【BUD42D高速，高增益双极NPN晶体管，抗饱和网络和瞬态电压抑制能力该BUD42D是国家的最先进的】,IC型号BUD42D,BUD42D PDF资料,BUD42D经销商,ic,电子元器件-51电子网

BUD42D

高速，高增益

双极NPN晶体管，

抗饱和网络和

瞬态电压

抑制能力

该BUD42D是国家的最先进的双极型晶体管。紧身动态

特点及批次最低蔓延使它非常适合

光镇流器应用。

主要特点：

http://onsemi.com

续流二极管内置在

平直流电流增益

快速开关时间和严格的分配

“ 6西格玛”进程提供了严格的和可重复的参数

价差

环氧会见UL94 ， VO @ 1/8“

ESD额定值：机器型号，C ; >400 V

人体模型， 3B ; >8000 V

两个版本：

4安培

650伏

25瓦

功率晶体管

标记DIAGRAMS

4

1 2

3

4

集热器

YWW

BU

D42D

2

1

集热器3

BASE

Emmitter

4

集热器

YWW

BU

D42D

1

3

DPAK

CASE 369D

风格1

2

1

2

3

基地集热器Emmitter

Y

=年

WW

=工作周

BUD43D =器件代码

4

包

DPAK

直引线

DPAK

航运

75单位/铁

2500磁带&卷轴

出版订单号：

BUD42D/D

BUD42D - 1 ：案例369D的插入模式

BUD42D ， BUD42DT4 ：案例369C的表面贴装模式

最大额定值

等级

集电极 - 发射极耐受电压

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极电压

连续集电极电流 -

- 山顶（注1 ）

基极电流 - 连续

- 山顶（注1 ）

*器件总功耗@ T

C

= 25_C

*减免上述25℃

工作和存储温度

符号

V

首席执行官

V

CBO

V

CES

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

I

BM

P

D

T

J

, T

英镑

价值

350

650

9

4.0

8.0

1.0

2.0

25

0.2

-65

+150

单位

VDC

ADC

瓦

W / ℃，

_C

DPAK

CASE 369C

风格1

典型增益

典型增益@我

C

= 1 A，V

CE

= 2 V

典型增益@我

C

= 0.3 A，V

CE

= 1 V

h

FE

h

FE

13

16

订购信息

设备

热特性

特征

热电阻 - 结到外壳

热电阻 - 结到环境

最大无铅焊接温度的

用途： 1/8“案件从5秒

符号

R

θJC

R

θJA

T

L

价值

5.0

71.4

260

单位

° C / W

°C

BUD42D

BUD42D1

BUD42DT4

1.脉冲测试：脉冲宽度= 5.0毫秒，占空比= 10 ％

半导体元件工业有限责任公司， 2003

1

2003年8月 - 第2版

电气特性

(T

C

= 25 ° C除非另有说明）

动态饱和电压

开关特性：阻性负载

（ D.C.≤ 10 ％，脉冲宽度= 40

s)

二极管的特性

基本特征

开关特性

动态饱和

电压：

确定1

s

和

3

s

分别后，

我上升

B1

到达

90％的最终余

B1

收藏家Cuto FF电流

(V

CE

=额定V

CES

, V

EB

= 0)

下降时间

(I

C

= 2.5 ADC ，我

B1

= I

B2

= 0.5 A ，V

CC

= 150 V, V

BE

= 2 V)

关断时间

(I

C

= 1.2 ADC ，我

B1

= 0.4 A，I

B2

= 0.1 A，V

CC

= 300 V)

正向二极管电压

(I

EC

= 1.0 ADC）

直流电流增益

(I

C

= 1 ADC ，V

CE

= 2 VDC ）

(I

C

= 2的ADC ，V

CE

= 5 V直流）

集电极 - 发射极饱和电压

(I

C

= 2的ADC ，我

B

= 0.5 ADC）

基射极饱和电压

(I

C

= 1 ADC ，我

B

= 0.2 ADC）

发射极截止电流

(V

EB

= 9 VDC ，我

C

= 0)

收藏家Cuto FF电流

(V

CE

=额定V

首席执行官

, I

B

= 0)

