添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线：13692101218  13751165337
Pdf资料  |  热门库存  |  IC详细资料  |  网站地图
IC供应 PDF资料 非IC供应
51电子网联系电话：13692101218
首页
供应信息
求购信息
非IC专区
技术资料
电子资讯
招聘中心
会展信息 51旺铺 会员中心
位置：首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第771页 > BUH50G
BUH50G
SWITCHMODEt NPN
硅平面功率
晶体管
该BUH50G有专用先进设备，先进的模具设计
在50瓦卤素灯电子变压器的使用和
开关模式的应用程序。
特点
http://onsemi.com
提高工作效率由于低基数的驱动要求：
高扁平直流电流增益
FE
快速开关
安森美半导体的六西格玛理念提供了紧密的和
Reproductible参数分布
指定的动态饱和度数据
全表征在125°C
这些器件是无铅和符合RoHS指令*
功率晶体管
4安培
800伏， 50瓦
最大额定值
等级
集电极 - 发射极耐受电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
连续
山顶（注1 ）
连续
山顶（注1 ）
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
CES
V
EBO
I
CM
I
B
I
BM
P
D
T
J
, T
英镑
I
C
价值
500
800
800
9
4
8
2
4
50
0.4
65
150
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
ADC
ADC
W
W / ℃，
_C
BUH50G
AY WW
符号
R
QJC
R
qJA
T
L
最大
2.5
62.5
260
单位
° C / W
° C / W
_C
BUH50
A
Y
WW
G
=器件代码
=大会地点
=年
=工作周
= Pb-Free包装
1
2
3
TO220AB
CASE 221A -09
风格1
标记图
器件总功耗@ T
C
= 25_C
减免上述25℃
工作和存储温度
热特性
特征
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
最大无铅焊接温度的
目的1/8“案件从5秒
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.脉冲测试：脉冲宽度= 5毫秒，占空比
≤
10%.
订购信息
设备
BUH50G
包
TO220
（无铅）
航运
50单位/铁
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2010
2010年4月
启5
1
出版订单号：
BUH50/D
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
开关特性：感性负载
(V
钳
= 300 V, V
CC
= 15 V ， L = 200
MH）
开关特性：阻性负载
（哥伦比亚特区
≤
10％时，脉冲宽度= 20
女士）
动态饱和电压
动态特性
基本特征
开关特性
直流电流增益
(I
C
= 2的ADC ，V
CE
= 5 V直流）
交叉时间
贮存时间
下降时间
交叉时间
贮存时间
下降时间
关断时间
开启时间
关断时间
开启时间
关断时间
开启时间
动态饱和
电压：
确定1
ms
和
3
ms
分别后，
我上升
B1
到达
90％的最终余
B1
输入电容（V
EB
= 8伏）
输出电容（V
CB
= 10 VDC ，我
E
= 0中，f = 1 MHz）的
电流增益带宽（我
C
= 0.5 ADC ，V
CE
= 10 VDC ， F = 1兆赫）
直流电流增益（I
C
= 1 ADC ，V
CE
= 5 V直流）
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 1 ADC ，我
B
= 0.33 ADC）
基射极饱和电压
(I
C
= 1 ADC ，我
B
= 0.33 ADC）
(I
C
= 2的ADC ，我
B
= 0.66 ADC） 25℃
(I
C
= 2的ADC ，我
B
= 0.66 ADC） 100℃
发射极截止电流（V
EB
= 9 VDC ，我
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
@ T
C
= 25°C
(V
CE
=额定V
CES
, V
EB
= 0) @ T
C
= 125°C
集电极截止电流（V
CE
=额定V
首席执行官
, I
B
= 0)
集电极 - 发射极耐受电压（I
C
= 100毫安， L = 25毫亨）
(I
C
= 3的ADC，我
B
= 1 ADC）
(I
C
= 2的ADC ，我
B
= 0.66 ADC）
I
C
= 1 ADC ，我
B1
= 0.3 ADC
I
B2
= 0.3 ADC
V
CC
= 125 VDC
I
C
= 2的ADC ，我
B1
= 0.4 ADC
I
B2
= 1 ADC
V
CC
= 125 VDC
I
C
= 2的ADC ，我
B1
= 0.4 ADC
I
B2
= 0.4 ADC
V
CC
= 125 VDC
特征
I
C
= 2 A
I
B1
= 0.66 A
V
CC
= 300 V
I
C
= 1 A
I
B1
= 0.33 A
V
CC
= 300 V
I
C
= 2 ADC
I
B1
= 0.66 ADC
I
B2
= 1 ADC
I
C
= 2 ADC
I
B1
= 0.4 ADC
I
B2
= 1 ADC
@ 3
ms
@ 1
ms
@ 3
ms
@ 1
ms
http://onsemi.com
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 25°C
BUH50G
2
V
CEO （ SUS ）
V
CE （ DSAT ）
符号
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
I
首席执行官
I
EBO
I
CES
C
ob
h
FE
C
ib
t
on
t
on
t
on
t
关闭
t
关闭
t
关闭
f
T
t
c
t
s
t
c
t
s
t
f
t
f
民
500
4
7
5
0.95
0.75
4
1.75
5
0.32
0.29
0.86
0.94
0.85
典型值
190
220
150
180
100
850
110
1.7
2.5
1.2
1.7
2.9
2.5
0.3
0.5
0.2
6
14
80
95
95
50
10
13
0.5
90
100
1200
100
1000
2.75
最大
150
300
150
200
250
250
100
100
100
2.5
3.5
3.5
0.5
1.2
1.6
1.5
0.6
0.7
2
1
350
MADC
MADC
MADC
兆赫
单位
VDC
VDC
VDC
pF
pF
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
ms
ms
ms
V
V
V
V
ms
BUH50G
典型静态特性
100
V
CE
= 1 V
的hFE ， DC电流增益
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
10
T
J
= - 40°C
的hFE ， DC电流增益
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
10
T
J
= - 40°C
100
V
CE
= 5 V
1
0.01
0.1
1
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
