a
特点
带宽 - 110 MHz的
转换速率 - 3000 V / S
低失调电压 - <1毫伏
非常低的噪声 - < 4内华达州/ √Hz的
低电源电流 - 8.5毫安复用器
宽电源范围 - 5 V至15 V
驱动容性负载
引脚兼容BUF03
应用
仪表缓冲区
RF缓冲器
线路驱动器
高速电流源
运算放大器的输出电流助推器
高性能音频
高速AD / DA
概述
8引脚窄体SO
（S后缀）
1
闭环
高速缓存
BUF04*
功能方框图
塑料DIP
8引脚和CERDIP
（P ，Z后缀）
空1
8
7
6
5
NC =无连接
零
V+
OUT
NC
BUF04
BUF04
顶视图
NC
2
IN 3
V– 4
该BUF04是结合了宽带，闭环缓冲器
艺术的动态性能和出色的直流状态
性能。这种组合使设计者能够最大限度地
没有任何速度与准确度直流系统的性能
妥协。
建立在高速互补双极性（ CB）工艺
更好的动力性能比， BUF04功耗小于
8.5毫安经营
±5
V或
±15
V电源。随着2000 V / μs的
分压摆率和100 MHz的增益带宽积，该
BUF04非常适合高速应用中的使用
低功耗是关键的。
满
±
10 V输出摆幅在扩展级温度范围
伴随着卓越的AC性能和高的环路增益
精度使得设备在高速数据采集有用
系统。
高转换率和极低的噪声和THD ，再加上宽
输入和输出的动态范围，使BUF04极好
选择视频和高性能的音频电路。
该BUF04的驱动容性负载超过固有能力
宽电压和温度范围使得它非常有用
为各种各样的在军事应用，工业和
商业设备。
该BUF04规定工作在扩展工业级（-40° C至
+ 85 ° C）和军用（ -55 ° C至+ 125 ° C）温度范围。
BUF04s是塑料和陶瓷DIP和SO -8可
表面贴装封装。
请联系您当地的销售办事处为MIL -STD- 883数据表和
可用性。
*专利申请中。
第0版
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其
使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯
这可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或
否则，在ADI公司的任何专利或专利权。
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
联系电话： 617 / 329-4700
传真： 617 / 326-8703
BUF04–SPECIFICATIONS
电气特性
(@ V =
S
15.0 V，T
A
= +25 C除非另有说明）
民
典型值
最大
单位
参数
符号
条件
输入特性
失调电压
输入偏置电流
输入电压范围
失调电压漂移
偏移空范围
输出特性
输出电压摆幅
V
OS
I
B
V
CM
V
OS
/T
–40°C
≤
T
A
≤
+85°C
V
CM
= 0
–40°C
≤
T
A
≤
+85°C
0.3
1.3
0.7
2.2
±
13
30
±
25
±
10.5
±
10
±
13
±
13
±
50
±
11.1
±
11
±
13.5
±
13.15
±
65
±
80
1
4
5
10
mV
mV
A
A
V
μV/°C
mV
V
V
V
V
mA
mA
V/V
V/V
%
%
dB
dB
mA
mA
V / μs的
兆赫
兆赫
兆赫
ns
度
度
%
%
pF
纳伏/赫兹÷
PA / ÷赫兹
V
O
R
L
= 150
,
–40°C
≤
T
A
≤
+85°C
R
L
= 2 k,
–40°C
≤
T
A
≤
+85°C
注2
R
L
= 2 k
–40°C
≤
T
A
≤
+85°C
R
L
= 1千欧，V
O
=
±
10 V
R
L
= 150 k
V
S
=
±
4.5 V至
±
18 V
–40°C
≤
T
A
≤
+85°C
V
O
= 0 V ，R
L
=
∞
–40°C
≤
T
A
≤
+85°C
R
L
= 2 kΩ的，C
L
= 70 pF的
-3分贝，C
L
= 20 pF的，R
L
=
∞
-3分贝，C
L
= 20 pF的，R
L
= 1 k
-3分贝，C
L
= 20 pF的，R
L
= 150
V
IN
=
±10
V步至0.1％
F = 3.58 MHz时，R
L
= 150
F = 4.43兆赫，R
L
= 150
F = 3.58 MHz时，R
L
= 150
F = 4.43兆赫，R
L
= 150
输出电流 - 连续
峰值输出电流
传输特性
收益
增益线性度
电源
电源抑制比
电源电流
动态性能
压摆率
带宽
带宽
带宽
建立时间
微分相位
微分增益
输入电容
噪声性能
电压噪声密度
电流噪声密度
I
OUT
I
OUTP
A
VCL
NL
0.995
0.995
0.9985 1.005
0.9980 1.005
0.005
0.008
93
93
6.9
6.9
3000
110
110
110
60
0.02
0.03
0.014
0.008
3
4
2
PSRR
I
SY
76
76
8.5
8.5
SR
BW
BW
BW
2000
e
n
i
n
F = 1千赫
F = 1千赫
记
1
长期偏移电压是通过在125在三个独立的批次进行1000小时的寿命试验保证
°C
随着1.3的LTPD 。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
–2–
第0版
BUF04
电气特性
(@ V =
S
5.0 V ，T
A
= +25 C除非另有说明）
民
典型值
最大
单位
参数
符号
条件
输入特性
失调电压
输入偏置电流
输入电压范围
失调电压漂移
偏移空范围
输出特性
输出电压摆幅
V
OS
I
B
V
CM
V
OS
/T
–40°C
≤
T
A
≤
+85°C
V
CM