发射极 - 基极击穿电压

(I

EBO

= 1 mA）的

集电极 - 基极击穿电压

(I

CBO

= 1 mA）的

集电极 - 发射极耐受电压

(I

C

= 100毫安， L = 25毫亨）

特征

I

C

= 1 A

I

B1

= 200毫安

V

CC

= 300 V

I

C

= 400毫安

I

B1

= 40毫安

V

CC

= 300 V

@ 3

s

@ 1

s

@ 3

s

@ 1

s

@ T

C

= 25°C

@ T

C

= 125°C

@ T

C

= 25°C

@ T

C

= 125°C

@ T

C

= 25°C

@ T

C

= 125°C

@ T

C

= 25°C

@ T

C

= 125°C

@ T

C

= 25°C

@ T

C

= 125°C

@ T

C

= 25°C

@ T

C

= 125°C

http://onsemi.com

BUD42D

2

V

CEO （ SUS ）

V

CE （ DSAT ）

符号

V

CE （ SAT ）

V

BE （ SAT ）

V

CBO

V

EBO

I

首席执行官

I

EBO

I

CES

V

EC

h

FE

T

关闭

T

f

民

650

350

4.6

8.0

10

9.0

0.85

0.35

0.6

0.75

1.3

典型值

780

430

0.9

0.2

2.1

4.7

2.8

3.2

13

12

6.55

最大

10

200

100

200

0.8

1.5

1.0

1.2

μAdc

单位

VDC

s

V

BUD42D

典型静态特性

100

的hFE ， DC电流增益

T

J

= 125°C

T

J

= 25°C

10

T

J

= 20°C

T

J

= 125°C

T

J

= 25°C

10

T

J

= 20°C

1

0.001

0.01

0.1

1

I

C

，集电极电流（ AMPS ）

10

1

0.001

0.01

0.1

1

I

C

，集电极电流（ AMPS ）

10

图1.直流电流增益@ V

CE

= 1 V

图2.直流电流增益@ V

CE

= 5 V

3

T

J

= 25°C

VCE电压（伏）

2A

2

1.5 A

1A

1

I

C

= 0.2 A

0

0.001

0.01

0.4 A

VCE电压（伏）

10

I

C

/I

B

= 5

1

T

J

= 125°C

0.1

T

J

= 20°C

T

J

= 25°C

1

0.1

I

B

，基极电流（ AMPS ）

10

0.01

0.001

0.01

0.1

1

I

C

，集电极电流（ AMPS ）

10

图3.集电极饱和区

图4.集电极 - 发射极饱和电压

100

I

C

/I

B

= 8

VCE电压（伏）

10

T

J

= 125°C

1

T

J

= 20°C

10

I

C

/I

B

= 10

T

J

= 20°C

T

J

= 125°C

T

J

= 25°C

1

T

J

= 25°C

0.1

0.01

0.001

1

0.01

0.1

I

C

，集电极电流（ AMPS ）

10

0.01

0.001

1

0.01

0.1

I

C

，集电极电流（ AMPS ）

10

图5.集电极 - 发射极饱和电压

图6.集电极 - 发射极饱和电压

http://onsemi.com

3

BUD42D

典型静态特性

10

I

C

/I

B

= 5

VBE ，电压（V ）

10

I

C

/I

B

= 8

1

T

J

= 20°C

1

T

J

= 20°C

T

J

= 125°C

T

J

= 25°C

T

J

= 125°C

T

J

= 25°C

0.1

0.001

1

0.01

0.1

I

C

，集电极电流（ AMPS ）

10

0.1

0.001

1

0.01

0.1

I

C

，集电极电流（ AMPS ）

10

图7.基射极饱和区

图8.基射极饱和区

10

正向二极管电压（伏）

I

C

/I

B

= 10

VBE ，电压（V ）

10

1

T

J

= 20°C

1

V

EC （ V）

= 20°C

V

EC （ V）

= 125°C

V

EC （ V）

= 25°C

T

J

= 125°C

T

J

= 25°C

0.1

0.001

1

0.01

0.1

I

C

，集电极电流（ AMPS ）

10

0.1

0.01

0.1

1

反向发射极 - 集电极电流

10

图9.基射极饱和区

图10.正向二极管电压

http://onsemi.com

4

BUD42D

典型的开关特性

1000

C

ib

C，电容（pF ）

100

C

ob

10

T

J

= 25°C

f

（测试）

= 1兆赫

BVCER （伏）

900

800

700

600

500

400

T

C

= 25°C

1

10

V

R

，反向电压（伏）

100

300

10

100

R

BE

(W)