10
1
0.01
0.1
1
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
10
图1.直流电流增益@ 1伏特
图2.直流电流增益@ 5伏
10
T
J
= 25°C
VCE电压（伏）
VCE电压（伏）
10
I
C
/I
B
= 3
4A
3A
1
2A
1A
I
C
= 500毫安
0.1
0.01
0.1
1
I
B
，基极电流（毫安）
10
1
T
J
= - 40°C
0.1
T
J
= 25°C
0.01
0.01
0.1
1
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
10
T
J
= 125°C
图3.集电极饱和区
图4.集电极 - 发射极饱和电压
10
I
C
/I
B
= 5
VCE电压（伏）
T
J
= - 40°C
VBE ，电压（V ）
10
I
C
/I
B
= 3
1
1
T
J
= 125°C
0.1
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
0.01
0.01
T
J
= - 40°C
T
J
= 25°C
0.1
1
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
10
0.1
0.01
0.1
1
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
10
图5.集电极 - 发射极饱和电压
图6.基射极饱和区
http://onsemi.com
3
BUH50G
典型静态特性
10
I
C
/I
B
= 5
VBE ，电压（V ）
1000
C
ib
（PF ）
10000
T
J
= 25°C
f
（测试）
= 1兆赫
1
T
J
= 125°C
T
J
= - 40°C
T
J
= 25°C
C，电容（pF ）
100
C
ob
（PF ）
10
0.1
0.01
0.1
1
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
10
1
1
10
V
R
，反向电压（伏）
100
图7.基射极饱和区
图8.电容
典型的开关特性
3000
2500
2000
T， TIME （ NS ）
I
C
/I
B
= 5
1500
1000
1000
500
I
C
/I
B
= 3
0
1
2
3
4
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
5
0
1
I
C
/I
B
= 5
2
3
4
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
5
T， TIME （ NS ）
2000
I
C
/I
B
= 3
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
I
B关
= I
C
/2
V
CC
= 125 V
PW = 20
ms
4000
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
3000
I
B关
= I
C
/2
V
CC
= 125 V
PW = 20
ms
图9.电阻开关，T
on
4000
I
B关
= I
C
/2
V
CC
= 15 V
V
Z
= 300 V
L
C
= 200
mH
T， TIME （ NS ）
300
图10.电阻开关时间，t
关闭
3000
T， TIME （ NS ）
I
C
/I
B
= 3
I
B关
= I
C
/2
V
CC
= 15 V
V
Z
= 300 V
L
C
= 200
mH
200
t
c
2000
100
1000
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
0
1
t
fi
I
C
/I
B
= 5
4
0
1
2
3
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
4
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
2
3
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
图11.电感的存储时间，t
si
图12.电感的存储时间，
t
c
＆放大器;牛逼
fi
@ I
C
/I
B
= 3
http://onsemi.com
4
BUH50G
典型特征
250
t
c
200
TSI ，存储时间（
μs)
3000
I
C
= 1 A
2000
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
4000
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
I
B关
= I
C
/2
V
CC
= 15 V
V
Z
= 300 V
L
C
= 200
mH
T， TIME （ NS ）
150
100
I
B关
= I
C
/2
V
CC
= 15 V
V
Z
= 300 V
L
C
= 200
mH
1
1000
I
C
= 2 A
0
50
0
t
fi
2
3
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
4
3
4
5
7
6
h
FE
，强制GAIN
8
9
10
图13.感应开关，T
c
＆放大器;牛逼
fi
@ I
C
/I
B
= 5
图14.电感的存储时间
150
140
130
科幻吨，下降时间（ NS ）
120
110
100
90
80
70
60
50
2
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
4
6
h
FE
，强制GAIN
I
C
= 2 A
I
C
= 1 A
I
B关
= I
C
/2
V
CC
= 15 V
V
Z
= 300 V
L
C
= 200
mH
350
I
B关
= I
C
/2
V
CC
= 15 V
V
Z
= 300 V
L
C
= 200
mH
T C ，交叉时间（纳秒）
250
I
C
= 1 A
150
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
50
I
C
= 2 A
8
10
3
5
7
h
FE
，强制GAIN
9
11
图15.电感下降时间
图16.感应交叉时间
1
第二击穿
降额
功率降额因子
0.8
0.6
热降额
0.4
0.2
0
20
40
60
80
100
120
T
C
，外壳温度（ ° C）
140
160
图17.正向功率降额
http://onsemi.com
5
查看更多BUH50GPDF信息
推荐型号
BR604
B1515LD-1W
B37831R9102M021
B41692A5158Q009
B41821A2478M000
BUL52BFI
BQ24296
B65819J0160J041
BC817-40W-7
B82462A4152M000
B34063AP
BU49XXF
BL8505-504RN
BD8303MUV-E2
BUB931T
BL-B31V1J
BF420S
BFP182T
BR24S64FVJ-WE2
B43505A9337M060
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    BUH50G
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市恒佳微电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1807086236 复制 点击这里给我发消息 QQ：2322757237 复制

