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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
BUH315D
描述
高
开关速度
高
电压
.Built式
集成二极管
应用
·设计
对于电视在水平偏转电路中使用
和显示器。
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
B
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
集电极电流峰值
基极电流
基极电流峰值
集电极耗散功率
@T
C
=25℃
结温
储存温度
价值
1500
700
10
6
12
3
5
44
150
-65~150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
℃
℃
I
BM
P
C
T
J
T
英镑
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻，结到外壳
最大
2.8
单位
℃/W
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
民
BUH315D
典型值
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极电压维持
I
C
= 100毫安，我
B
= 0， L = 25mH
700
V
V
CE
（SAT）
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 3A ;我
B
= 1A
B
1.5
V
V
BE
（SAT）
基射极饱和电压
I
C
= 3A ;我
B
= 1A
B
1.5
V
I
EBO
发射Cuto FF电流
V
EB
= 5V ;我
C
=0
300
mA
I
CES
收藏家Cuto FF电流
V
CE
= 1500V;V
BE
= 0
I
C
= 3A ; V
CE
= 5V
I
C
= 3A ; V
CE
= 5V ;吨
C
=100℃
I
F
= 3A
4
2.5
0.2
9
mA
h
FE
直流电流增益
V
ECF
C- ê二极管正向电压
2.5
V
开关时间;阻性负载
t
s
贮存时间
I
C
= 3A ，我
B1
= 1A ;我
B2
= -1.5A
V
CC
= 400V
1.8
2.7
μs
t
f
下降时间
0.2
0.3
μs
ISC的网站： www.iscsemi.cn
BUH315D
高压快速切换
NPN功率晶体管
s
s
s
s
意法半导体的优选
SALESTYPE
高电压能力
U.L.认可ISOWATT218包装
（ U.L.文件＃ E81734 （ N） ）
具有集成NPN晶体管
续流二极管。
3
2
1
应用
s
水平偏转彩色
TV
描述
该
BUH315D
is
使用制造
Multiepitaxial梅萨技术，具有成本效益
高性能，采用了空心发射
结构，提高开关速度。
该BUH系列是专为在横向使用
在电视和显示器的偏转电路。
ISOWATT218
内部原理图
绝对最大额定值
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
吨OT
T
英镑
T
j
参数
集电极 - 基极电压（I
E
= 0)
集电极 - 发射极电压（I
B
= 0)
发射极 - 基极电压（I
C
= 0)
集电极电流
集电极电流峰值（T
p
＆ LT ; 5毫秒）
基极电流
基峰电流（T
p
＆ LT ; 5毫秒）
总功耗在T
c
= 25 C
圣ORAGE温度
马克斯。工作结温
o
价值
1500
700
10
6
12
3
5
44
-65到150
150
UNI吨
V
V
V
A
A
A
A
W
o
o
C
C
1/7
1999年12月
BUH315D
热数据
R
吨HJ -CA SE
热阻结案件
最大
2.8
o
C / W
电气特性
(T
例
= 25
o
C除非另有说明）
SYMB OL
I
CES
I
EBO
V
CE （SAT）
V
BE （S AT）
h
F ê
参数
集电极截止
电流（V
BE
= 0)
发射极截止电流
(I
C
= 0)
集电极 - 发射极
饱和电压
BASE- ER Emitt
饱和电压
直流电流增益
电阻式LO AD
贮存时间
下降时间
电感LO AD
贮存时间
下降时间
测试电导率银行足球比赛s
V
CE
= 1500 V
V
EB
= 5 V
I
C
= 3 A
I
C
= 3 A
I
C
= 3 A
I
C
= 3 A
I
B
= 1 A
I
B
= 1 A
V
CE
= 5 V
V
CE
= 5 V
4
2.5
1.8
200
2.7
350
分钟。
典型值。
马克斯。
200
300
1.5
1.5
9
取消它
A
mA
V
V
T
j
= 100 C
o
t
s
t
f
t
s
t
f
V
CC
= 400 V
I
B1
= 1 A
I
C
= 3 A
I
B1
= 1 A
I
C
= 3 A
I
B2
= -1.5 A
2.7
300
s
ns
s
ns
F = 15625赫兹
I
B2
= 1.5 A
π
V
eflybac
= 1050的罪
10
6
t
5
V
V
F
二极管F orward电压I
F
= 3 A
2.5
V
脉冲：脉冲宽度= 300
s,
占空比1.5 ％
安全工作区
热阻抗
2/7
BUH315D
降额曲线
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基极发射极饱和电压
功率损耗16千赫
开关时间感性负载在16KHz的
（参见图2）
3/7
BUH315D
开关时间阻性负载在16千赫
基极驱动信息
以饱和的电源开关，并减少
导通损耗，足够直接的基极电流
I
B1
已被设置为最低增益
FE
at
100
o
C（行扫描相位） 。另一方面，
负基极电流I
B2
必须提供给
关闭电源晶体管（回扫期） 。
大部分的耗散，在偏转
应用程序时，发生在关断。因此，它是
对于确定的I值
B2
哪
最大限度地减少功率损耗，下降时间t
f
而且，
因此，T
j
。一组新的曲线一直
定义的，得到的总功率损耗，叔
s
和T
f
作为
我的功能
B2
在16KHz的扫描频率
最佳的负驱动。该测试电路是
在图所示。 1 。
电感L
1
用于控制的斜率
负基极电流I
B2
重新组合
在集电极过量载体时的基极电流
仍然存在，这将避免任何拖尾
现象中的集电极电流。
L和C的值是从所计算的
下面的等式：
1
1
L
(
I
C
)
2
=
C
(
V
CEfly
)
2
2
2
1
ω =
2
π
f
=
L
√
C
在那里我
C
=工作集电极电流，V
CEfly
=
反激电压， F =振荡期间频率
追溯。
4/7
BUH315D
图1：
感应负载开关测试电路。
图2：
开关波形在一个偏转电路
5/7
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