1000

10000

I

CER

= 100毫安

l

C

= 25毫亨

I

CER

= 10毫安

图11.电容

图12. B

VCER

= F （r

BE

)

800

700

600

T， TIME （ NS ）

500

400

300

200

100

0

T

J

= 125°C

T

J

= 25°C

0.5

1.5

1

I

C

，集电极电流（ AMPS ）

2

h

FE

= 5

h

FE

= 10

I

BON

= I

B关

V

CC

= 300 V

P

W

= 40

s

9

I

BON

= I

B关

V

CC

= 300 V

P

W

= 40

s

6

T， TIME （ NS ）

h

FE

= 5

3

T

J

= 125°C

T

J

= 25°C

0

h

FE

= 10

2

1.5

0.5

1

I

C

，集电极电流（ AMPS ）

图13.电阻开关，T

on

图14.电阻开关，T

关闭

4

I

BON

= I

B关

V

CE

= 15 V

V

Z

= 300 V

L

C

= 200

H

T

J

= 125°C

4

I

BON

= I

B关

V

CE

= 15 V

V

Z

= 300 V

L

C

= 200

H

3

T， TIME （

s)

T

J

= 125°C

3

T

J

= 25°C

T， TIME （

s)

T

J

= 25°C

2

1

0

0.5

1

1.5

I

C

，集电极电流（ AMPS ）

2

1

0.5

1.5

1

I

C

，集电极电流（ AMPS ）

2

图15.电感的存储时间，

t

si

@ h

FE

= 5

http://onsemi.com

5

图16.电感的存储时间，

t

si

@ h

FE

= 10

BUD42D

高速，高增益

双极NPN晶体管，

抗饱和网络和

瞬态电压

抑制能力

该BUD42D是国家的最先进的双极型晶体管。紧身动态

特点及批次最低蔓延使它非常适合

光镇流器应用。

特点

http://onsemi.com

4安培

650伏， 25瓦

功率晶体管

续流二极管内置

平直流电流增益

快速开关时间和严格的分配

“ 6西格玛”进程提供了严格的和可重复的参数

价差

环氧符合UL 94 V - 0 @ 0.125

ESD额定值：机器型号，C ; >400 V

人体模型， 3B ; >8000 V

这些都是无铅封装

两个版本

记号

图表

4

集热器

AYWW

BU

D42DG

2

1

集热器3

BASE

Emmitter

4

集热器

AYWW

BU

D42DG

2

1

2

3

基地集热器Emmitter

A

Y

WW

BUD43D

G

=大会地点

=年

=工作周

=器件代码

= Pb-Free包装

4

出版订单号：

BUD42D/D

4

1 2

BUD42D - 1 ：案例369D的插入模式

BUD42D ， BUD42DT4 ：案例369C的表面贴装模式

最大额定值

等级

集电极 - 发射极耐受电压

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

连续

山顶（注1 ）

基极电流

连续

山顶（注1 ）

器件总功耗@ T

C

= 25_C

减免上述25℃

工作和存储温度

符号

V

首席执行官

V

CBO

V

CES

V

EBO

I

CM

I

B

I

BM

P

D

T

J

, T

英镑

I

C

价值

350

650

9

4.0

8.0

1.0

2.0

25

0.2

65

to

+150

单位

VDC

ADC

W

W / ℃，

_C

3

DPAK

CASE 369C

风格1

1

3

DPAK

CASE 369D

风格1

典型增益

典型增益@我

C

= 1 A，V

CE

= 2 V

典型增益@我

C

= 0.3 A，V

CE

= 1 V

h

FE

h

FE

13

16

强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大

额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作

工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力

推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。

1.脉冲测试：脉冲宽度= 5.0毫秒，占空比= 10 ％ 10

订购信息

请参阅包装详细的订购和发货信息

尺寸部分本数据手册的第10页上。

半导体元件工业有限责任公司， 2011

1

2011年1月

启5

电气特性

(T

C

= 25 ° C除非另有说明）

热特性

动态饱和电压

开关特性：阻性负载

（ D.C.≤ 10 ％，脉冲宽度= 40

女士）

二极管的特性

基本特征

开关特性

最大的铅焊接温度的目的：在1/8的案例，持续5秒

热阻，结到环境

热阻，结到外壳

动态饱和

电压：

确定1

ms

和

3

ms

分别后，

我上升

B1

到达

90％的最终余

B1

收藏家Cuto FF电流

(V

CE

=额定V

CES

, V

EB

= 0)

