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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
BUF405AFI
描述
高
电压
高
高速开关
应用
·设计
对于高可靠性的工业和专业
电力驱动的应用，如电机驱动器和
离线式开关电源。
绝对最大额定值（T
a
=25
℃
)
符号
V
CEV
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
B
参数
集电极 - 发射极电压V
BE
= -1.5V
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
集电极电流峰值
基极电流连续
基极电流峰值
集电极耗散功率
@T
C
=25℃
结温
存储温度范围
价值
1000
450
7
7.5
15
3
4.5
40
150
-65~150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
℃
℃
I
BM
P
C
T
j
T
英镑
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻，结到外壳
最大
3.2
单位
℃/W
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
V
CEO （ SUS ）
V
（ BR ） EBO
V
CE（
SAT
)-1
V
CE（
SAT
)-2
V
BE （
SAT
)-1
V
BE （
SAT
)-2
I
CER
I
CEV
I
EBO
参数
集电极 - 发射极电压维持
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极饱和电压
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
条件
I
C
= 0.2A ;我
B
= 0; L = 25mH
I
E
= 50毫安;我
C
= 0
I
C
= 2.5A ;我
B
= 0.25A
I
C
= 5A ;我
B
= 1A
B
BUF405AFI
民
450
7
典型值。
最大
单位
V
V
0.8
0.5
0.9
1.1
0.1
0.5
0.1
0.5
1.0
V
V
V
V
mA
mA
mA
I
C
= 2.5A ;我
B
= 0.25A
I
C
= 5A ;我
B
= 1A
B
V
CE
= V
CEV
; R
BE
= 5Ω
V
CE
= V
CEV
; R
BE
= 5Ω;T
C
=100℃
V
CE
= V
CEV
; V
BE
= -1.5V
V
CE
= V
CEV
; V
BE
= -1.5V ;吨
C
=100℃
V
EB
= 5V ;我
C
= 0
开关时间
t
s
t
f
贮存时间
下降时间
0.8
0.05
μs
μs
I
C
= 2.5A ;我
B1
= 0.25A ; V
CC
= 50V;
V
BB
= -5V ，R
BB
= 2.4Ω ，L = 1MH
V
钳
= 400V
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型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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