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BUF653

硅NPN高电压开关晶体管

特点

D

D

D

D

D

D

D

D

D

简单的关断晶体管

（ SWOT ）

HIGH SPEED技术

平面钝化

100 kHz的开关频率

非常低开关损耗

非常低的动态饱和

非常低的工作温度

优化RBSOA

高反向电压

14283

应用

电子镇流器电路

开关模式电源

绝对最大额定值

T

例

= 25℃ ，除非另有说明

参数

集电极 - 发射极电压

g

测试条件

符号

V

首席执行官

V

CEW

V

CES

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

I

BM

P

合计

T

j

T

英镑

价值

400

500

700

11

11

16.5

5.5

8

70

150

-65到+150

单位

V

V

V

V

A

A

A

A

W

°

C

°

C

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

基极电流

基峰电流

总功耗

结温

存储温度范围

T

例

≤

25

°

C

最大热阻

T

例

= 25℃ ，除非另有说明

参数

结案件

测试条件

符号

R

thJC

价值

1.78

单位

K / W

得力风根半导体

牧师A3 ， 18月， 97

1 (8)

BUF653

电气特性

T

例

= 25℃ ，除非另有说明

参数

集电极截止电流

集电极 - 发射极击穿

电压（图1）

发射极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极饱和

电压

基射极饱和电压

g

直流正向电流传输比

测试条件

V

CE

= 700 V

V

CE

= 700 V ;牛逼

例

= 150

°

C

I

C

= 300毫安; L = 125 mH的;

I

措施

= 100毫安

I

E

= 1毫安

I

C

= 1.8 A;我

B

= 0.5 A

I

C

= 5.5 A;我

B

= 1.8 A

I

C

= 1.8 A;我

B

= 0.5 A

I

C

= 5.5 A;我

B

= 1.8 A

V

CE

= 2 V ;我

C

= 10毫安

V

CE

= 2 V ;我

C

= 1.8 A

V

CE

= 2 V ;我

C

= 5.5 A

V

CE

= 5 V ;我

C

= 11 A

V

S

= 50 V ; L = 1 mH的;我

C

= 11 A;

I

B1

= 3.7 A; -I

B2

= 1.1 A;

–V

BB

= 5 V

I

C

= 5.5 A;我

B

= 1.1 ; T = 1

m

s

I

C

= 5.5 A;我

B

= 1.1 ; T = 3

m

s

I

C

= 500毫安; V

CE

= 10 V;

F = 1 MHz的

符号

I

CES

I

CES

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） EBO

V

CESAT

V

CESAT

V

BESAT

V

BESAT

h

FE

h

FE

h

FE

h

FE

V

CEW

民

典型值

最大

50

0.5

单位

m

A

mA

V

V

V

V

V

V

400

11

0.2

0.4

0.9

1.1

25

25

10

4

0.3

0.6

1.1

1.2

15

15

6

500

集电极 - 发射极电压工作

V

动态饱和电压

y

g

增益带宽积

V

CEsatdyn

V

CEsatdyn

f

T

8

2

4

13

3

V

V

兆赫

2 (8)

得力风根半导体

牧师A3 ， 18月， 97

BUF653

开关特性

T

例

= 25℃ ，除非另有说明

参数

测试条件

电阻性负载（图2）

启动时间

I

C

= 1.8 A;我

B1

= 0.5 A; -I

B2

= 0.9 A;

;

;

;

V

S

= 250 V

贮存时间

下降时间

启动时间

I

C

= 5.5 A;我

B1

= 1.1 ; -I

B2

= 2.8 A;

;

;

;

V

S

= 250 V

贮存时间

下降时间

感性负载（图3）

贮存时间

I

C

= 1.8 A;我

B1

= 0.5 A; -I

B2

= 0.9 A;

;

;

;

V

钳

= 300 V ; L = 200

m

H

下降时间

贮存时间

下降时间

I

C

= 5.5 A;我

B1

= 1.1 ; -I

B2

= 2.8 A;

;

;

;

V

钳

= 300 V ; L = 200

m

H

符号

t

on

t

s

t

f

t

on

t

s

t

f

t

s

t

f

t

s

t

f

民

典型值

0.15

2.9

0.3

0.5

1.3

0.1

3

0.1

1.4

0.06

最大

0.25

3.6

0.4

0.7

1.7

0.15

3.8

0.2

1.8

0.1

单位

m

s

m

s

m

s

m

s

m

s

m

s

m

s

m

s

m

s

m

s

94 8863

V

S2

+

10 V

I

B

I

C

w

I5

I

措施

I

C

C

V

S1

+

0至30 V

V

（ BR ） CEO

t

p

T

t

p

3脉冲

+

L

C

V

CE

V

（ BR ） CEO

+

0.1

+

10毫秒

I

（ BR ）R

100 m

W

图1.测试电路V

(BR)CE0

得力风根半导体

牧师A3 ， 18月， 97

3 (8)

BUF653

94 8852

I

B

I

B1

0

t

R

C

–I

B2

I

C

(1)

I

B1

R

B

V

BB

+

V

CE

I

B

V

CC

I

C

0.9 I

C

0.1 I

C

t

r

t

d

t

on

t

t

s

t

关闭

t

f

（ 1 ）快速的电子开关

对于开关特性图2.测试电路 - 阻性负载

94 8853

I

B

I

B1

L

C

0

–I

B2

I

C

(2)

(1)

I

B1

R

B

V

BB

I

B

V

CE

V

钳

I

C

V

CC

0.9 I

C

t

+

（ 1 ）快速的电子开关

（ 2 ）快恢复整流

0.1 I

C

t

t

s

t

r

对于开关特性图3.测试电路 - 感性负载

4 (8)

得力风根半导体

牧师A3 ， 18月， 97

BUF653

典型特征

(T

例

= 25

_

C除非另有说明）

12

11

10

9

8

7

6

5

4

3

2

1

0

0

13676

100.00

P

合计

- 总功耗（ W）

1.78K/W

10.00

12.5K/W

I

C

- 集电极电流（ A）

0.1 ×1

C

＆ LT ;我

B2

< 0.5 ×1

C

V

CESAT

＆ LT ; 2 V

1.00

25K/W

50K/W

0.10

R

thJA

=85K/W

0.01

100

200

300

400

500

600

13677

0

25

50

75

100

125

150

V

CE

- 集电极发射极电压（V ）

T

例

- 外壳温度（

°C

)

图4. V

CEW

- 图

10

9

I

C

- 集电极电流（ A）

8

7

6

5

4

3

2

1

0

0

13678

图7： P

合计

与T

例

V

CESAT

- 集电极发射极饱和电压（ V）

10.00

I

C

=1A

2A

4A

6A

8A

1A

0.8A

0.6A

0.4A

0.2A

I

B

=0.1A

1.00

0.10

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

0.01

0.01

0.10

1.00

10.00

V

CE

- 集电极发射极电压（V ）

13679

I

B

- 基本电流（ A）

图5.我

C

与V

CE

100

100

图8. V

CESAT

与我

B

h

FE

- 正向直流电流传输比

h

FE

- 正向直流电流传输比

T

j

= 125°C

75°C

10

25°C

10

10V

5V

V

CE

=2V

1

0.01

0.10

1.00

10.00

100.00

V

CE

=2V

1

0.01

0.10

1.00

10.00

100.00

13680

I

C

- 集电极电流（ A）

13681

I

C

- 集电极电流（ A）

图6.

FE

与我

C

图9. ^ h

FE

与我

C

得力风根半导体

牧师A3 ， 18月， 97

5 (8)

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