下降时间

(I

C

= 2.5 ADC ，我

B1

= I

B2

= 0.5 A ，V

CC

= 150 V, V

BE

=

2

V)

关断时间

(I

C

= 1.2 ADC ，我

B1

= 0.4 A，I

B2

= 0.1 A，V

CC

= 300 V)

正向二极管电压

(I

EC

= 1.0 ADC）

直流电流增益

(I

C

= 1 ADC ，V

CE

= 2 VDC ）

(I

C

= 2的ADC ，V

CE

= 5 V直流）

集电极 - 发射极饱和电压

(I

C

= 2的ADC ，我

B

= 0.5 ADC）

基射极饱和电压

(I

C

= 1 ADC ，我

B

= 0.2 ADC）

发射极截止电流

(V

EB

= 9 VDC ，我

C

= 0)

收藏家Cuto FF电流

(V

CE

=额定V

首席执行官

, I

B

= 0)

发射极 - 基极击穿电压

(I

EBO

= 1 mA）的

集电极 - 基极击穿电压

(I

CBO

= 1 mA）的

集电极 - 发射极耐受电压

(I

C

= 100毫安， L = 25毫亨）

特征

I

C

= 1 A

I

B1

= 200毫安

V

CC

= 300 V

I

C

= 400毫安

I

B1

= 40毫安

V

CC

= 300 V

@ 3

ms

@ 1

ms

@ 3

ms

@ 1

ms

@ T

C

= 25°C

@ T

C

= 125°C

@ T

C

= 25°C

@ T

C

= 125°C

@ T

C

= 25°C

@ T

C

= 125°C

@ T

C

= 25°C

@ T

C

= 125°C

@ T

C

= 25°C

@ T

C

= 125°C

@ T

C

= 25°C

@ T

C

= 125°C

V

CEO （ SUS ）

V

CE （ DSAT ）

符号

V

CE （ SAT ）

V

BE （ SAT ）

V

CBO

V

EBO

R

QJC

R

qJA

I

首席执行官

I

EBO

I

CES

V

EC

h

FE

T

关闭

T

L

T

f

民

650

350

4.6

8.0

10

9.0

价值

0.35

0.6

0.75

1.3

0.85

71.4

典型值

780

430

260

2.1

4.7

2.8

3.2

0.9

0.2

5.0

13

12

6.55

最大

10

200

100

200

0.8

1.5

1.0

1.2

° C / W

MADC

单位

VDC

°C

ms

V

http://onsemi.com

BUD42D

2

BUD42D

典型静态特性

100

的hFE ， DC电流增益

T

J

= 125°C

T

J

= 25°C

10

T

J

= - 20°C

T

J

= 125°C

T

J

= 25°C

10

T

J

= - 20°C

1

0.001

0.01

0.1

1

I

C

，集电极电流（ AMPS ）

10

1

0.001

0.01

0.1

1

I

C

，集电极电流（ AMPS ）

10

图1.直流电流增益@ V

CE

= 1 V

图2.直流电流增益@ V

CE

= 5 V

3

T

J

= 25°C

VCE电压（伏）

10

I

C

/I

B

= 5

2A

2

1.5 A

1A

1

0.4 A

1

T

J

= 125°C

0.1

T

J

= - 20°C

T

J

= 25°C

I

C

= 0.2 A

0

0.001

0.01

0.1

1

I

B

，基极电流（ AMPS ）

10

0.01

0.001

0.01

0.1

1

I

C

，集电极电流（ AMPS ）

10

图3.集电极饱和区

图4.集电极 - 发射极饱和电压

