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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第434页 > BUD700D
BUD700D
威世德律风根
硅NPN高电压开关晶体管
特点
D
D
D
D
D
单片集成C- E-续流二极管
简单的关断晶体管
( SWOT )
HIGH SPEED技术
平面钝化
100 kHz的开关频率
D
D
D
D
D
非常低开关损耗
非常低的动态饱和
非常低的工作温度
优化RBSOA
高反向电压
应用
电子镇流器电路
2
94 8965
1
1
94 8964
3
2
3
BUD700D
1基地2集电极发射3
BUD700D -SMD
1基地2集电极发射3
绝对最大额定值
T
= 25℃ ,除非另有说明
参数
集电极 - 发射极电压
g
测试条件
符号
V
首席执行官
V
CEW
V
CES
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
T
j
T
英镑
价值
400
500
700
11
2
3
0.75
1
20
150
-65到+150
单位
V
V
V
V
A
A
A
A
W
°
C
°
C
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
基峰电流
总功耗
结温
存储温度范围
T
50
°
C
文档编号86505
第1版, 20 -JAN- 99
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
1 (8)
BUD700D
威世德律风根
最大热阻
T
= 25℃ ,除非另有说明
参数
结案件
测试条件
符号
R
thJC
价值
5
单位
K / W
电气特性
T
= 25℃ ,除非另有说明
参数
晶体管
集电极截止电流
测试条件
符号
I
CES
I
CES
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
V
CESAT
V
BESAT
h
FE
h
FE
h
FE
V
CEW
V
CEsatdyn
V
CEsatdyn
f
T
400
11
0.1
0.9
10
10
4
500
0.2
1
典型值
最大
50
0.5
单位
V
CE
= 700 V
V
CE
= 700 V ;牛逼
= 150
°
C
集电极 - 发射极击穿
I
C
= 300毫安; L = 125 mH的;
电压(图1)
I
措施
= 100毫安
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 1毫安
集电极 - 发射极饱和电压I
C
= 0.3 A;我
B
= 0.1 A
基射极饱和电压
I
C
= 0.3 A;我
B
= 0.1 A
直流正向电流传输比
V
CE
= 2 V ;我
C
= 10毫安
V
CE
= 2 V ;我
C
= 0.3 A
V
CE
= 5 V ;我
C
= 2 A
集电极 - 发射极电压工作
V
S
= 50 V ; L = 1 mH的;我
C
= 2 A;
I
B1
= 0.7 A; -I
B2
= 0.2 A;
–V
BB
= 5 V
动态饱和电压
I
C
= 1 ;我
B
= 0.2 A; T = 1
m
s
y
g
I
C
= 1 ;我
B
= 0.2 A; T = 3
m
s
增益带宽积
I
C
= 200毫安; V
CE
= 10 V;
F = 1 MHz的
续流二极管
正向电压
I
F
= 0.7 A
m
A
mA
V
V
V
V
6
V
15
4
4
V
V
兆赫
V
F
1.2
V
开关特性
T
= 25℃ ,除非另有说明
参数
测试条件
特定应用切换时间
与Nylos3测
电阻性负载(图2)
启动时间
I
C
= 330毫安;我
B1
= 85毫安;
–I
B2
= 170毫安; V
S
= 250 V
贮存时间
下降时间
符号
t
x
t
on
t
s
t
f
典型值
最大
0.75
0.25
3
0.4
单位
m
s
m
s
m
s
m
s
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文档编号86505
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BUD700D
威世德律风根
94 8863
V
S2
+
10 V
I
B
I
C
w
I5
I
措施
I
C
C
V
S1
+
0至30 V
V
( BR ) CEO
t
p
T
t
p
3脉冲
+
L
C
V
CE
V
( BR ) CEO
+
0.1
+
10毫秒
I
( BR )R
100 m
W
图1.测试电路V
(BR)CE0
94 8852
I
B
I
B1
0
t
R
C
–I
B2
I
C
(1)
I
B1
R
B
V
BB
+
V
CE
I
B
V
CC
I
C
0.9 I
C
0.1 I
C
t
d
t
on
t
r
t
t
s
t
关闭
t
f
( 1 )快速的电子开关
对于开关特性图2.测试电路 - 阻性负载
文档编号86505
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BUD700D
威世德律风根
典型特征
(T
= 25 ° C除非另有说明)
4
I
C
- 集电极电流( A)
100.00
P
合计
- 总功耗( W)
5K/W
10.00
3
0.1 ×1
C
& LT ;我
B2
< 0.5 ×1
C
V
CESAT
& LT ; 2 V
2
1.00
12.5K/W
0.10
25K/W
50K/W
R
thJA
=135K/W
0.01
0
25
50
75
100
125
150
1
0
0
13723
100
200
300
400
500
13724
V
CE
- 集电极发射极电压(V )
T
- 外壳温度(
°C
)
图3. V
CEW
- 图
2.00
1.75
I
C
- 集电极电流( A)
1.50
1.25
1.00
0.75
I
B
=0.05A
0.50
0.25
0
0
13725
图6. P
合计
与T
V
CESAT
- 集电极发射极饱和电压( V)
10.00
0.25A
0.2A
0.15A
0.1A
1.00
2A
1A
0.10
I
C
=0.2A
0.01
0.01
0.35A
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10 11 12
0.10
1.00
10.00
V
CE
- 集电极发射极电压(V )
13726
I
B
- 基本电流( A)
图4.我
C
与V
CE
100
100
图7. V
CESAT
与我
B
h
FE
- 正向直流电流传输比
h
FE
- 正向直流电流传输比
T
j
= 125°C
10
10V
5V
V
CE
=2V
1
0.01
10
75°C
25°C
V
CE
=2V
1
0.01
0.10
1.00
10.00
0.10
1.00
10.00
13728
13727
I
C
- 集电极电流( A)
I
C
- 集电极电流( A)
图5.