电话：0755-82533156 82710336
联系人：朱经理、张小姐
地址：深圳市福田区华强北上步工业区501栋11楼1109-1110室
BUH50G
ON/安森美
22+
12000
TO-220-8
原装现货超低价，可拆包
深圳市金亿泰电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：247773782 复制

电话：755-83252273
联系人：郑
地址：中航路新亚洲二期N3D039
BUH50G
PTIF
23+
16800
绝对全新原装/自己库存现货
深圳市金嘉锐电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2581021098 复制

电话：0755-22929859
联系人：朱先生
地址：深圳福田区振兴路华康大厦211
BUH50G
ON
2025+
26820
TO-220-3
【原装优势★★★绝对有货】
深圳市源丰诚电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1965785011 复制

电话：0755-23919407
联系人：朱先生
地址：深圳市福田区振兴路华康大厦二栋5楼518
BUH50G
ON
17+
4550
进口全新原装现货
深圳市芯泽盛世科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881147140 复制

电话：0755-89697985
联系人：李
地址：深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
BUH50G
onsemi
24+
10000
TO-220
原厂一级代理，原装现货
深圳市创芯联盈电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881793588 复制

电话：0755-88291559
联系人：陈泽强
地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
BUH50G
ON/安森美
2443+
23000
TO-220
一级代理专营，原装现货，价格优势
深圳市诺洋电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881501653 复制

电话：0755-83223003
联系人：朱
地址：福田区红荔路上步工业区201栋西座316
BUH50G
ONS
24+
8420
TO-220AB
全新原装现货，原厂代理。
深圳市华斯顿电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1002316308 复制 点击这里给我发消息 QQ：515102657 复制
电话：0755-83777708/83777607/82799993
联系人：朱咸华
地址：美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
BUH50G
ON
25+23+
13500
绝对原装正品现货/优势渠道商、原盘原包原盒
深圳市金芯阳科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1316406779 复制
电话：075584505750
联系人：刘生
地址：龙岗区横岗街道华侨新村社区荣德时代广场A2301
BUH50G
原厂
22+
18260
SMD
原装代理现货，价格最优
深圳市裕硕科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1454677900 复制 点击这里给我发消息 QQ：1909637520 复制
电话：0755-23613962/82706142
联系人：雷小姐
地址：深圳市福田区华强北街道华红社区红荔路3002号交行大厦一单元711
BUH50G
ONS
2024+
9675
TO-220AB
优势现货，全新原装进口
查询更多BUH50G供应信息
深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功！