= 0 V
–40°C
≤
T
A
≤
+85°C
0.8
1.0
0.15
1.6
±
3.0
30
±
25
±
3.0
±
2.75
±
3.0
±
3.0
±
40
2.0
4
5
10
mV
mV
A
A
V
μV/°C
mV
V
V
V
V
mA
mA
V/V
V/V
%
dB
dB
mA
mA
V / μs的
兆赫
兆赫
兆赫
度
度
%
%
纳伏/赫兹÷
PA / ÷赫兹
V
O
R
L
= 150
,
–40°C
≤
T
A
≤
+85°C
R
L
= 2 k,
–40°C
≤
T
A
≤
+85°C
注2
R
L
= 2 k,
–40°C
≤
T
A
≤
+85°C
R
L
= 1 k
V
S
=
±
4.5 V至
±
18 V
–40°C
≤
T
A
≤
+85°C
V
O
= 0 V ，R
L
=
∞
–40°C
≤
T
A
≤
+85°C
R
L
= 2 kΩ的，C
L
= 70 pF的
-3分贝，C
L
= 20 pF的，R
L
=
∞
-3分贝，C
L
= 20 pF的，R
L
= 1 k
-3分贝，C
L
= 20 pF的，R
L
= 150
F = 3.58 MHz时，R
L
= 150
F = 4.43兆赫，R
L
= 150
F = 3.58 MHz时，R
L
= 150
F = 4.43兆赫，R
L
= 150
F = 1千赫
F = 1千赫
±
3.00
±
3.6
±
3.35
±
75
0.9977 1.005
1.005
0.005
93
93
6.60
6.70
2000
100
100
100
0.13
0.15
0.04
0.06
4
2
输出电流 - 连续
峰值输出电流
传输特性
收益
增益线性度
电源
电源抑制比
电源电流
动态性能
压摆率
带宽
带宽
带宽
微分相位
微分增益
噪声性能
电压噪声密度
电流噪声密度
I
OUT
I
OUTP
A
VCL
NL
PSRR
I
SY
0.995
0.995
76
76
8
8
SR
BW
BW
BW
e
n
i
n
记
1
长期偏移电压是通过在125在三个独立的批次进行1000小时的寿命试验保证
°C,
随着1.3的LTPD 。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
第0版
–3–
BUF04
晶圆测试极限
(@ V =
S
15.0 V，T
A
= +25 C除非另有说明）
符号
条件
极限
单位
参数
失调电压
输入偏置电流
电源抑制比
输出电压范围
电源电流
收益
V
OS
V
OS
I
B
PSRR
V
O
I
SY
A
VCL
V
S
=
±
15 V
V
S
=
±
5 V
V
CM
= 0 V
V =
±
4.5 V至
±
18 V
R
L
= 150
V
O
= 0 V ，R
L
= 2 k
V
O
=
±
10 V ，R
L
= 2 k
1
2
5
76
±
10.5
8.5
1
±
0.005
毫伏最大
毫伏最大
A
最大
dB
V分钟
最大mA
V/V
记
电气测试和晶片探测到如图所示的范围。由于变化的装配方法和正常的产量损失，包装后的产量不保证标准
产品骰子。咨询工厂的基础上，通过大量样本的组装和测试骰子很多资格洽谈规格。
绝对最大额定值
1
DICE特性
电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
18 V
输入电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
18 V
最大功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。见图16
存储温度范围
包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C到+ 175℃
P，S包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
工作温度范围
BUF04Z 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至+ 125°C
BUF04S ，P 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 85°C
结温范围
包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
P，S包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
铅温度范围（焊接60秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 + 300℃
套餐类型
θ
JA2
θ
JC
单位
8引脚CERDIP （ Z）
8引脚塑料DIP （ P）
8引脚SOIC （ S）
148
103
158
16
43
43
° C / W
° C / W
° C / W
BUF04模具尺寸0.075 X 0.064英寸， 5,280平方米。密尔
基板（模具背面）连接到V +
晶体管数量45 。
笔记
1
绝对最大额定值适用于DICE和包装件，除非
另有说明。
2
θ
JA
被指定为最坏的情况，即，
θ
JA
被指定为设备在插座
对于陶瓷浸渍， P- DIP和LCC封装;
θ
JA
被指定为设备焊接在电路
板SOIC封装。
订购指南
温度
范围
包
描述
包
选项
模型
BUF04AZ/883
BUF04GP
BUF04GS
BUF04GBC
-55 ° C至+ 125°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
+25°C
CERDIP
塑料DIP
SO
骰子
Q-8
N-8
SO-8
骰子
–4–
第0版
QQ：2880707522 复制