FE
与我
C
图8.
FE
与我
C
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BUD700D
威世德律风根
10
8
t
s
- 存储时间(
m
s )
6
4
T
= 125°C
2
0.1
T
= 25°C
0
0
13729
0.7
饱和开关
研究负载
I
C
= 0.35A ,我
B1
= 0.04A
0.6
t
f
- 下降时间(
m
s )
0.5
0.4
T
= 125°C
0.3
0.2
T
= 25°C
0
13730
饱和开关
研究负载
I
C
= 0.35A ,我
B1
= 0.04A
0
1
2
3
–I
B2
/I
B1
4
5
6
1
2
3
–I
B2
/I
B1
4
5
6
图9吨
s
与-I
B2
/I
B1
10
8
t
s
- 存储时间(
m
s )
6
4
T
= 125°C
2
T
= 25°C
0
0
13731
图12吨
f
与-I
B2
/I
B1
0.7
t
f
- 下降时间(
m
s )
饱和开关
研究负载
I
C
= 0.35A ,我
B1
= 0.085A
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
饱和开关
研究负载
I
C
= 0.35A ,我
B1
= 0.085A
T
= 125°C
T
= 25°C
1
2
–I
B2
/I
B1
3
4
13732
0
1
2
–I
B2
/I
B1
3
4
图10吨
s
与-I
B2
/I
B1
10.00
I
F
- 正向电流( A)
图13吨
f
与-I
B2
/I
B1
1.00
0.10
0.01
0
13733
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
V
F
- 正向电压( V)
图11.我
F
与V
F
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威世德律风根
硅NPN高电压开关晶体管
特点
D
D
D
D
D
单片集成C- E-续流二极管
简单的关断晶体管
( SWOT )
HIGH SPEED技术
平面钝化
100 kHz的开关频率
D
D
D
D
D
非常低开关损耗
非常低的动态饱和
非常低的工作温度
优化RBSOA
高反向电压
应用
电子镇流器电路
2
94 8965
1
1
94 8964
3
2
3
BUD700D
1基地2集电极发射3
BUD700D -SMD
1基地2集电极发射3
绝对最大额定值
T
= 25℃ ,除非另有说明
参数
集电极 - 发射极电压
g
测试条件
符号
V
首席执行官
V
CEW
V
CES
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
T
j
T
英镑
价值
400
500
700
11
2
3
0.75
1
20
150
-65到+150
单位
V
V
V
V
A
A
A
A
W
°
C
°
C
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
基峰电流
总功耗
结温
存储温度范围
T
50
°
C
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威世德律风根
最大热阻
T
= 25℃ ,除非另有说明
参数
结案件
测试条件
符号
R
thJC
价值
5
单位
K / W
电气特性
T
= 25℃ ,除非另有说明
参数
晶体管
集电极截止电流
测试条件
符号
I
CES
I
CES
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
V
CESAT
V
BESAT
h
FE
h
FE
h
FE
V
CEW
V
CEsatdyn
V
CEsatdyn
f
T
400
11
0.1
0.9
10
10
4
500
0.2
1
典型值
最大
50
0.5
单位
V
CE
= 700 V
V
CE
= 700 V ;牛逼
= 150
°
C
集电极 - 发射极击穿
I
C
= 300毫安; L = 125 mH的;
电压(图1)
I
措施
= 100毫安
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 1毫安
集电极 - 发射极饱和电压I
C
= 0.3 A;我
B
= 0.1 A
基射极饱和电压
I
C
= 0.3 A;我
B
= 0.1 A
直流正向电流传输比
V
CE
= 2 V ;我
C
= 10毫安
V
CE
= 2 V ;我
C
= 0.3 A
V
CE
= 5 V ;我
C
= 2 A
集电极 - 发射极电压工作
V
S
= 50 V ; L = 1 mH的;我
C
= 2 A;
I
B1
= 0.7 A; -I
B2
= 0.2 A;
–V
BB
= 5 V
动态饱和电压
I
C
= 1 ;我
B
= 0.2 A; T = 1
m
s
y
g
I
C
= 1 ;我
B
= 0.2 A; T = 3
m
s
增益带宽积
I
C
= 200毫安; V
CE
= 10 V;
F = 1 MHz的
续流二极管
正向电压
I
F
= 0.7 A
m
A
mA
V
V
V
V
6
V
15
4
4
V
V
兆赫
V
F
1.2
V
开关特性
T
