM
V
首席执行官
V
CBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
参数
集电极到发射极电压
集电极到发射极电压(开基)
集电极基极电压(发射极开路)
集电极电流( DC )
集电极电流峰值
基极电流(DC)的
基极电流峰值
总功耗
储存温度
结温
条件
V
BE
= 0 V
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
-65
-
马克斯。
700
400
700
1.5
3
0.75
1.5
50
150
150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
C
C
T
mb
≤
25 C
热阻
符号
R
日J- MB
R
日J-一
参数
结到安装基座
结到环境
在自由空气
条件
典型值。
-
70
马克斯。
2.5
-
单位
K / W
K / W
1999年9月
1
启1.000