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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
BUH313D
描述
高
开关速度
高
电压
.Built式
集成二极管
应用
·水平
在标准和高分辨率偏转级
显示用于电视和监视器。
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
B
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
集电极电流峰值
基极电流
基极电流峰值
集电极耗散功率
@T
C
=25℃
结温
储存温度
价值
1300
600
10
5
8
3
5
50
150
-65~150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
℃
℃
I
BM
P
C
T
J
T
英镑
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻，结到外壳
最大
2.5
单位
℃/W
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
民
BUH313D
典型值
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极电压维持
I
C
= 100毫安，我
B
= 0， L = 25mH
600
V
V
CE
（SAT）
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 3A ;我
B
= 0.75A
B
1.5
V
V
BE
（SAT）
基射极饱和电压
I
C
= 3A ;我
B
= 0.75A
B
1.3
V
I
EBO
发射Cuto FF电流
V
EB
= 5V ;我
C
=0
V
CE
= 1300V;V
BE
= 0
V
CE
= 1300V;V
BE
= 0;T
C
=125℃
I
C
= 3A ; V
CE
= 5V
I
C
= 3A ; V
CE
= 5V ;吨
C
=100℃
I
F
= 3A
5
3
300
1.0
2.0
mA
I
CES
收藏家Cuto FF电流
mA
h
FE
直流电流增益
V
ECF
C- ê二极管正向电压
2.5
V
开关时间;阻性负载
t
s
贮存时间
I
C
= 3A ，我
B1
= 1A ;我
B2
= 1.5A
V
CC
= 400V
1.8
2.7
μs
t
f
下降时间
0.2
0.3
μs
ISC的网站： www.iscsemi.cn
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B43504D2687M080
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供货商
型号
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批号
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封装
单价/备注
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