100

I

C

/I

B

= 8

VCE电压（伏）

10

T

J

= 125°C

1

T

J

= - 20°C

10

I

C

/I

B

= 10

T

J

= - 20°C

T

J

= 125°C

1

T

J

= 25°C

T

J

= 25°C

0.1

0.01

0.001

1

0.01

0.1

I

C

，集电极电流（ AMPS ）

10

0.01

0.001

1

0.01

0.1

I

C

，集电极电流（ AMPS ）

10

图5.集电极 - 发射极饱和电压

图6.集电极 - 发射极饱和电压

http://onsemi.com

3

BUD42D

典型静态特性

10

I

C

/I

B

= 5

VBE ，电压（V ）

10

I

C

/I

B

= 8

1

T

J

= - 20°C

1

T

J

= - 20°C

T

J

= 125°C

T

J

= 25°C

T

J

= 125°C

T

J

= 25°C

0.1

0.001

1

0.01

0.1

I

C

，集电极电流（ AMPS ）

10

0.1

0.001

1

0.01

0.1

I

C

，集电极电流（ AMPS ）

10

图7.基射极饱和区

图8.基射极饱和区

10

正向二极管电压（伏）

I

C

/I

B

= 10

VBE ，电压（V ）

10

1

T

J

= - 20°C

1

V

EC （ V）

= - 20°C

V

EC （ V）

= 125°C

V

EC （ V）

= 25°C

T

J

= 125°C

T

J

= 25°C

0.1

0.001

0.01

0.1

1

I

C

，集电极电流（ AMPS ）

10

0.1

0.01

0.1

1

反向发射极 - 集电极电流

10

图9.基射极饱和区

图10.正向二极管电压

http://onsemi.com

4

BUD42D

典型的开关特性

1000

C

ib

C，电容（pF ）

T

J

= 25°C

f

（测试）

= 1兆赫

BVCER （伏）

900

800

700

600

500

400

T

C

= 25°C

1

10

V

R

，反向电压（伏）

100

300

10

100

R

BE

(W)

1000

10000

I

CER

= 100毫安

l

C

= 25毫亨

I

CER

= 10毫安

100

C

ob

10

图11.电容

图12. B

VCER

= F （r

BE

)

800

700

600

T， TIME （ NS ）

500

400

300

200

100

0

1

0.5

1.5

I

C

，集电极电流（ AMPS ）

2

T

J

= 125°C

T

J

= 25°C

h

FE

= 5

h

FE

= 10

I

BON

= I

B关

V

CC

= 300 V

P

W

= 40

ms

9

I

BON

= I

B关

V

CC

= 300 V

P

W

= 40

ms

6

T， TIME （ NS ）

h

FE

= 5

3

T

J

= 125°C

T

J

= 25°C

0

h

FE

= 10

2

0.5

1

1.5

I

C

，集电极电流（ AMPS ）

图13.电阻开关，T

on

图14.电阻开关，T

关闭

4

I

BON

= I

B关

V

CE

= 15 V

V

Z

= 300 V

L

C

= 200

mH

T

J

= 125°C

4

I

BON

= I

B关

V

CE

= 15 V

V

Z

= 300 V

L

C

= 200

mH

3

T， TIME （

μ

s)

T

J

= 125°C

3

T

J

= 25°C

T， TIME （

μ

s)