= 25℃ ,除非另有说明
参数
测试条件
特定应用切换时间
与Nylos3测
电阻性负载(图2)
启动时间
I
C
= 330毫安;我
B1
= 85毫安;
–I
B2
= 170毫安; V
S
= 250 V
贮存时间
下降时间
符号
t
x
t
on
t
s
t
f
典型值
最大
0.75
0.25
3
0.4
单位
m
s
m
s
m
s
m
s
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BUD700D
威世德律风根
94 8863
V
S2
+
10 V
I
B
I
C
w
I5
I
措施
I
C
C
V
S1
+
0至30 V
V
( BR ) CEO
t
p
T
t
p
3脉冲
+
L
C
V
CE
V
( BR ) CEO
+
0.1
+
10毫秒
I
( BR )R
100 m
W
图1.测试电路V
(BR)CE0
94 8852
I
B
I
B1
0
t
R
C
–I
B2
I
C
(1)
I
B1
R
B
V
BB
+
V
CE
I
B
V
CC
I
C
0.9 I
C
0.1 I
C
t
d
t
on
t
r
t
t
s
t
关闭
t
f
( 1 )快速的电子开关
对于开关特性图2.测试电路 - 阻性负载
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威世德律风根
典型特征
(T
= 25 ° C除非另有说明)
4
I
C
- 集电极电流( A)
100.00
P
合计
- 总功耗( W)
5K/W
10.00
3
0.1 ×1
C
& LT ;我
B2
< 0.5 ×1
C
V
CESAT
& LT ; 2 V
2
1.00
12.5K/W
0.10
25K/W
50K/W
R
thJA
=135K/W
0.01
0
25
50
75
100
125
150
1
0
0
13723
100
200
300
400
500
13724
V
CE
- 集电极发射极电压(V )
T
- 外壳温度(
°C
)
图3. V
CEW
- 图
2.00
1.75
I
C
- 集电极电流( A)
1.50
1.25
1.00
0.75
I
B
=0.05A
0.50
0.25
0
0
13725
图6. P
合计
与T
V
CESAT
- 集电极发射极饱和电压( V)
10.00
0.25A
0.2A
0.15A
0.1A
1.00
2A
1A
0.10
I
C
=0.2A
0.01
0.01
0.35A
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10 11 12
0.10
1.00
10.00
V
CE
- 集电极发射极电压(V )
13726
I
B
- 基本电流( A)
图4.我
C
与V
CE
100
100
图7. V
CESAT
与我
B
h
FE
- 正向直流电流传输比
h
FE
- 正向直流电流传输比
T
j
= 125°C
10
10V
5V
V
CE
=2V
1
0.01
10
75°C
25°C
V
CE
=2V
1
0.01
0.10
1.00
10.00
0.10
1.00
10.00
13728
13727
I
C
- 集电极电流( A)
I
C
- 集电极电流( A)
图5.
FE
与我
C
图8.
FE
与我
C
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BUD700D
威世德律风根
10
8
t
s
- 存储时间(
m
s )
6
4
T
= 125°C
2
0.1
T
= 25°C
0
0
13729
0.7
饱和开关
研究负载
I
C
= 0.35A ,我
B1
= 0.04A
0.6
t
f
- 下降时间(
m
s )
0.5
0.4
T
= 125°C
0.3
0.2
T
= 25°C
0
13730
饱和开关
研究负载
I
C
= 0.35A ,我
B1
= 0.04A
0
1
2
3
–I
B2
/I
B1
4
5
6
1
2
3
–I
B2
/I
B1
4
5
6
图9吨
s
与-I
B2
/I
B1
10
8
t
s
- 存储时间(
m
s )
6
4
T
= 125°C
2
T
= 25°C
0
0
13731
图12吨
f
与-I
B2
/I
B1
0.7
t
f
- 下降时间(
m
s )
饱和开关
研究负载
I
C
= 0.35A ,我
B1
= 0.085A
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
饱和开关
研究负载
I
C
= 0.35A ,我
B1
= 0.085A
T
= 125°C
T
= 25°C
1
2
–I
B2
/I
B1
3
4
13732
0
1
2
–I
B2
/I
B1
3
4
图10吨
s
与-I
B2
/I
B1
10.00
I
F
- 正向电流( A)
图13吨
f
与-I
B2
/I
B1
1.00
0.10
0.01
0
13733
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
V
F
- 正向电压( V)
图11.我
F
与V
F
文档编号86505
第1版, 20 -JAN- 99
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