T

J

= 25°C

2

1

0

0.5

1

1.5

I

C

，集电极电流（ AMPS ）

2

1

0.5

1.5

1

I

C

，集电极电流（ AMPS ）

2

图15.电感的存储时间，

t

si

@ h

FE

= 5

http://onsemi.com

5

图16.电感的存储时间，

t

si

@ h

FE

= 10

BUD42D

高速，高增益

双极NPN晶体管，

抗饱和网络和

瞬态电压

抑制能力

该BUD42D是国家的最先进的双极型晶体管。紧身动态

特点及批次最低蔓延使它非常适合

光镇流器应用。

主要特点：

http://onsemi.com

续流二极管内置在

平直流电流增益

快速开关时间和严格的分配

“ 6西格玛”进程提供了严格的和可重复的参数

价差

环氧会见UL94 ， VO @ 1/8“

ESD额定值：机器型号，C ; >400 V

人体模型， 3B ; >8000 V

两个版本：

4安培

650伏

25瓦

功率晶体管

标记DIAGRAMS

4

1 2

3

4

集热器

YWW

BU

D42D

2

1

集热器3

BASE

Emmitter

4

集热器

YWW

BU

D42D

1

3

DPAK

CASE 369D

风格1

2

1

2

3

基地集热器Emmitter

Y

=年

WW

=工作周

BUD43D =器件代码

4

包

DPAK

直引线

DPAK

航运

75单位/铁

2500磁带&卷轴

出版订单号：

BUD42D/D

BUD42D - 1 ：案例369D的插入模式

BUD42D ， BUD42DT4 ：案例369C的表面贴装模式

最大额定值

等级

集电极 - 发射极耐受电压

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极电压

连续集电极电流 -

- 山顶（注1 ）

基极电流 - 连续

- 山顶（注1 ）

*器件总功耗@ T

C

= 25_C

*减免上述25℃

工作和存储温度

符号

V

首席执行官

V

CBO

V

CES

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

I

BM

P

D

T

J

, T

英镑

价值

350

650

9

4.0

8.0

1.0

2.0

25

0.2

-65

+150

单位

VDC

ADC

瓦

W / ℃，

_C

DPAK

CASE 369C

风格1

典型增益

典型增益@我

C

= 1 A，V

CE

= 2 V

典型增益@我

C

= 0.3 A，V

CE

= 1 V

h

FE

h

FE

13

16

订购信息

设备

热特性

特征

热电阻 - 结到外壳

热电阻 - 结到环境

最大无铅焊接温度的

用途： 1/8“案件从5秒

符号

R

θJC

R

θJA

T

L

价值

5.0

71.4

260

单位

° C / W

°C

BUD42D

BUD42D1

BUD42DT4

1.脉冲测试：脉冲宽度= 5.0毫秒，占空比= 10 ％

半导体元件工业有限责任公司， 2003

1

2003年8月 - 第2版

电气特性

(T

C

= 25 ° C除非另有说明）

动态饱和电压

开关特性：阻性负载

（ D.C.≤ 10 ％，脉冲宽度= 40

s)

二极管的特性

基本特征

开关特性

动态饱和

电压：

确定1

s

和

3

s

分别后，

我上升

B1

到达

90％的最终余

B1

收藏家Cuto FF电流

(V

CE

=额定V

CES

, V

EB

= 0)

下降时间

(I

C

= 2.5 ADC ，我

B1

= I

B2

= 0.5 A ，V

CC

= 150 V, V

BE

= 2 V)

关断时间

(I

C

= 1.2 ADC ，我

B1

= 0.4 A，I

B2

= 0.1 A，V

CC

= 300 V)

正向二极管电压

(I

EC

= 1.0 ADC）

直流电流增益

(I

C

= 1 ADC ，V

CE

= 2 VDC ）

(I

C

= 2的ADC ，V

CE

= 5 V直流）

集电极 - 发射极饱和电压

(I

C

= 2的ADC ，我

B

= 0.5 ADC）

基射极饱和电压

(I

C

= 1 ADC ，我

B

= 0.2 ADC）

发射极截止电流

(V

EB

= 9 VDC ，我

C

= 0)

收藏家Cuto FF电流

(V

CE

=额定V

首席执行官

, I

B

= 0)

发射极 - 基极击穿电压

(I

EBO

= 1 mA）的

集电极 - 基极击穿电压

(I

CBO

= 1 mA）的

集电极 - 发射极耐受电压

(I

C

= 100毫安， L = 25毫亨）

特征

I

C

= 1 A

I

B1

= 200毫安

V

CC

= 300 V

I

C

= 400毫安

I

B1

= 40毫安

V

CC

= 300 V

@ 3

s

@ 1

s

@ 3

s

@ 1

s

@ T

C

= 25°C

@ T

C

= 125°C

@ T

C

= 25°C

@ T

C

= 125°C

@ T

C

= 25°C

@ T

C

= 125°C

@ T

C

= 25°C

@ T

C

= 125°C

@ T

C

= 25°C

@ T

C

= 125°C

@ T

C

= 25°C

@ T

C

= 125°C

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BUD42D

2

V

CEO （ SUS ）

V

CE （ DSAT ）

符号

V

CE （ SAT ）

V

BE （ SAT ）

V

CBO

V

EBO

I

首席执行官

I

EBO

I

CES

V

EC

h

FE

T

关闭

T

f

民

650

350

4.6

8.0

10

9.0

0.85

0.35

0.6

0.75

1.3

典型值

780

430

0.9

0.2

2.1

4.7

2.8

3.2

13

12

6.55

最大

10

200

100

200

0.8

1.5

1.0

1.2

μAdc

单位

VDC

s

V

BUD42D

典型静态特性

100

的hFE ， DC电流增益

T

J

= 125°C

T

J

= 25°C

10

T

J

= 20°C

T

J

= 125°C

T

J

= 25°C

10

T

J

= 20°C

1

0.001

0.01

0.1

1

I

C

，集电极电流（ AMPS ）

10

1

0.001

0.01

0.1

1

I

C

，集电极电流（ AMPS ）

10

图1.直流电流增益@ V

CE

= 1 V

图2.直流电流增益@ V

CE

= 5 V

3

T

J

= 25°C

VCE电压（伏）

2A

2

1.5 A

1A

1

I

C

= 0.2 A

0

0.001

0.01

0.4 A

VCE电压（伏）

10

I

C

/I

B

= 5

1

T

J

= 125°C

0.1

T

J

= 20°C

T

J

= 25°C

1

0.1

I

B

，基极电流（ AMPS ）

10

0.01

0.001

0.01

0.1

1

I

C

，集电极电流（ AMPS ）

10

图3.集电极饱和区

图4.集电极 - 发射极饱和电压

100

I

C

/I

B

= 8

VCE电压（伏）

10

T

J

= 125°C

1

T

J

= 20°C

10

I

C

/I

B

= 10

T

J

= 20°C

T

J

= 125°C

T

J

= 25°C

1

T

J

= 25°C

0.1

0.01

0.001

1

0.01

0.1

I

C

，集电极电流（ AMPS ）

10

0.01

0.001

1

0.01

0.1

I

C

，集电极电流（ AMPS ）

10

图5.集电极 - 发射极饱和电压

图6.集电极 - 发射极饱和电压

http://onsemi.com

3

BUD42D

典型静态特性

10

I

C

/I

B

= 5

VBE ，电压（V ）

10

I

C

/I

B

= 8

1

T

J

= 20°C

1

T

J

= 20°C

T

J

= 125°C

T

J

= 25°C

T

J

= 125°C

T

J

= 25°C

0.1

0.001

1

0.01

0.1

I

C

，集电极电流（ AMPS ）

10

0.1

0.001

1

0.01

0.1

I

C

，集电极电流（ AMPS ）

10

图7.基射极饱和区

图8.基射极饱和区

10

正向二极管电压（伏）

I

C

/I

B

= 10

VBE ，电压（V ）

10

1

T

J

= 20°C

1

V

EC （ V）

= 20°C

V

EC （ V）

= 125°C

V

EC （ V）

= 25°C

T

J

= 125°C

T

J

= 25°C

0.1

0.001

1

0.01

0.1

I

C

，集电极电流（ AMPS ）

10

0.1

0.01

0.1

1

反向发射极 - 集电极电流

10

图9.基射极饱和区

图10.正向二极管电压

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4

BUD42D

典型的开关特性

1000

C

ib

C，电容（pF ）

100

C

ob

10

T

J

= 25°C

f

（测试）

= 1兆赫

BVCER （伏）

900

800

700

600

500

400

T

C

= 25°C

1

10

V

R

，反向电压（伏）

100

300

10

100

R

BE

(W)

1000

10000

I

CER

= 100毫安

l

C

= 25毫亨

I

CER

= 10毫安

图11.电容

图12. B

VCER

= F （r

BE

)

800

700

600

T， TIME （ NS ）

500

400

300

200

100

0

T

J

= 125°C

T

J

= 25°C

0.5

1.5

1

I

C

，集电极电流（ AMPS ）

2

h

FE

= 5

h

FE

= 10

I

BON

= I

B关

V

CC

= 300 V

P

W

= 40

s

9

I

BON

= I

B关

V

CC

= 300 V

P

W

= 40

s

6

T， TIME （ NS ）

h

FE

= 5

3

T

J

= 125°C

T

J

= 25°C

0

h

FE

= 10

2

1.5

0.5

1

I

C

，集电极电流（ AMPS ）

图13.电阻开关，T

on

图14.电阻开关，T

关闭

4

I

BON

= I

B关

V

CE

= 15 V

V

Z

= 300 V

L

C

= 200

H

T

J

= 125°C

4

I

BON

= I

B关

V

CE

= 15 V

V

Z

= 300 V

L

C

= 200

H

3

T， TIME （

s)

T

J

= 125°C

3

T

J

= 25°C

T， TIME （

s)

T

J

= 25°C

2

1

0

0.5

1

1.5

I

C

，集电极电流（ AMPS ）

2

1

0.5

1.5

1

I

C

，集电极电流（ AMPS ）

2

图15.电感的存储时间，

t

si

@ h

FE

= 5

http://onsemi.com

5

图16.电感的存储时间，

t

si

@ h

FE

= 10